Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/memorie/3d-xpoint-da-intel-e-micron-la-memoria-che-soppiantera-la-tecnologia-nand_58222.html

Le due aziende annunciano lo sviluppo di una nuova tecnologia di memoria di tipo non volatile, che abbraccia i vantaggi di NAND e DRAM mirando a diventare un riferimento di mercato. I primi prodotti in commercio nel 2016

Click sul link per visualizzare la notizia.

SPETTACOLARE!!!! :eek:
Quindi se ho ben capito tra due-tre anni forse vedremo in commercio i primi SSD con questa tecnologia che saranno capienti al punto da non farci rimpiangere gli HDD attuali ed al contempo tanto veloci da poter quasi competere con le RAM???
E il tutto a prezzi non fantastellari?

Sarebbe una figata immensa!!!!!!!! :sofico: :sofico: :sofico:

Interessante anche se non sono convinto che riusciremo ad avere questo tipo di memorie al livello consumer. Alcuni motivi:
- al di là degli annunci, non accade quasi mai che tecnologie rivoluzionarie, approdino al mercato di massa
Salvo parziali eccezioni, tipo ad es. le SSD, ma pure in quel caso, risultavano/risultano frenate dal bus Sata, per cui il ricorso al bus Sata Express risulterebbe la soluzione attuale migliore
- si tratta di un'esclusiva Intel e Micron e la storia insegna che questi approcci, giustamente, incontrano resistenze nella loro possibilità di diffusione e, considerando che Intel si è defilata dal segmento desktop, è evidente che non avrebbe nessuna voce in capitolo sull'argomento
- nell'articolo viene indicato che l'attuale implementazione consente chip memoria da 128Gbit, ma non viene specificato il numero di strati implementabili al momento, in modo da potere capire, adesso, quale sarebbe la massima capacità di memoria disponibile

A me basterebbero i 2 o 3 giga dell'Hyberfile.sys in modo che quando accendo il PC in un secondo sia pronto

Interessante anche se non sono convinto che riusciremo ad avere questo tipo di memorie al livello consumer. Alcuni motivi:
- al di là degli annunci, non accade quasi mai che tecnologie rivoluzionarie, approdino al mercato di massa
Salvo parziali eccezioni, tipo ad es. le SSD, ma pure in quel caso, risultavano/risultano frenate dal bus Sata, per cui il ricorso al bus Sata Express risulterebbe la soluzione attuale migliore
- si tratta di un'esclusiva Intel e Micron e la storia insegna che questi approcci, giustamente, incontrano resistenze nella loro possibilità di diffusione e, considerando che Intel si è defilata dal segmento desktop, è evidente che non avrebbe nessuna voce in capitolo sull'argomento
- nell'articolo viene indicato che l'attuale implementazione consente chip memoria da 128Gbit, ma non viene specificato il numero di strati implementabili al momento, in modo da potere capire, adesso, quale sarebbe la massima capacità di memoria disponibile

Ecco.
grazie per lo schiaffone bello carico che ti riporta nel mondo reale col massimo del trauma possibile. :cry:

Sono molto curioso di sapere quale metodo di memorizzazione utilizzano.

Secondo The Inquirer un portavoce di Intel ha affermato che
non si tratta di memoria a cambio di fase (su cui Intel aveva fatto molto R&D
negli ultimi 20 anni), ne di memristori e neppure di memoria spin-transfer torque
("coppia di trasferimento dello spin").
Ma di qualcosa su cui Intel e Micro hanno lavorato da circa 10 anni per poi unire le forze
nel 2012.

Link: http://www.theregister.co.uk/2015/07/28/intel_micron_3d_xpoint/

A giudicare dallo schema che hanno reso pubblico mi sa che invece
è essenzialmente una memoria a memristori "in senso lato"
(sia le memorie a cambio di fase che vari dipi di altri processi di memorizzazione
sono memristori "se si allarga la definizione a sufficienza")
e che proprio per questo evitano di usare esplicitamente la parola memristore
(per evitare rogne con chi ha brevettato memorie a memristori usando una
definizione più "stretta" ma che potrebbe fargli causa e chiedere soldi
se loro "ammettono" che anche la loro tecnologia è basata su memristori).

In base ai disegni mostrati una delle cose innovative rispetto ai primi modelli di
memristori è che oltre ad inpilare i vari strati di "materiale di memorizzazione"
(i due colori indicano probabilmente uno strato di "qualcosa"
ed un corrispondente strato di ossido-di-"qualcosa" spalmato sopra o sotto)
uno strato di righe oppure di colonne di metallizzazione viene usato
per i due strati adiacenti (per scrivere su uno "strato di memoria" si agisce sulle righe e sulle colonne per indirizzare singole celle o gruppi di celle da leggere o da modificare).

