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La North Carolina State University sviluppa un nuovo tipo di transistor che potrebbe consentire l'unificazione di memorie volatili e non-volatili in un unico chip

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ma non doveva uscire il memristore?

10 us a scrittura significa 100Kbps, una miseria... per poter lavorare alla velocita' di una vera memoria RAM servirebbero oltre 1000 chip in parallelo....

bah, di nuovi prodotti rivoluzionari se ne sente parlare ogni giorno, pero` effettivamente sono pochi quelli che poi entrano in commercio, aspetteremo qua pazientemente

10 us a scrittura significa 100Kbps, una miseria... per poter lavorare alla velocita' di una vera memoria RAM servirebbero oltre 1000 chip in parallelo....

da quello che ho capito io è la velocità del singolo transistor... quindi il problema di averne tanti in parallelo secondo me non si pone! ;)

Ma non c'è anche HP che sta sviluppando una cosa simile?in teoria doveva avviare la produzione nel 2013..

hp sta sviluppando una memoria basata su memristori che è una bestia totalmente differente

10nS sono come una memoria DDR non è male per essere una tecnica di partenza e non ottimizzata

ma non doveva uscire il memristore?
Quoto

Riusciranno a mantenere la velocita' e soprattutto la longevita'?

Non lo so con certezza ma credo che la ram non abbia nemmeno cicli di scrittura come potrebbero averlo delle memorie flash.

Avrei preferito che la Gigabyte continuasse a sviluppare meglio il suo iRam, che come idea non era male.

Scusate ma non riesco proprio a capire questa frase: "... tempo di scrittura di 50ns per lo stato 1 e di 10µs per lo stato 0 quando opera in qualità di memoria non volatile, mentre il tempo di scrittura in modalità non-volatile è accreditato essere di 10-30 µs."

1. Mi definite "operare in qualità di memoria non volatile"?
2. In modalità non volatile ci mette 10µs o 10-30µs in scrittura? Ci sono due informazioni diverse sul tempo in scrittura sulla stessa modalità, o sbaglio a capire la frase?

Scusate ma non riesco proprio a capire questa frase: "... tempo di scrittura di 50ns per lo stato 1 e di 10µs per lo stato 0 quando opera in qualità di memoria non volatile, mentre il tempo di scrittura in modalità non-volatile è accreditato essere di 10-30 µs."

1. Mi definite "operare in qualità di memoria non volatile"?
2. In modalità non volatile ci mette 10µs o 10-30µs in scrittura? Ci sono due informazioni diverse sul tempo in scrittura sulla stessa modalità, o sbaglio a capire la frase?

1. Cioè quando il componente è usato come memoria non volatile, cioè quando una volta scritti i dati questi si possono recuperare anche dopo aver tolto e ridato corrente (detta molto in parole povere). La volatile è il contrario, per capirci meglio, quando non è più alimentata si perdono i dati (come la RAM).

2. Probabilmente c'è un errore

A me e' venuta in mente anche un'altra cosa: utilita'? Evitare di perdere il proprio lavoro se salta la corrente?