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Litografia e-beam più rapida e con risoluzione fino a 9 nanometri grazie ad un progetto di ricerca portato avanti dai ricercatori del MIT

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non credo proprio che da qui a 5-10 anni chicchessia (Intel) potrà permettersi di aprire una fabbrica che stampi con EUV con sorgente a 13.4 nm. Le problematiche legate a questa transizione riguardano tutti i fronti del processo produttivo a partire per esempio dal fatto che va eseguita in UHV, che servono ottiche riflessive (=efficienza disastrosa), che la sorgente (quale? Li, Sn, Xe?) è poco efficiente ed estremamente dannosa.
In pratica vorrebbe dire disfarsi del 100% dell'impianto da riconvertire e ricostruire tutto da capo, anche posto che qualcuno lo sappia fare (non mi risulta).
ritengo sia estremamente più probabile che si scenda a 16 e magari 11 con la vecchia sorgente a 193 mn (ArF) e con gli attuali impianti: la phase-shift marsk ha ancora da dire la sua.