Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/isscc-2015-il-futuro-dei-chip-intel-e-a-10-e-7-nanometri_56160.html

La legge di Moore continuerà a guidare l'evoluzione nella produzione di semiconduttori anche nel corso dei prossimi anni, con il passaggio dagli attuali 14 nanometri verso i processi a 10 e 7 nanometri. Una novità attesa ogni 2 anni

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si leggeva da più parti che ormai la legge di Moore era al capolinea e che tenere il ritmo di un raddoppio di transistor integrati ogni 2 anni sia ormai impossibile, troppi problemi quando si raggiungono i limiti fisici del silicio.

Da questa lettura invece sembra che Intel riesca a mantenere inalterata la famosa legge di Moore per i prossimi 2 / 4 anni, anzi che lo scoglio più grosso è stato il passaggio a 14 nm, dopo sia più facile.
Naturalmente si ammette che i costi sono esorbitanti..

più che altro Intel sembra dire a tutti che arrivati a 7 nanometri bisogna inventarsi altro per continuare la miniaturizzazione del processo produttivo, ora tocca vedere cosa si inventeranno di nuovo.

Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/isscc-2015-il-futuro-dei-chip-intel-e-a-10-e-7-nanometri_56160.html

La legge di Moore continuerà a guidare l'evoluzione nella produzione di semiconduttori anche nel corso dei prossimi anni, con il passaggio dagli attuali 14 nanometri verso i processi a 10 e 7 nanometri. Una novità attesa ogni 2 anni

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ma ma ma ...... ma non eravamo già al limite con i 14nm ?:rolleyes:

ma ma ma ...... ma non eravamo già al limite con i 14nm ?:rolleyes:

I limiti sono cambiati nel tempo in base alle tecnologie ed ai materiali utilizzati.

Ma per rendere l'idea, a 10 nm i fenomeni quantistici tipo l'effetto tunnel non sono più trascurabili nei "normali" gate, quindi la progettazione deve tener conto di questo (non si tratta più di "classici" FET, ma di roba con accorgimenti per mitigare o sfruttare a proprio vantaggio fenomeni quantistici "parassiti").

Poi un altro limite significativo sono le rese di produzione, per rendere l'idea già nel 2003 la NEC aveva prodotto dei singoli transistor a 5nm e nel 2010 ne era stato prodotto uno composto da solo 7 atomi con una feature size di 4nm, ma da li a podurre un chip complesso e funzionante ce ne passa.

Se parlano di produzione di massa a 7 nm dal 2018, è evidente che stanno già sperimentando oggi quali saranno le tecnologie successive.

Il punto è trovare, tra le varie opzioni, la soluzione sostenibile.

Alla stessa Conferenza, Samsung ha mostrato al pubblico il processo 10 nm Finfet, che si ipotizza disponibile nel 2017.
http://www.gforgames.com/gadgets/samsung-unveils-first-10-nm-finfet-46379/

si leggeva da più parti che ormai la legge di Moore era al capolinea e che tenere il ritmo di un raddoppio di transistor integrati ogni 2 anni sia ormai impossibile, troppi problemi quando si raggiungono i limiti fisici del silicio.

Da questa lettura invece sembra che Intel riesca a mantenere inalterata la famosa legge di Moore per i prossimi 2 / 4 anni, anzi che lo scoglio più grosso è stato il passaggio a 14 nm, dopo sia più facile.
No, è ancora troppo presto per seppellire la legge di Moore. Ma è chiaro che non si può continuare così indefinitamente.
Naturalmente si ammette che i costi sono esorbitanti..
Ancora no: sono da valutare i costi.

Il Vero problema non è tanto la tecnologia usata per usare transistor più piccoli di silicio, e nemmeno il silicio stesso. Sotto i 4/3nm non ci puoi andare con nessun elemento semiconduttore che generalmente hanno atomi grandi intorno al 1/2 nm.
Quindi se vogliamo aumentare la potenza ho adottiamo materiali che permettono di usare frequenze molto più alte senza generare altri problemi, mantenendo la grandezza dei transistor, o tirar fuori qualcos'altro. Il Transistor lo si usa da 50 anni e più, fino ad oggi si ha avuto la capacita di ridurre le dimensioni, di poterli inserire in un circuito integrato, sempre più piccoli e sempre di più dai 10cm ai 10nm. Ma sempre di transistor si è trattato, cioè a livello teorico, il funzionamento a basso livello è sempre stato lo stesso. Occorrerebbe, inventarsi qualcosa completamente nuova.

Il Vero problema non è tanto la tecnologia usata per usare transistor più piccoli di silicio, e nemmeno il silicio stesso. Sotto i 4/3nm non ci puoi andare con nessun elemento semiconduttore che generalmente hanno atomi grandi intorno al 1/2 nm.

Veramente un atomo ha un raggio intorno ai 0,1 nm...

Veramente un atomo ha un raggio intorno ai 0,1 nm...

Sarò ignorante, ma ritengo he un atomo di silicio sia ben più grosso di un atomo di idrogeno.

Sarò ignorante, ma ritengo he un atomo di silicio sia ben più grosso di un atomo di idrogeno.

Ovviamente infatti varia dai 0,05nm dell'idrogeno a circa 0,25nm degli atomi più grossi.