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CEA-Leti ha dimostrato la possibilità di eseguire hybrid bonding die-to-wafer con pitch fino a 1 micrometro, un risultato che punta a incrementare densità di interconnessione, banda passante ed efficienza energetica nei chip destinati a intelligenza artificiale, HPC e sensori avanzati. La roadmap guarda già ai 0,5 micrometri.

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Dalla foto,con un micro colpetto con il culo del cacciavite o con il manico della cazzuola, l'allineamento viene perfetto,ah,si perdono in un bicchiere d'acqua.
Sti siensiati alla Cooper

Notare che un pitch di 1 micrometro corrisponde a 1000 nanometri.
Corrisponde a più di 74 volte la lunghezza d'onda usata nella fotolitografia EUV (13,5nm circa).
Insomma, già passando dai collegamenti on-chip a quelli die-to-wafer e come passare da ragionare in termini di "per di qua deve passare un auto" a "per di per di qua deve passare una portaerei nucleare".