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Originariamente inviato da fronfava
cmq, il traguardo sarà superato, quando si riuscirà a fare un componente attivo ( MOS, Transisotr ) dalla dimensione di una sola carica elettrice sia essa positiva che negativa ( cioè dalla passaggio si un solo elettrone o neutroni ) ci vorrà del tempo, ma arrivati a quel punto, non si potrà, andare oltre  . |
A parte che già esistono i SET (single-electron transistors), la ricerca nel superamento dei limiti fisici delle strutture elettroniche classiche è più che spinta. Vedrai che una volta giunti ai limiti del silicio si passerà ad altro. E poi ogni tipo di ricerca nel campo della fisica dello stato solido deve essere affiancato da una adeguato sviluppo delle architetture hardware (e qui noi elettronici siamo piuttosto bravi) e software (e qui invece bisogna fare GROSSI passi avanti, forse non molti sanno quanto poco efficiente è un programma medio che gira su un microprocessore...)