Una volta che raffinano le tecnologie di produzione dovrebbe scalare bene
(probabilmente gli elementi critici sono quanto "fini" possono essere righe e colonne
e quanto omogenei devono essere inizialmente gli strati di materiale, con tensioni
e correnti che verosimilmente possono essere scalate molto in basso).

Anche il costo iniziale "più alto delle 3D-NAND ma più basso delle DRAM"
probabilmente scenderà al di sotto di quello della 3D-NAND.
Questo perchè per ora c'e' una sola "fonderia" che li produrrà su larga scala
(quella della joint venture IMFT in Utah) e visto che questa memoria è competitiva
anche con la DRAM inizialmente mungeranno le mucche più cariche di soldi
per poi dilagare negli altri settori man mano che si incrementa la capacità produttiva
loro e di quelli che acquisteranno licenze dei loro brevetti.

Notare che sebbene si possa usare questa memoria per realizzare moduli di memoria
"che sostituiscono le DRAM" (a prezzi più bassi e capacità molto più elevate :D )
e "moduli SSD" per sostituire sia HDD che gli SSD attuali, il vantaggio più grande
lo si avrà con nuove architetture "a memoria unificata"
(dove sarà il software a decidere quali blocchi/moduli di memoria sono storage e quali "memoria di lavoro").

Per dirla in un modo semplice ... immaginate moduli simili a delle microSD "con un sacco di contatti" da 128..256GB (o forse più) usabili in modo intercambiabile su smartphone, table, notebook, desktop o server "come RAM o come storage" in base alle esigenze. :)

L'unico vero limite è che per passare ad un architettura "totalmente nuova" ci vuole tempo quindi se va tutto bene ci sarà un periodo di transizione di qualche anno
con prodotti radicalmente nuovi ma costosi (roba da server e supercomputer?) che magari saranno in circolazione già il prossimo anno seguiti forse nel 2017 o 2018 da dei nuovi iPhone ed iPad che ne fanno uso (perchè Apple può permettersi ricarichi molto più alti della concorrenza) mentre cominceranno a circolare moduli DDR4 ed SSD basati su quel tipo di memoria per aggiornare hardware recente o ancora in produzione basato sulle attuali architetture.

Considerando che questa tecnologia deve durare almeno una quarantina d' anni (6-7 solo per entrare in commercio), i 1000x e 10x teorici su velocità e capienza li vedremo a fine ciclo di vita, sia in ambito consumer e non molto prima in ambito enterprise.

Prima bisogna spremere per bene il mercato attuale di nand e ram, senza contare le tecnologie in sviluppo che fanno concorrenza a questo 3d xpoint che bisogna vedere che fine faranno.
Quando è stato venduto fino all' ultimo banco si introdurranno piano piano queste 3dXP nella loro versione più povera per poi "far finta" di migliorarla da qui a 40 anni.

Dopo che apprendi queste notizie diventa difficile guardare con entusiasmo cannon lake o zen 2.0 che siano :(

Considerando che questa tecnologia deve durare almeno una quarantina d' anni (6-7 solo per entrare in commercio), i 1000x e 10x teorici su velocità e capienza li vedremo a fine ciclo di vita, sia in ambito consumer e non molto prima in ambito enterprise.

La velocità di scrittura dovrebbe essere già vicina a 1000x, infatti i primi prodotti "per server" dovrebbero essere moduli "compatibili DDR4" (qualche mese fa è stato fissato uno standard in proposito per "memorie permanenti su moduli DDR4").

Poi salendo di capacità (se si tratta di simil-memristori) le tensioni e le correnti dovranno scalare verso il basso e questo non permetterà di salire di velocità più di tanto.
Ma èanche il caso di ricordare che quel "fino a 10x" è la "capacità per strato" mentre non parlano di quanto strati possono inpilare (probabilmente più di quanto possibile con le 3D-NAND visto che strati e celle sono più "semplici").

