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Big Blue avrebbe qualche ritardo nell'aggiornamento di una linea produttiva per la fornitura di soluzioni FeRAM a Ramtron

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ma perche' produrre chip a 180 nanometri quando si potrebbero produrre con processi produttivi molto piu avanzati?

Non tutto viene bene a processi piu' avanzati.
La logica digitale si', ma altre cose no -- circuiti analogici e memorie sono due cose che e' scalano male.
Inoltre, usare nodi piu' vecchi e' molto piu' economico.

ma perche' produrre chip a 180 nanometri quando si potrebbero produrre con processi produttivi molto piu avanzati?

Probabilmente il processo non è ancora affinato per poter scendere a miniaturizzazioni superiori.
Trattandosi di Ferro, la sua conduzione potrebbe creare problemi con l'avvicinarsi degli elementi?

Oltretutto si parla dei primi prodotti, quelli in cui si fanno alcuni test... non quelli che andranno in commercio e quindi devi farne tante e puntare anche alle prestazioni.

le Feram sono costituite da un unico elemento che funziona come un condensatore, ma essendo in ferro potrebbe avere una differente soglia di energia minima rispetto ai condensatori che si usano sulle DRAM e nelle flash, quindi mignaturizzando gli effetti potrebbero essere diversi.
fatto sta' che anche a 180nm, essendo composte da un unico elemento per cella, hai comunque il doppio di densita' rispetto alle DRAM, e visto che non soffrono dispersioni possono essere accostati molto di piu' (in un elemento DRAM solo 1/3 dello spazio di una cella e' occupato da elementi attivi, i 2/3 restanti servono come isolante).
i vantaggi energetici sono comunque enormi rispetto alle DRAM (non esiste refresch, come nelle flash), e rispetto alle flash ( sono veloci quasi quanto le DRAM), e oltretutto permettono stati operativi a "zero spesa energetica" per i device che utilizzano standby avanzati ma che devono rimanere accesi sempre e comunque per non cancellare i dati dalla ram (come negli smartphone e nei PDA in genere)... il confronto e' notevolmente a favore delle FeRam, visto che non hanno bisogno minimamente di avere il refresh ogni tot cicli.

se non le miniaturizzano probabilmente e' dovuto al fatto che hanno problemi nell'ottenere una carica consistente nella singola cella.

Probabilmente il processo non è ancora affinato per poter scendere a miniaturizzazioni superiori.
Trattandosi di Ferro, la sua conduzione potrebbe creare problemi con l'avvicinarsi degli elementi?

La maggior parte dei materiali ferroelettrici non contiene ferro.

FeRAM significa "RAM ferroelettrica", nel senso che sfrutta un fenomeno ferroelettrico (chiamato così perché è un fenomeno di isteresi elettrica che sotto vari aspetti è l'analogo elettrico del ferromagnetismo che invece è un fenomeno di isteresi magnetica).

Infatti il primo materiale ferroelettrico noto è stato il "sale di Rochelle" (tartrato di sodio e potassio).
Nei chip se non sbaglio si usa il titanato di piombo e zirconio.

Uno dei motivi per cui si usano fab "vecchie" è che la maggior parte dei materiali ferroelettrici contaminano in modo grave le fab.

Nel senso che dopo che hai usato un impianto per produrre FeRAM poi devi decontaminare in modo pesante la fab se vuoi ritornare a produrre chip cmos e simili (sostituire completamente parti dei macchinari troppo contaminate, "neutralizzare" le tracce contaminanti disperse nell'ambiente degli edifici ecc. ecc.).

In pratica dopo aver prodotto una volta FeRAM, i macchinari e le clean room utilizzate sono praticamente buone solo per produrre altre FeRAM.

Inoltre che io sappia non è ancora chiaro quanto i circuiti FeRAM siano scalabili, dal punto di vista economico sarebbe quindi rischiosissimo usare un impianto "nuovo".

Per questo stanno usando impianti "vecchi" a tecnologia 180nm.