[hibone]

Ti conviene postare un modello bidimensionale su cui definire i terminali di collettore base ed emettitore... per comodità...
Poi sulla struttura ( in sezione) del bjt puoi rappresentare i flussi dei portatori...

Il gradiente di portatori si forma perchè le lacune vengono iniettate dal collettore in base con concentrazione molto superiore a quella degli elettroni ( presenti in base come maggioritari ) e vengono estratte dalla zona di svuotamento tra base ed emettitore determinando concentrazione praticamente nulla tra base ed emettitore...

In sostanza le lacune, portatori maggioritari al collettore, vengono iniettati in una zona dove sono minoritari, la base che è molto stretta, resa ancora più stretta dalle regioni di svuotamento, che si sviluppano principalmente nella base...
Questo fa si che le lacune, che nella base sono portatori minoritari, abbiano concentrazione molto superiore a quella dei maggioritari, si ottiene pertanto che i portatori maggioritari in base praticamente scompaiono, mentre d'altra parte si ha che i minoritari attraversano rapidamente la base...
poichè attraversata la base le lacune raggiungono una zona di svuotamento, esse vengono risucchiate e la loro concentrazione i corrispondenza della regione di svuotamento va a zero...

SCUSATE HO RI-EDITATO IL TESTO...