Nell'articolo che ho linkato dicono che i primi chip (in commercio nel 2016) saranno da 128Gbit (16GB) con latenze già nel range dei nanosecondi.
E' la stessa capacità delle flash SLC attualmente in produzione e come "sostituti della DDR4" ipotizzando 8 chip per modulo (praticamente lo standard per DIMM DDR4 a singola faccia) si ottengono moduli "DIMM" da 128GB. :)

Immagina un classico notebook con due slot SODIMM DDR4 comprato questo anno che tra 1..2 anni potrai trasformare in un "mostro" con 256GB di "ram permanente" e con opportuni ritocchi a bios e driver del S.O. può pure fare a meno di HDD o SDD ed usare invece "ram disk persistenti" mappati sui DIMM. :D

Poi, a parte questo, è da notare che Intel aveva fatto un accordo con HGST riguardo lo sviluppo di nuovi sistemi di storage ed in parallelo Micron ne ha fatto uno simile con Seagate.
Probabilmente prima se ne usciranno con soluzioni ibride con SSHD in cui
memorie 3D XPoint farano da "vera" mega-cache ultra-veloce ed a prova di perdita di dati per un HDD, ottenendo dei dispositivi che per trasferimenti "tutti d'un botto" inferiori a tot. gigabytes avranno come unico limite la velocità del bus SATA III oppure
di quello mPCI M.2 a costi mediamente più bassi degli SSD 3D-NAND.

- si tratta di un'esclusiva Intel e Micron e la storia insegna che questi approcci, giustamente, incontrano resistenze nella loro possibilità di diffusione
Non vedo quale sarebbe il problema qui: ogni produttore utilizza la tecnologia che vuole per realizzare SSD, ma l'importante è l'interfaccia verso l'esterno, che consente di utilizzarli in tutti i computer che la supportino.

Anche per la memoria il discorso è esattamente lo stesso: l'importante è che venga rispettata l'interfaccia offerta dal modulo DDR4.
e, considerando che Intel si è defilata dal segmento desktop,
Questa sarebbe una novità. Hai fonti a riguardo?

Questa sarebbe una novità. Hai fonti a riguardo?
Anche a me è suonato strano.
Forse si riferiva agli SSD e al fatto che sia latitante dal mercato consumer.

Continuerebbe a suonare strano: Intel mette nel mirino Samsung nel mercato SSD (http://www.hwupgrade.it/news/storage/intel-mette-nel-mirino-samsung-nel-mercato-ssd_57788.html)

Facciamo i nostri soliti commenti da fenomeni, ma qui i fenomeni sono loro. Tra 10 anni non oso pensare cosa ci troveremo per le mani.

Ma che cappero significa "prezzi a meta' tra le dram e gli ssd"?

Bisogna calcolare a volume? Quindi, visto che al giorno d'oggi lo storage utile per lavorare e' circa 500gb... allora calcoliamo un prezzo orientativo di 500gb di ssd=200 euro, 500gb della migliore ram, 2000 euro...quindi avremo un ssd cross point da 500gb a 1000 euro ? :muro: Oltretutto un'ottima scusa in accordo con Intel per piazzare sul mercato delle mobo con un nuovo bus.. visto che parliamo di un 10x..100x...1000x... comunque fuori dal range sata...antieconomico per il pciex e troppo poco furbo da implementare sugli attuali bus dram.. quindi..nuovo chipset intel e nuovo bus dram tipo..."ddr cross point" :cry:

Anche HP se non sbaglio ha dei progetti per "unificare" storage e memoria (mi sa che sono loro quelli dei memristori che Intel non vuole nominare :asd: ), vedremo chi la spunterà.

Sicuramente è una cosa interessante che, se si evolve nel modo giusto, rischia di essere rivoluzionaria.

Non vedo quale sarebbe il problema qui: ogni produttore utilizza la tecnologia che vuole per realizzare SSD, ma l'importante è l'interfaccia verso l'esterno, che consente di utilizzarli in tutti i computer che la supportino.
Se una tecnologia non è diffusa i produttori di terze parti non hanno interesse ad implementarla ed è questo quello che penso che succederà.

Sul discorso:
- interfacciamento DDR4 (o quello che sarà): per quanto potrebbe garantirne la compatibilità, certamente non potrebbe consentire di esprimere al meglio le potenzialità prestazionali di queste memorie che comunque, leggendo la news riportata qui, mi pare non abbia come obbiettivo prioritario la sostituzione della memoria centrale
Riporto il punto esatto:
Le memorie DRAM continueranno a restare il riferimento per quanto concerne le pure prestazioni velocistiche
- desktop mi riferivo al fatto che Intel, da tempo, non produce più motherboard Desktop, limitandosi ad indicazioni, riferimenti, ecc.
Certo mi dirai, anche quando le producevano, il loro impatto sul mercato era minimo, ma la vedo come qualcosa di potenzialmente utile, perso per strada.

Se una tecnologia non è diffusa i produttori di terze parti non hanno interesse ad implementarla ed è questo quello che penso che succederà.
Vuol dire che sarà un bene per Intel e Micron, perché non avranno concorrenti riguardo allo sviluppo di questo tipo di memorie.

