2CPU
01-06-2012, 19:26
EDIT: Errore nel titolo, il modello è un acer exstensa 5220 e non un travelmate.
Salve, dovrei effettuare un upgrade della memoria ram del pc riportato nel titolo.
Attualmente il pc monta 2 banchi sodimm ddr2-533mhz da 512mb (uno samsung 5-4-4-11 e uno corsair 4-4-4-12) e fatica molto.
Effettuando un report con aida64 risulta che il northbridge della mobo supporta sino a 2gb max di memoria, e io voglio appunto sfruttare il max di memoria disponibile acquistando 2 banchi sodimm ddr2 da 1gb l'uno.
Il problema consiste nella frequenza della ram che dovrò acquistare.
Non so se scegliere delle ram da 533mhz oppure da 667mhz. Montando quelle da 667mhz posso ottenere dei miglioramenti evidenti nel sistema? Oppure conviene optare per 533mhz?
Per le latenze non so proprio come regolarmi, avete qualche consiglio?
Una cosa strana che ho notato è che il banco samsung ha scritto sull'etichetta: pc2-4200s.
Sinora conoscevo solo la scritta pc2-4200; dovrò optare per delle ram con 4200 o 4200s?
Ecco alcuni dati del report:
Scheda madre:
Proprietà della scheda madre:
ID scheda madre <DMI>
Nome scheda madre Acer Extensa 5220
Proprietà Front Side Bus:
Tipo bus Intel AGTL+
Bus 64 bit
Clock reale 133 MHz (QDR)
Clock effettivo 533 MHz
Larghezza di banda 4266 MB/s
Proprietà bus memoria:
Tipo bus Dual DDR2 SDRAM
Bus 128 bit
Rapporto DRAM:FSB 8:4
Clock reale 267 MHz (DDR)
Clock effettivo 533 MHz
Larghezza di banda 8533 MB/s
--------------------------------
SPD:
[ DIMM1: Samsung M4 70T6554CZ3-CD5 ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Samsung M4 70T6554CZ3-CD5
Numero di serie F6028943h (1133052662)
Data di produzione Settimana 5 / 2007
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo SO-DIMM
Tipo memoria DDR2 SDRAM
Velocità DDR2-533 (266 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 1.8
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 266 MHz 5-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Caratteristiche modulo di memoria:
Analysis Probe Assente
FET Switch External Disattivato
Weak Driver Supportato
Produttore:
Nome società Samsung
[ DIMM3: Corsair Value Select VS512SDS533D2 ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Corsair Value Select VS512SDS533D2
Numero di serie Nessuno
Capacità modulo 512 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo modulo SO-DIMM
Tipo memoria DDR2 SDRAM
Velocità DDR2-533 (266 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 1.8
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Caratteristiche modulo di memoria:
Analysis Probe Assente
FET Switch External Disattivato
Weak Driver Supportato
Produttore:
Nome società Corsair Inc.
---------------------------------------------
Chipset:
[ North Bridge: Intel Crestline-GML GL960 ]
Proprietà del North Bridge:
North Bridge Intel Crestline-GML GL960
Velocità FSB supportate FSB533, FSB667, FSB800
Tipi di memoria supportati DDR2-533, DDR2-667 SDRAM
Quantità di memoria massima disponibile 2 GB
Revisione / Stepping 03 / C0
Tipo package 1299 Pin FC-BGA
Dimensione package 35 mm x 35 mm
Tecnologia processo produttivo 90 nm
Voltaggio core 1.05 V
TDP 13.5 W
In-Order Queue Depth 12
Controller memoria:
Tipo Dual Channel (128 bit)
Modalità attiva Dual Channel (128 bit)
Timing della memoria:
CAS Latency (CL) 4T
RAS To CAS Delay (tRCD) 4T
RAS Precharge (tRP) 4T
RAS Active Time (tRAS) 12T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 28T
RAS To RAS Delay (tRRD) 3T
Read To Precharge Delay (tRTP) 4T
Four Activate Window Delay (tFAW) 14T
Write CAS Latency (tWCL) 3T
Refresh Period (tREF) 7.8 us
Correzione d'errore:
ECC Non supportato
ChipKill ECC Non supportato
RAID Non supportato
ECC Scrubbing Non supportato
Slot di memoria:
Slot DRAM #1 512 MB (DDR2-533 DDR2 SDRAM)
Slot DRAM #2 512 MB (DDR2-533 DDR2 SDRAM)
Salve, dovrei effettuare un upgrade della memoria ram del pc riportato nel titolo.
