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Il principio di funzionamento delle vecchie valvole termoioniche suggerisce una strada per evolvere la tecnologia dei transistor, che possono così operare a frequenze nell'ordine dei terahertz

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Gran bel articolo!! molto interessante e ricco di particolari!

Fossero tutti così gli articoli di HWU... :)

Congratulazioni dell'articolo! Sei riuscito a tenere un intero laboratorio della facoltà di ingegneria elettronica con gli occhi incollati allo schermo per l'interesse :D

la storiella del Mig e la frase finale sono da premio Pulitzer :D

By(t)e

Eccellente articolo, complimenti!

Fossero tutti così gli articoli di HWU... :)

Basta mettere un filtro al browser che scarti tutte le pagine dove sono presenti allo stesso tempo le parole "hardware upgrade" e "Grasso" :D

bravo, bravo bravo bravo.

la frase finale è fantastica.

Hai contribuito ad innalzare la media degli articoli di HW, ti prego continua cosi.

grazie.

Bell'articolo, molto interessante.
Faccio notare però che agli inizi c'è la frase "..transistor, un componente elettronico a tre terminazioni denominate gate, source e drain.." che non è del tutto corretta. Il BJT (transistor a giunzione bipolare) è un transistor ma non ha gate, source e drain bensì collettore, base ed emettitore....quindi meglio sostituire la parola transistor con la famiglia di riferimento.

Sarà l'ennesimo uovo di Colombo che propongo, ma mi sembra che il futuro integrato costruito con questa tecnologia e quindi immerso in elio a pressione ambientale come indicato nell'articolo, potrebbe trarre ulteriore notevolissimo vantaggio se tale gas fosse rarefatto quanto basta per ottenere i miglioramenti prestazionali voluti. Tanto l'integrato deve essere comunque incapsulato in un miniinvolucro per evitare la dispersione dell'elio, a quel punto prima di sigillare poco costa succhiarne via gas quanto basta, senza necessità di arrivare a rarefazioni estreme, per raggiungere una probabilità di collisione del flusso elettronico con gli ioni di elio bassa quanto si vuole.
Strano non abbiano pensato ad una cosa così banale, a meno che non ci siano motivazioni fisiche o tecnologiche che ostacolino quanto ho detto e che dalle argomentazioni riportate nell'articolo non traspaiono proprio.

Sarà l'ennesimo uovo di Colombo che propongo, ma mi sembra che il futuro integrato costruito con questa tecnologia e quindi immerso in elio a pressione ambientale come indicato nell'articolo, potrebbe trarre ulteriore notevolissimo vantaggio se tale gas fosse rarefatto quanto basta per ottenere i miglioramenti prestazionali voluti. Tanto l'integrato deve essere comunque incapsulato in un miniinvolucro per evitare la dispersione dell'elio, a quel punto prima di sigillare poco costa succhiarne via gas quanto basta, senza necessità di arrivare a rarefazioni estreme, per raggiungere una probabilità di collisione del flusso elettronico con gli ioni di elio bassa quanto si vuole.
Strano non abbiano pensato ad una cosa così banale, a meno che non ci siano motivazioni fisiche o tecnologiche che ostacolino quanto ho detto e che dalle argomentazioni riportate nell'articolo non traspaiono proprio.

La butto lì anch'io come risposta al tuo quesito...
Per mantenere l'elio a pressione ambientale non è necessario il vuoto spinto, basta solo una tenuta ermetica. Quindi si evitano problemi dovuti alla dispersione.
Inoltre il problema della ionizzazione viene risolto utilizzando tensioni ridotte che non permettono al flusso di elettroni di ionizzare l'elio.

Quindi, dato che il vuoto spinto può dar luogo ad inefficienze di tenuta si riempie tutto con elio a pressione ambiente in maniera tale da consentire:
1) Niente vuoto, quindi lo si utilizza come se ci fosse aria, ma...
2) Elio migliore di aria per via del "mean free path" maggiore che consente di mantenere distanze più elevate a parità di collissioni (o collissioni ridotte a parità di distanze)

Letto tutto d'un fiato. Articolo interessantissimo e ben scritto! Complimenti davvero! :)

Ovviamente l'articolo è ottimo, ma c'è una imprecisione all'inizio.
Non tutti i transistor hanno 3 terminali. Anzi, in realtà i MOS (NMOS e PMOS) di terminali ne hanno 4, solo che, spesso, il terminale di substrato viene connesso a quello di source (NMOS) o drain (PMOS).

si sapeva da sempre che il vechcio diodo a vuoto lavorava meglio. il grande vantaggio dei transistor a giunzione era la miniutirizzazione.
anche ora secndo me rimane il problema più grande questo, quanto sono grandi?
è chiaro che se vanno 100 volte più veloci e ne posso mettere 100 volte meno non ho vantaggio e con i transistor normali siamo ormai ai 14nm.
una bella applicazione la vedo già da ora, per la musica ad alto livello. intatti il rumore dovrebbe essere pressocchè nullo, ed è questo che permette le alte frequenze.