Per gli SSD mi sono già espresso: ciò che conta è l'interfaccia con l'esterno, che è uguale per tutti, a prescindere dal tipo di memoria che viene utilizzata internamente.
Sul discorso:
- interfacciamento DDR4 (o quello che sarà): per quanto potrebbe garantirne la compatibilità, certamente non potrebbe consentire di esprimere al meglio le potenzialità prestazionali di queste memorie che comunque, leggendo la news riportata qui, mi pare non abbia come obbiettivo prioritario la sostituzione della memoria centrale
Riporto il punto esatto:
Ma parla, appunto, di pure prestazioni velocistiche. Non ci sono solo le prestazioni, ma anche la capacità di mantenere ciò che si è scritto, come pure i consumi, sono parametri molto importanti, che in certi contesti (vedi mobile ed embedded, ad esempio) possono essre privilegiati rispetto alle prestazioni.
- desktop mi riferivo al fatto che Intel, da tempo, non produce più motherboard Desktop, limitandosi ad indicazioni, riferimenti, ecc.
Certo mi dirai, anche quando le producevano, il loro impatto sul mercato era minimo, ma la vedo come qualcosa di potenzialmente utile, perso per strada.
Non hanno mai rappresentato il core business dell'azienda, e col mercato inflazionatissimo i margini erano troppo ridotti, tant'è che hanno chiuso o dismesso il ramo alcune aziende anche molto rinomate (io ero un affezionato di Abit).

Per gli SSD mi sono già espresso: ciò che conta è l'interfaccia con l'esterno, che è uguale per tutti, a prescindere dal tipo di memoria che viene utilizzata internamente.

Su questo sono pienamente d'accordo.
Se arrivassero queste nuove memeorie andrebbero a lavorare dentro SSD con interfaccia standard.. che siano SATA o PCI Express.

Viste le prestazioni promesse direi che PCI Express è la scelta migliore.

Ma che cappero significa "prezzi a meta' tra le dram e gli ssd"?

Bisogna calcolare a volume? Quindi, visto che al giorno d'oggi lo storage utile per lavorare e' circa 500gb... allora calcoliamo un prezzo orientativo di 500gb di ssd=200 euro, 500gb della migliore ram, 2000 euro...quindi avremo un ssd cross point da 500gb a 1000 euro ? :muro: Oltretutto un'ottima scusa in accordo con Intel per piazzare sul mercato delle mobo con un nuovo bus.. visto che parliamo di un 10x..100x...1000x... comunque fuori dal range sata...antieconomico per il pciex e troppo poco furbo da implementare sugli attuali bus dram.. quindi..nuovo chipset intel e nuovo bus dram tipo..."ddr cross point" :cry:

Lo standard NVDIMM per i DIMM "non volatili" (da usare come "ram persistente" oppure per storage) esiste già (http://www.micron.com/products/dram-modules/nvdimm) sia per DDR3 che per DDR4.
Per supportare le NVDIMM a livello hardware basta un aggiornamento del firmware della scheda madre (e driver per il S.O. che altrimenti "non vedrà" gli NVDIMM).

I chip 3D XPoint commercializzati nel 2016 saranno prodotti a 20nm con una capacità per chip di 128Gbit (16GB) che aumenterà incrementando gli strati e poi scalando
a 16nm, 14nm, ecc.

Con chip a 128Gbit si possono produrre NVDIMM da 8 chip con una capacità di 128GB
(probabilmente anche NV-SODIMM per notebook) e non mi stupirei se uscissero anche DIMM "per desktop/server" doppia faccia da 16 chip con capacità 256GB.

In pratica la cosa diventa molto interessante per chi ha almeno uno slot DIMM libero
perche anche con un modulo da "solo" 128GB lo mappi come drive per il S.O. e la e file/partizione di swap e tutto d'un tratto un notebook o un desktop diventa un missile ipersonico a confronto di una roba equivalente che usa M.2.

Per rendere l'idea della differenza di ampiezza di banda:
con i DIMM DDR3/DDR4 si fanno 12..21GB/s o anche di più
con M.2 PCIe 2.0 x2 si va a max. 1GB/s ( 800MB/s reali)
ed il più recente e meno diffuso M2 PCIe 3.0 x4 fa 4GB/s (3.9GB/s reali).

Usando SSD basati su memorie NAND Flash non si noterebbe la differenza :huh:
(sono 1000 volte più lente di 3D Xpoint) ma con questa nuova tecnologia mi
sa che si noterà eccome. :D