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Originariamente inviato da Cloud139
beh qui ammetto le mie lacune in tema di termodinamica, per cui ogni considerazione la faccio IMHO ovviamente 
bisognerebbe chiedere a qualcuno più pratico in materia in che modo due punti a diversa temperatura di una stessa superficie, a contatto con un'altra superficie (con i relativi valori di conduttività termica) tendono all'equilibrio termico, considerando la pressione esercitata sui due punti.
Ok mi sa che siamo pure andati un po OT |
Ti dico quello che so io.
La potenza dissipata deve essere uguale alla potenza rimossa, per avere equilibrio termico. La formula da seguire è: Pd=Pr=(Ta+Tj)/(tetaJC+tetaCA).
Sperando di averla ricordata bene, le P sono le potenze sopra menzionate. Ta è la temp ambiente (fissata, ma non da noi), Tj è la temp di giunzione (anche essa è fissata, ma è fissata dai progettisti), tetaJC è il coefficiente di dissipazione tra giunzione e case del componente (fissato dal progettista), tetaCA è il coeff di dissi tra case e ambiente e su questo possiamo agire noi con pasta termica, dissi ad aria grande o piccolo, poche o tante alette, dissi a liquido, dissi ad azoto, ecc.
Il problema maggiore in questo discorso è la fuga termica. Siccome la corrente Ic (immaginando un BJT, ma il discorso si estende a qualunque transistor) è proporzionale alla potenza dissipata, la quale fa aumentare la temp, che a sua volta fa aumentare la corrente Ic, si vede come si va su un circolo vizioso che può essere interrotto solo attraverso l'uguaglianza Pr=Pd. Se ciò non si verifica, la fuga termica porta alla rapida distruzione del transistor.
Spero di aver fatto cosa gradita e di non aver scritto troppi sfondoni
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Ciao