Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/memorie/samsung-nuove-memorie-emmc-da-64gb_44669.html

L'azienda coreana annuncia l'avvio della produzione delle nuove memorie embedded con processo produttivo di classe 10nm, per dispositivi mobile quali smartphone e tablet

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In aggiunta le velocità di lettura e scrittura sequenziale sono di 20MB al secondo e di 50MB al secondo, ovvero 10 volte più veloci di una memoria esterna classe 10 che legge a 24MB/s e scrive a 12MB/s.


Io direi che lettura è leggermente migliore e scrittura è 4 volte più veloce, che dite?

correggete l'articolo!! GB sono gigabyte mentre Gb sono gigabit...in oltre è scritto 2 volte velocità di scrittura:
"La nuova soluzione di memoria ha una velocità di scrittura casuale di 2000 IOPS e una velocità di scrittura casuale di 5000IOPS"

immagino che 5000 siano IOPS in lettura.

poi mi sembra vogliate fare casino sul concetto di "classe": scrivendo classe 10nm ci possono essere grossi fraintendimenti con la stessa classe 10 delle SD card; evitate questi accostamenti (io stesso ho dovuto rileggere più volte la frase per comprenderne il senso)

l'originale recita:

The new memory solution has a random write speed of 2,000 IOPS (input/output per second) and a random read speed of 5,000 IOPS. In addition, sequential read and write speeds are 260 megabytes per second (MB/s) and 50MB/s respectively, which is up to 10 times faster than a class 10 external memory card that reads at 24MB/s and writes at 12MB/s, Samsung said.

questo risponde ai dubbi qui sopra :)

è effettiavemnte un bel balzo in avanti...e considerando che questo genere di soluzioni sono quelle che si vedono sui tablet arm-powered direi che è stato fatto un altro passo per ridurre il gap tra tablet e pc veri.

Spero di vederne presto in circolazione con SO potenzialmente adatti alla produzione di contenuti (tipo winRT)