AGAM
08-04-2004, 11:51
SULLE specifiche del mio sony vaio GRT916Zè indicato esplicitamente:
512 MB di DDR SDRAM (PC2700 - DDR333) (CL=2,5 o 2)
cioè 2 moduli da 256 mb ddr 333 e fino a questo punto tutto ok
quanto con AIDA 32 FACCIO UN CHECK APPARE:
descrizione periferica:
Samsung M4 70L3224FT0-CB3
Samsung M4 70L3224FT0-CB3
(i due moduli) e poi
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Samsung M4 70L3224FT0-CB3
Numero di serie F10379C3h
Capacità modulo 256 MB (2 rows, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2700 (166 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
CAS Latency più alto 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
Secondo CAS Latency più alto 2.0 (7.5 ns @ 133 MHz)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
mi chiarite perchè non appare il valore 333?
512 MB di DDR SDRAM (PC2700 - DDR333) (CL=2,5 o 2)
cioè 2 moduli da 256 mb ddr 333 e fino a questo punto tutto ok
quanto con AIDA 32 FACCIO UN CHECK APPARE:
descrizione periferica:
Samsung M4 70L3224FT0-CB3
Samsung M4 70L3224FT0-CB3
(i due moduli) e poi
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Samsung M4 70L3224FT0-CB3
Numero di serie F10379C3h
Capacità modulo 256 MB (2 rows, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2700 (166 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
CAS Latency più alto 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
Secondo CAS Latency più alto 2.0 (7.5 ns @ 133 MHz)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
mi chiarite perchè non appare il valore 333?