[worldrc]

Originariamente inviato da ASSPO

Da pc-professionale di Luglio-Agosto:
Il passaggio ai 45 nm sarà effettuato grazie alla litografia ad immersione,i wafer di silicio non sono immersi nel liquido, ma posti esattamente al di sotto di esso,quest'ultimo scorre in un piano limitato,creando una lente liquida quasi perfetta in grado di ridurre le dimensione del fascio laser per l'incisione del silicio.Per l'anno prossimo si prevede il passaggio ai 32nm e all'utilizzo di un gate costruito in Afnio e un dielettrico ad alto coefficente K.Nel prossimo processo produttivo(45nm) Amd adotterà ben 11 livelli diversi, con contatti costruiti completamente in rame,per isolare i singoli elementi invece di usare del silicio drogato i tecnici Amd sono riusciti a trovare il modo di inserire all'interno del materiale isolante delle bolle d'aria di dimensioni microscopiche in grado di ridurre la costante dielettrica dell'isolante da 3 a 2,4;con un miglioramento del 20%.Detto ciò i prossimi processori a 45nm saranno in grado di raggiungere frequenze operative nettamente superiori alle attuali con consumi ridotti del 30%.Per i 32nm che vedranno la luce tra la fine del 2009 e l'inizio del 2010 le innovazioni saranno: High-K e Metal gate, mentre nuovi liquidi per la litografia e un miglioramento nella Ultra-Low-k offriranno la possibilità di creare chip sempre più complessi e dalle prestazioni sempre più elevate.

So già che sapete queste cose ma ripeterle non fa male.Ciao

questa è informazione bravo ASSPO