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high-k
>>A dire il vero la struttura HIGH-K serve per avere, a parità di dimensione verticale con un dielettrico SiO2 di Silicio, un maggiore isolamento tra gate e canale.
Questo non significa che diminuisce le dispersioni? se il mos è in saturazione il canale si forma e si hanno i portatori di carica, altrimenti se è off nel canale non ci sono portatori.Questo high-k probabilmente intensifica l'effetto di campo essendo come hai detto tu,una struttura che incrementa le capacità dielettriche; anche se non rispetto all'SiO2, il quale è solo un isolante tra Gate Source e Drain (e bulk), ma rispetto ad Si che costituisce il substrato ed anche il dielettrico tra metal di Gate e canale.
>>L'elettrodo di gate in metallo è invece una tappa forzata perchè il gate attuale fatto in silicio non attacca sul materiali diversi dal silicio e ossidi derivanti, e l'High-K usato è Hafnio (piuttosto che tantalio, zirconio, ecc..).
L'elettrodo di gate, come anche Source e Drain non sono sempre realizzati in metallo (Al)? Forse c'è confusione tra la "sacca" drogata di Gate realizzata nel substrato ed il metal che la mette in contatto con la circuiteria. La sacca è chiaramente di silicio ma drogato, quindi non credo si faccia di metallo. Se invece intendevi il metal depositato, le zone drogate e ricoperte di ossido, sono in contatto con uno strato di metal che le rende accessibili, quindi non vedo la novità nell'usare il silicio.
Poi forse ho capito male.
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