Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/14561.html

Il colosso dei processori è in linea con le tempistiche per l'introduzione dei processori a 65 nanometri sul mercato

Click sul link per visualizzare la notizia.

Bene, c'è da sperare che non si facciano fretta per far uscire i primi processori col nuovo processo produttivo rischiando di ripetere l'errore dei Prescott.
Ciao.

speriamo nn incrontrino troppi problemi come i prescott

BYEZZZZZZZZZZZZZZ

In teoria...se la nuova tecnologia costruttiva funziona bene, dovremmo avere una bella riduzione del calore e dei consumi...

Purtroppo in Prescott hanno ridotto solo la geometria dei componenti e per i transistor è stato colpo basso: diminuendo eccessivamente la superficie della BASE di essi, sono aumentate le correnti di dispersione, ottenendo l'effetto finale contrario(aumento calore e consumi)...
Se ora gli ingegneri hanno lavorato bene (sperema) dovremmo iniziare a vedere miglioramenti...bye bye

speriamo nn incrontrino troppi problemi come i prescott

BYEZZZZZZZZZZZZZZ

Intel sa di avere gli occhi del "mondo" puntati addosso : nessuna campagna pubblicitaria potrebbe salvarla di nuovo da un prodotto nato male come il prescott...
Sa anche che deve necessariamente gettare le basi di un architettura a lungo termine che sia il più scalabile possibile e , cosa più importante , deve rispondere a AMD che quest'anno l'ha umiliata in tutti i settori tranne quello mobile...

Un 'altro errore potrebbe essere l'inizio della fine.. quindi , l'anno prossimo , vedremo quale è il vero potenziale della produttrice di semiconduttori + potente del mondo....

Senza un analogo del SOI di IBM, dubito che il leakage diminuisca... Lo strained silicon aumenta solo la velocità a parità di potenza UTILE (totale - perdite - leakage) dissipata. Credo che il leakage aumenti, per il maggiore spazio tra gli atomi e una maggiore facilità di "fuga" degli elettroni... :(

credo stiano scegliendo per la seconda volta la strada sbagliata...come i prescott

Questo articolo uscito un po' di tempo fa sembra dare buone previsioni:
http://www.hardware4you.it/editoriale.php?id_e=7

ma speriamo in una ripresa del colosso di santa clara ;) almeno potremo assistere ad una lotta più elevata...e magari amd invertirà la tendenza che ha preso di alzare i prezzi :rolleyes: il che può solo giovare :asd:

Purtroppo in Prescott hanno ridotto solo la geometria dei componenti e per i transistor è stato colpo basso: diminuendo eccessivamente la superficie della BASE di essi, sono aumentate le correnti di dispersione, ottenendo l'effetto finale contrario(aumento calore e consumi)...

c'è da dire anche che nel prescott i transistor sono stati bellamente aumentati... ;)

Staremo a vedere se finalmente Intel tirerà fuori qualcosa di buono! :)

Credo che il leakage aumenti, per il maggiore spazio tra gli atomi e una maggiore facilità di "fuga" degli elettroni...
Il leakage aumenta perchè, restringendo la lunghezza di canale (cioè diminuendo la dimensione del transistor), il Suorce e il Drain arrivano ad essere così vicini da interagire. Perciò la barriera (per gli elettroni) diventa molto più piccola di una in un mos a canale lungo, con un conseguente aumento della corrente (gli elettroni hanno più energia della barriera, e quindi transitano con più facilità nel canale), il che si traduce in un abbassamento della tensione di soglia. Ma un abbassamento della tensione di soglia significa un aumento della corrente di leakage; quindi è per questo che non è sempre "bene" diminuire la tensione di soglia: il tutto è da valutare a seconda delle prestazioni che si vogliono ottenere. In ogni caso, senza una buona architettura (cioè sistemi in grado di compensare queste perdite), è dura scalare un transistore.

Il leakage aumenta perchè, restringendo la lunghezza di canale (cioè diminuendo la dimensione del transistor), il Suorce e il Drain arrivano ad essere così vicini da interagire. Perciò la barriera (per gli elettroni) diventa molto più piccola di una in un mos a canale lungo, con un conseguente aumento della corrente (gli elettroni hanno più energia della barriera, e quindi transitano con più facilità nel canale), il che si traduce in un abbassamento della tensione di soglia. Ma un abbassamento della tensione di soglia significa un aumento della corrente di leakage; quindi è per questo che non è sempre "bene" diminuire la tensione di soglia: il tutto è da valutare a seconda delle prestazioni che si vogliono ottenere. In ogni caso, senza una buona architettura (cioè sistemi in grado di compensare queste perdite), è dura scalare un transistore.