Articolo bello e interessante, grazie!, mi ha riportato indietro di 30 anni, agli studi di radio elettronica delle superiori

si sapeva da sempre che il vechcio diodo a vuoto lavorava meglio. il grande vantaggio dei transistor a giunzione era la miniutirizzazione.
anche ora secndo me rimane il problema più grande questo, quanto sono grandi?
è chiaro che se vanno 100 volte più veloci e ne posso mettere 100 volte meno non ho vantaggio e con i transistor normali siamo ormai ai 14nm.
una bella applicazione la vedo già da ora, per la musica ad alto livello. intatti il rumore dovrebbe essere pressocchè nullo, ed è questo che permette le alte frequenze.


ma infatti il primo obbiettivo sembra essere la realizzazione di moduli radio per gestire le trasmissioni ad altissima frequenza più che sostituite i processori.

interessante articolo, però l'elio è un materiale di difficile reperibilità e scarsa disponibilità, è quindi una risorsa finita.

interessante articolo, però l'elio è un materiale di difficile reperibilità e scarsa disponibilità, è quindi una risorsa finita.

LOL l'elio è uno degli elementi più diffusi nell'universo dopo l'idrogeno xD.

Il nostro solo è quasi interamente formato da elio.
Ricorda che gli elementi vanno in ordine di diffusione in base al loro peso atomico, proprio perchè gli elementi più pesanti si sono formati in seguito a fusioni nucleari degli elementi più leggeri.
Poi se il processo di miniaturizzazione è particolarmente elevato non credo che servano grossi quantitativi di elio per fare molti chip.
Se con un palloncino all'elio ci fai migliaia di chip siamo a cavallo xD

Mi sono registrato soltanto per fare i complimenti ad Andrea Bai per il meraviglioso articolo. Questo dovrebbe essere la norma per un sito serio di informatica e tecnologie un po' come era PC Professionale che leggevo quasi 20 anni fa.

LOL l'elio è uno degli elementi più diffusi nell'universo dopo l'idrogeno xD.

Il nostro solo è quasi interamente formato da elio.
Ricorda che gli elementi vanno in ordine di diffusione in base al loro peso atomico, proprio perchè gli elementi più pesanti si sono formati in seguito a fusioni nucleari degli elementi più leggeri.
Poi se il processo di miniaturizzazione è particolarmente elevato non credo che servano grossi quantitativi di elio per fare molti chip.
Se con un palloncino all'elio ci fai migliaia di chip siamo a cavallo xD
nell'universo forse, ma sulla terra...non andiamo a prendere l'elio sul sole! poi dipende se serve qualche isotopo particolare e ad ogni modo mi sembra abbastanza inutile usarlo per riempire palloncini

Tra tutte le ipotesi dei microchip 2.0 credo che questo sia il caso di successo più probabile e più rapido: alla fine credo che il Grafene sostituirà il silicio quando questi nuovi chip saranno già sul mercato.

Originariamente postato da carlottoIIx6:
"una bella applicazione la vedo già da ora, per la musica ad alto livello. intatti il rumore dovrebbe essere pressocchè nullo, ed è questo che permette le alte frequenze".

Ok per le alte frequenza, tuttavia la risposta in frequenza ed il rapporto segnale rumore non bastano per l'HiFi, dove tutti equivocano lo "stereo" per un impianto HiFi. Bisognerebbe far lavorare questi transistor con un adeguato swing di tensione, che è per l'appunto ciò che le valvole CON FACILITA' permettono, mentre i transistor lavorano al contrario in corrente.

per l'affinità presumo si prestino a questo, ma non avendo dati alla mano non so dire. di certo sempre presumo lavorino meglio di quello odierni che hanno sostituito, abbassando il livello, le valvole.

Bisognerà vedere se con queste tecnologie dell'elio si potranno realizzare dei V Fet che in qualche modo possano lavorare in maniera simile (ma presumibilmente non uguale) alle valvole: per l'HiFi probabilente si tratterà di componenti discreti ove venissero adottati per questo tipo di applicazione, non di circuiti integrati che solitamente non permettono, tranne costose eccezioni, adeguate differenze di voltaggio del campo elettrico. Questa tecnologia sembra assai promettente per le applicazioni musicali, sono d'accordo con te, ma non bisogna dire gatto se non l'hai nel sacco. Per ora siamo al laboratorio, non certo in fase di produzione.
non siamo noi i ricercatori, speriamo gli giunca voce ;)

Porca miseria! Beh articolo interessante a pacchi! Vediamo cosa ne viene fuori...Anche se bisogna vedere cosa ne viene fuori con il grafene (se viene superato o meno da questo vacuum).

Domanda, questo tipo di ricerche sulle valvole potrebbero, almeno indirettamente, contribuire pure ad un miglioramento della vita operativa delle stesse in altri sistemi, come ad es. quelli audio?