Attualmente il pc monta 2 banchi sodimm ddr2-533mhz da 512mb (uno samsung 5-4-4-11 e uno corsair 4-4-4-12) e fatica molto.
Effettuando un report con aida64 risulta che il northbridge della mobo supporta sino a 2gb max di memoria, e io voglio appunto sfruttare il max di memoria disponibile acquistando 2 banchi sodimm ddr2 da 1gb l'uno.
Il problema consiste nella frequenza della ram che dovrò acquistare.
Non so se scegliere delle ram da 533mhz oppure da 667mhz. Montando quelle da 667mhz posso ottenere dei miglioramenti evidenti nel sistema? Oppure conviene optare per 533mhz?
Per le latenze non so proprio come regolarmi, avete qualche consiglio?
Una cosa strana che ho notato è che il banco samsung ha scritto sull'etichetta: pc2-4200s.
Sinora conoscevo solo la scritta pc2-4200; dovrò optare per delle ram con 4200 o 4200s?
Ecco alcuni dati del report:
Scheda madre:
Proprietà della scheda madre:
ID scheda madre <DMI>
Nome scheda madre Acer Extensa 5220
Proprietà Front Side Bus:
Tipo bus Intel AGTL+
Bus 64 bit
Clock reale 133 MHz (QDR)
Clock effettivo 533 MHz
Larghezza di banda 4266 MB/s
Proprietà bus memoria:
Tipo bus Dual DDR2 SDRAM
Bus 128 bit
Rapporto DRAM:FSB 8:4
Clock reale 267 MHz (DDR)
Clock effettivo 533 MHz
Larghezza di banda 8533 MB/s
--------------------------------
SPD:
[ DIMM1: Samsung M4 70T6554CZ3-CD5 ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Samsung M4 70T6554CZ3-CD5
Numero di serie F6028943h (1133052662)
Data di produzione Settimana 5 / 2007
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo SO-DIMM
Tipo memoria DDR2 SDRAM
Velocità DDR2-533 (266 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 1.8
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 266 MHz 5-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Caratteristiche modulo di memoria:
Analysis Probe Assente
FET Switch External Disattivato
Weak Driver Supportato
Produttore:
Nome società Samsung
[ DIMM3: Corsair Value Select VS512SDS533D2 ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Corsair Value Select VS512SDS533D2
Numero di serie Nessuno
Capacità modulo 512 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo modulo SO-DIMM
Tipo memoria DDR2 SDRAM
Velocità DDR2-533 (266 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 1.8
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Caratteristiche modulo di memoria:
Analysis Probe Assente
FET Switch External Disattivato
Weak Driver Supportato
Produttore:
Nome società Corsair Inc.
---------------------------------------------
Chipset:
[ North Bridge: Intel Crestline-GML GL960 ]
Proprietà del North Bridge:
North Bridge Intel Crestline-GML GL960
Velocità FSB supportate FSB533, FSB667, FSB800
Tipi di memoria supportati DDR2-533, DDR2-667 SDRAM
Quantità di memoria massima disponibile 2 GB
Revisione / Stepping 03 / C0
Tipo package 1299 Pin FC-BGA
Dimensione package 35 mm x 35 mm
Tecnologia processo produttivo 90 nm
Voltaggio core 1.05 V
TDP 13.5 W
In-Order Queue Depth 12
Controller memoria:
Tipo Dual Channel (128 bit)
Modalità attiva Dual Channel (128 bit)
Timing della memoria:
CAS Latency (CL) 4T
RAS To CAS Delay (tRCD) 4T
RAS Precharge (tRP) 4T
RAS Active Time (tRAS) 12T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 28T
RAS To RAS Delay (tRRD) 3T
Read To Precharge Delay (tRTP) 4T
Four Activate Window Delay (tFAW) 14T
Write CAS Latency (tWCL) 3T
Refresh Period (tREF) 7.8 us
Correzione d'errore:
ECC Non supportato
ChipKill ECC Non supportato
RAID Non supportato
ECC Scrubbing Non supportato
Slot di memoria:
Slot DRAM #1 512 MB (DDR2-533 DDR2 SDRAM)
Slot DRAM #2 512 MB (DDR2-533 DDR2 SDRAM)