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Originariamente inviato da nin
Quoto dalla news:
Se si sostiene che le capacità intellettive derivino dalla morfologia dei collegamenti neuronali, la possibilità di questi nuovi componenti di variare la resistenza potrebbe permettere di creare "circuiti dinamici", assimilabili a quelli cerebrali.
Ma penso sia la sparata finale del team dell'HP, giusto per fare un pò di fantascienza.
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probabile che sia una sparata, cmq l'IA su silicio con morfologia dinamica è fattibile da quando 50 anni fa hanno inventato il TRANsfer-reSISTOR, è "solo" un problema di tecnica
per quanto riguarda le varie teorie, avevo ipotizzato che la vacanza di ossigeno fosse riempita da titanio, ma la variazione di resistenza oltre a essere minima, forse neppure misurabile, non vedo come avrebbe potuto cambiare nel tempo
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Originariamente inviato da Megakirops
Il diossido di titanio usato dal laboratorio HP dovrebbe essere stechiometrico, quindi la conuzione dovrebbe essere dovuta a dei difetti di Schottky o di Frenkel, quale dei due sia prevalente dipende dal rapporto radiale dei due ioni, dalla capacità polarizzante del catione ed altri fattori. Il primo è costituito da due buche (vacanze) coordinative nel reticolo cristallino, un anione ed un catione non occupano i rispettivi siti reticolari perchè assenti, in questo modo la conduzione avviene attraverso la migrazione di queste buche quando si applica una ddp ai capi del solido ionico (conduzione intrinseca). Il secondo è costituito dallo spostamento di uno ione, solitamente un catione perchè + piccoli, dal suo sito reticolare ad un sito interstiziale notmalmente vuoto. Anche in questo caso la conduzione è di tipo intrinseco ed avviene con migrazione delle buche. Ovviamente + è grande il numero di difetti + è grande la conducibilità, almeno in via teorica.
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questo potrebbe spiegare tutto, ma me lo voglio rileggere quando sarò più sveglio di ora
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Originariamente inviato da Antonio23
penso sia dovuto al fatto che in condizioni normali, esiste un contributo alla resistenza dato dai fononi, cioè da particelle fittizie che modellano il movimento oscillatorio degli atomi attorno alle loro posizioni di equilibrio per qualsiasi T > 0 (kelvin) - cresce T, crescono le oscillazioni. Un modello a urti fononi-elettroni può spiegare il motivo per cui al crescere della temperatura si osserva un aumento della resistenza ( a temperature tali e per materiali tali da non introdurre altri effetti). Introducendo una vacanza penso diminuisca l'effetto dei fononi ad una data temperatura e quindi diminuisca la resistenza. è una mia supposizione.ciao  |
penso che la temperatura sia presa come costante durante l'utilizzo, non credo sia una teoria fondata
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Originariamente inviato da !fazz
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questa non l'ho capita al volo, ma LOOOL!