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Commutazione superveloce e una durata estrema sono le caratteristiche di un transistor creato dai fisici del MIT che si basa su un materiale ferroelettrico ultrasottile.

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Interessante ma, da quel che capisco, serve piu' per le applicazioni di storage nonvolatile che per il computing grazie all'elevata densita'. Anche perche' "una scala temporale di nanosecondi" non mi sembra cosi' eccezionale comparata a quello che puo' fare l'elettronica attuale (sui GHz la scala temporale deve essere sotto i nanosecondi).

Sbaglio :confused: ?

Interessante ma, da quel che capisco, serve piu' per le applicazioni di storage nonvolatile che per il computing grazie all'elevata densita'. Anche perche' "una scala temporale di nanosecondi" non mi sembra cosi' eccezionale comparata a quello che puo' fare l'elettronica attuale (sui GHz la scala temporale deve essere sotto i nanosecondi).

Sbaglio :confused: ?

I giga sono 10 ^ 9 i nano 10 ^ -9 quindi sono equivalenti. Però i GHz sono relativi al clock, bisognerebbe capire quanto tempo serva ad una cella di memoria per cambiare di stato.

I giga sono 10 ^ 9 i nano 10 ^ -9 quindi sono equivalenti. Però i GHz sono relativi al clock, bisognerebbe capire quanto tempo serva ad una cella di memoria per cambiare di stato.

Siamo sulla scala dei microsecondi. Quindi queste nuove celle sarebbero oltre 1000 volte più veloci a fare bit flip.

Per dare un'idea, per fare una write di una pagina (quindi + bit assieme) in una NAND flash ci vogliono sui 150-500 microsendodi.

EDIT: non avevo capito parlaste di SRAM!

I giga sono 10 ^ 9 i nano 10 ^ -9 quindi sono equivalenti. Però i GHz sono relativi al clock, bisognerebbe capire quanto tempo serva ad una cella di memoria per cambiare di stato.

Si, pero' sapevo, e leggendo a giro ne ho avuto la conferma, che il tempo di commutazione deve essere molto inferiore all'inverso della frequenza del processore. E visto che l'attuale record di overclock e' 9 GHz, il tempo di commutazione dei transistor delle attuali CPU dovrebbe essere almeno ~100ps o (probabilmente) inferiore. Quindi ben al di sotto della scala dei nanosecondi.

EDIT: tra le altre cose non ho considerato un fattore due. Es: in una clock line i transistors cambiano stato due volte per ciclo. Quindi per un IC a 1GHz il limite superiore per il tempo di commutazione e' almeno 500ps, non 1ns..

Siamo sulla scala dei microsecondi. Quindi queste nuove celle sarebbero oltre 1000 volte più veloci a fare bit flip.

Per dare un'idea, per fare una write di una pagina (quindi + bit assieme) in una NAND flash ci vogliono sui 150-500 microsendodi.

EDIT: non avevo capito parlaste di SRAM!

Quindi, sebbene piú lenti di SRAM, questi dispositivi permetterebbero la realizzazione di memorie capienti quanto SSD ma con velocità paragonabili alle DRAM.

Non male se ci riescono :)

Quindi, sebbene piú lenti di SRAM, questi dispositivi permetterebbero la realizzazione di memorie capienti quanto SSD ma con velocità paragonabili alle DRAM.

Non male se ci riescono :)

Da quel che si capisce, sembrano come SRAM. sono le NAND flash che sono almeno 3 ordini di grandezza + lente delle SRAM.

le nostre ram DDR5 lavorano tra 22ns e 12 ns ma non tengono i dati in memoria senza energia... avere le RAM per i dati di un HardDisk è Top rispetto al migliore degli SSD

Questi passi in avanti sono sempre un piacere, ma ora come ora bisogna anche trovare la via di fare i fatti e rivoluzionare il settore.

Da quel che si capisce, sembrano come SRAM. sono le NAND flash che sono almeno 3 ordini di grandezza + lente delle SRAM.
A me, invece, sembra il concetto della DRAM visto che parlano di cariche (che in questo caso rimangono anche senza i continui refresh necessari alla DRAM), più che alla SRAM che sono coppie di transistor (che lavorano in conduzione/non conduzione), se la memoria non mi inganna (sono passati più di 40 anni da quando ho studiato questi argomenti...)