Link alla notizia: http://news.hwupgrade.it/12126.html

Le due compagnie hanno siglato un accordo secondo il quale NEC potrà utilizzare la tecnologia di risparmio energetico nei prossimi processori a 90, 65 e 45 nanometri

Click sul link per visualizzare la notizia.

Scusate l'ignoranza ma cosa è la corrente di leakage?

Se non ricordo male e' una corrente parassita (cioe' indesiderata) all'interno del transistor visto come interruttore aperto. In teoria un interruttore aperto non permette passaggio di corrente tra i due capi della linea, mentre nei transistor molto "piccoli" si hanno delle correnti di perdita che aumentano man mano che diminuisce la dimensione di base della tecnologia... questo a grandissime spanne...

Questo documento in inglese introduce molto brevemente i meccanismi che possono indurre una corrente di leakage in dispositivi submicrometrici:

http://www.fysel.ntnu.no/Courses/tfe47aa/Falk1.pdf

a quanto ricordo la SOI e' una soluzione pratica a questo effetto: copertura del substrato del transistor con un dielettrico in modo da aumentare la soglia di micro-conduttivita' naturale...
ho sentito che ibm vuole usare nuovi materiali K a base di teflon (o meglio polifluoro sostituiti), per ora il miglior tipo di isolante a basse temperature.
quello che mi sono sempre chiesto e' che se si isola elettricamente il transistor, non lo si isola anche termicamente?

Mi dicevano di processori che utilizzando come isolante l'aerogel di silice riuscivano a viaggiare alla bellezza di 24 GHz, ovviamente prototipi..
Riguardo alla corrente di leakage, chiamarla "corrente parassita" fa proprio schifo?

ma se è una soluzione alquanto banale e conosciuta, perché NEC ha cercato un partner?

Probabilmente per un discorso di brevetti...:-)
O magari perche in Transmeta hanno altre soluzioni gia brevettate ma non divulgate...