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TSMC guarda al futuro e ha già in programma un importante salto generazionale per le sue attività con l'avvio del nodo a 1 nm. Serviranno alcuni anni, però, per poter avviare la produzione

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Mi chiedo quando abbandoneranno queste denominazioni-farsa.

Un processo "20A" va inteso come "se utilizzassimo gate planari 'classici' questo gate avrebbe una feature size di 2 nanometri" ... il problema é che la radiazione EUV utilizzata per fotolitografare ha una lunghezza d'onda di 13,5 nanometri ed anche facendo ricorso a tutti i barbatrucchi con reticoli di diffrazione per fotolitografare ad 1/4 di lunghezza d'onda ... al massimo si arriverebbe a gate molto leaky con feature size da 3,375 nanometri.

In pratica cosa intendono per 10A (1 nanometro) ?
Nuove geometrie dei gate? Nuovi materiali? Nuovi processi di stacking dei layer ?

Credo che intendano la dimensione del gate del nodo... Costruire un intero transistor a 2 o meno nanometri ci si ritroverebbe con gli elettroni che se andrebbero " a zonzo " per i circuiti a causa dell'effetto tunnel.
Oramai con la miniaturizzazione siamo al limite fisico, è tempo di pensare ad architetture più efficienti in termini di quantità di transistor.

Mi chiedo quando abbandoneranno queste denominazioni-farsa.

è brutto il fatto che abbiano mantenuto il termine nanometri, però ha una sua utilità pratica dal momento che ti permette di fare un confronto lineare anche con il passato, non solo con il presente.

Lato marketing è importante fornire una metrica chiara che fa capire cosa è il miglioramento di cosa. Immagina se le GPU si chiamassero 3764AB, 9871KR, 51232A ... diventa dura metterle in fila per prestazioni e caratteristiche.

Un processo costruttivo ha lo stesso problema, come faccio a rendere l'idea che il processo B è migliore del processo A con una metrica verificabile oltre che chiara?

Tutto questo mi ha ricordato una cosa, ma l'intel 18A che fine ha fatto?

In risposta ad AlexSwitch e mmorselli:
Le denominazioni in nanometri ed angstrom utilizate per descrivere i processi di più avanzati sono essenzialmente realistiche come le mucche sferiche di certi vecchi esercizi di fisica e matematica.

In teoria si dovrebbere intendere come "feature size di un MOSFET planare che opera a qualsiasi dimensione in modo 'classico' senza risentire degli effetti quantistici dai limiti imposti dalle dimensioni degli atomi"
MA
l'equivalenza viene calcolata in modo diverso dai vari operatori del settore (in teoria perché cambiando la geometria dei gate ed i materiali utilizzati bisogna calcolare l'equivalenza in modo diverso, in pratica mica tanto).

Basta ricordare i processi produttivi di Intel che da "10nm Enhanced SuperFin" e "7nm" sono automagicamente diventati "Intel 7" ed "Intel 4". :sofico:

In risposta ad AlexSwitch e mmorselli:
Le denominazioni in nanometri ed angstrom utilizate per descrivere i processi di più avanzati sono essenzialmente realistiche come le mucche sferiche di certi vecchi esercizi di fisica e matematica.

Le Mucche Sferiche A Densità Uniforme (MSADU) rivelano molto sulla tua età :D

Però rimane che servono denominazioni che consentono di capire in modo chiaro il progresso da un processo all'altro. Alla fine anche il petrolio lo misuriamo in barili, però mica viaggia nei barili, semplicemente continuando ad usare la stessa misura possiamo fare confronti nel tempo a partire dagli albori, quando appunto si trasportava in barili (che perdevano un po' di petrolio durante il trasporto, e questo ha determinato la sua capacità)