Per poter mantenere la precisione di switching di un transistor HKMG, è necessario ridurre lo spessore EOT dello strato di ossido High-K. Tuttavia la riduzione dell'EOT incrementa la corrente dispersione che può contribuire ad incrementare il consumo energetico di un processore. Globalfoundries ed IBM hanno sviluppato una nuova tecnica che ha permesso di realizzare n-MOSFET con EOT di 0,55 nanometri e di un p-MOSFET con EOT di 0,7nm.
Eh? Pronto che è successo?
Scusate ma è come se avessi avuto un "pacchero" elettronico
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iMac 21,5 2010 (o vicchiariell che nun vuleva murì  ) – iMac 27 2019 5K i9 ("buattella" da lavoro)  – MB Air 2024 16/512 ("razzetiello antibuattella")
IPhone 16 128 Gb - Ipad Air M2 128 Gb Wifi + 5G
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