:wtf:

Guardando la figura, e partendo dal fatto che, applicando una tensione tra gate e source, si instaura un passaggio di elettroni tra source e drain, il resto del discorso è meglio comprensibile :)
http://www.cs.huji.ac.il/course/2003/vlsid/lecture2/vlsi_2_n-channel-MOSFET.jpg

Gli elettroni sono nella buca n+ di sinistra. La barriera ha la forma più o meno delle lacune n+: quindi gli elettroni, per passare (da sinistra a destra), devono passare quella barriera in mezzo; se si avvicinano il source e il drain, si vede come la barriera diventa più stretta, e quindi è più facile per gli elettroni attraversarla (quindi passa più corrente).

Intel sa di avere gli occhi del "mondo" puntati addosso : nessuna campagna pubblicitaria potrebbe salvarla di nuovo da un prodotto nato male come il prescott...

vero
ma è anke altrettanto vero che ha IL NOME
l'utente normale nn sa che il prescott scalda......
nn sa manco che è un prescott forse :D
sa che è PENTIUM e per questo venderà lo stesso......
diciamo che ha puntati gli okkio degli esperti e degli smanettoni.....

è vero che le ha prese soprattutto nella guerra PR Vs Mhz

però come hai detto INTEL nn è casa che si piega così facilmente
e nell'ambito mobile si è rafforzata molto
forse imparando qlkosa dal progetto banias

speriamo sforni qlkosa all'altezza
se il mercato dell'informatica va come è sempre andato.....
ossia con alti e bassi
forse questa è la volta buona :)

BYEZZZZZZZZZZZZZ

e credete che se intel farà un altro sbaglio fallirà o diminuirà le vendite? :doh: :rolleyes: farà un'altra campagna pubblicitaria massiccia, farà uscire processori a 1000 mila mhz e cosi la stragrande maggioranza delle persone dirà: oh ha piu ghz , va piu veloce

Intel sa di avere gli occhi del "mondo" puntati addosso : nessuna campagna pubblicitaria potrebbe salvarla di nuovo da un prodotto nato male come il prescott...
Sa anche che deve necessariamente gettare le basi di un architettura a lungo termine che sia il più scalabile possibile e , cosa più importante , deve rispondere a AMD che quest'anno l'ha umiliata in tutti i settori tranne quello mobile...

Un 'altro errore potrebbe essere l'inizio della fine.. quindi , l'anno prossimo , vedremo quale è il vero potenziale della produttrice di semiconduttori + potente del mondo....

come ha gia scritto overclock79 nel post sopra, intel ha puntati addosso solo gli occhi di ci capisce qualcosa di informatica, quelli che comprano pc da supermercato e li usano per cose ordinarie se ne sbattono di cos hanno dentro a quel coso squadrato con tanti led sulla loro scrivania.
piuttosto, dat che ho in programma un upgrade vi sovvengono due questioni alchè opprimenti :D :
se si va a 65nm e si diminuisce la dimensione, non e che diminuiscono la possibilita di overclock e il raffreddamento?
questo nuovo core (presler o cedar mill non ricordo il nome) sara compatibile con i chipset 925X/XE?
sara possibile sbloccare il moltiplicatore? grazie a chiunque mi risponda

il molty posso già dirti che al 99% no
forse utilizzeranno qlk tecnica alla INTEL SPEED STEP simil C&Q
quindi FORSE verso il basso ma nn verso l'alto......

la comp nn si sa molto
SPERO che nn diano prob con la serie 955 e 945

BYEZZZZZZZZZZZZZZ

il molty posso già dirti che al 99% no
forse utilizzeranno qlk tecnica alla INTEL SPEED STEP simil C&Q
quindi FORSE verso il basso ma nn verso l'alto......
la comp nn si sa molto
SPERO che nn diano prob con la serie 955 e 945
BYEZZZZZZZZZZZZZZ
grazie