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Le "PCM" o memorie a cambiamento di fase sono già in produzione per il testing, il loro funzionamento è abbastanza semplice: sfruttano delle sostanze dette calcogenuri (in particolare GST Germanio Antimonio e Tellurio) che cambiando fase passano dallo strato cristallino (abbastanza conduttivo) allo stato amorfo (molto meno conduttivo) e viceversa. Il cambiamento di stato avviene appunto tramite riscaldamento e successivo raffreddamento (lento per la struttura cristallina o veloce per quella amorfa) della cella; memorizzano quindi l'informazione cambiando resistenza. Comunque attualmente non si può certo parlare di un numero di cicli (program-erase) infinito, il grande stress termico interno alla cella danneggia il calcogenuro stesso rendendo alla lunga la cella inutilizzabile.
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