View Single Post
Old 17-06-2009, 17:13   #8
VEKTOR
Senior Member
 
L'Avatar di VEKTOR
 
Iscritto dal: Feb 2004
Città: Firenze è la mia vita, ma Napoli è la mia antica radice
Messaggi: 605
Per poter mantenere la precisione di switching di un transistor HKMG, è necessario ridurre lo spessore EOT dello strato di ossido High-K. Tuttavia la riduzione dell'EOT incrementa la corrente dispersione che può contribuire ad incrementare il consumo energetico di un processore. Globalfoundries ed IBM hanno sviluppato una nuova tecnica che ha permesso di realizzare n-MOSFET con EOT di 0,55 nanometri e di un p-MOSFET con EOT di 0,7nm.

Eh? Pronto che è successo?
Scusate ma è come se avessi avuto un "pacchero" elettronico
__________________
iMac 21,5 2010 (o vicchiariell che nun vuleva murì ) – iMac 27 2019 5K i9 ("buattella" da lavoro) – MB Air 2024 16/512 ("razzetiello antibuattella")
IPhone 16 128 Gb - Ipad Air M2 128 Gb Wifi + 5G
VEKTOR è offline   Rispondi citando il messaggio o parte di esso
 
1