Link alla notizia: https://www.hwupgrade.it/news/memorie/flessibile-e-richiede-100-volte-meno-corrente-e-la-memoria-phase-change-della-stanford-university_100593.html

Alla Stanford hanno creato una "memoria in plastica" che potrebbe dare un nuovo impulso al mondo dell'elettronica flessibile. La memoria a cambiamento di fase (PCM) messa a punto richiede meno energia proprio perché è costruita sulla plastica.

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Alla Stanford hanno creato una "memoria in plastica" che potrebbe dare un nuovo impulso al mondo dell'elettronica flessibile. La memoria a cambiamento di fase (PCM) messa a punto richiede meno energia proprio perché è costruita sulla plastica.

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La flessibilità non so quanto possa interessare, ma è interessanta la permanenza dell'informazione in assenza di alimentazione (memorie di archiviazione).

Se si riesce ad arrivare (e ci si può arrivare) ad otto livelli di resistenza, così da costituire l'informazione di un Byte, la compatibilità col passato sarebbe un'ottima cosa.

Se si riesce ad arrivare (e ci si può arrivare) ad otto livelli di resistenza, così da costituire l'informazione di un Byte, la compatibilità col passato sarebbe un'ottima cosa.
Otto livelli corrisponderebbero a 3 bit; servirebbero 256 livelli per rappresentare un byte (8 bit).
In ogni caso dubito che sia conveniente sfruttare quella caratteristica, nei sistemi digitali è bene che la memoria sia anch'essa digitale.