Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/business/processo-a-20-nanometri-per-tsmc-nel-2012_32252.html

TSMC annuncia di voler saltare il processo a 22 nanometri, dedicandosi allo sviluppo del nodo successivo a 20 nanometri. Produzione iniziale nella seconda metà del 2012

Click sul link per visualizzare la notizia.

Il 21/12/2012 debutterà la nuova gpu "Von Braun" da 6B di transitor a 20 nm, 1500SP, pci-e 3.0 e TDP 450W

Invece a mè la cosa fà un pò ridere, fino a ieri avevano problemi e hanno tutt'ora con i 45nm....
questi mò parlano già dei 20 :mbe:

Infatti, hanno ancora problemi di resa a 40nm, i 32nm li saltano, 28nm.... un giorno li faranno e mi vogliono far credre che nel 2012 .. .
AH ho capito nel 2012 ci penseranno se e quando faranno i 20nm

cioè andranno avanti con i 40nm fino al 2013 inoltrato? poi si vedranno i primi prodotti a 28nm nel mercato mainstream? sono folgorati questi

be secondo me preferiscono investire tutto su una ''tecnologia''(no è il termine corretto ma...)che avrà vita x diversi anni e non una sola stagione che ogni anno cambiare tecnologia perdendo in parte gli investimenti fatti su quella vecchia..cioè intendo mejo puntare tutto sui 20(e mantenerla x 2/3 anni)piuttosto che 2011 32nm, 2012 28nm,2013 25nm 2014 22nm 2015 20nm 2016 15nm ecc...

be secondo me preferiscono investire tutto su una ''tecnologia''(no è il termine corretto ma...)che avrà vita x diversi anni e non una sola stagione che ogni anno cambiare tecnologia perdendo in parte gli investimenti fatti su quella vecchia..cioè intendo mejo puntare tutto sui 20(e mantenerla x 2/3 anni)piuttosto che 2011 32nm, 2012 28nm,2013 25nm 2014 22nm 2015 20nm 2016 15nm ecc...

Guardandola da questo punti di vista mi viene da chiedermi, però, perché non passano direttamente ai 10nm (attualmente limite fisico, se non ricordo male) così da avere poi parecchi anni per lavorare sui memristor (che, dalla news di qualche giorno fa, sembra che partiranno dai 2nm)... :boh:

Il 21/12/2012 debutterà la nuova gpu "Von Braun" da 6B di transitor a 20 nm, 1500SP, pci-e 3.0 e TDP 450W

Sono morto quando l'ho letto MhAHAuahuA :D :D :D

@ elevul
si vabbe mo non esageriamo!! ok bruciare una o 2 tappe..ma se ne bruciano troppe succede che rimarrebbero troppo ferme in futuro..il che x loro sarebbe controproducente..anche perche quando raggiungeranno il limite che il silicio puo permettere al massimo o cambiano materiale con conseguente cambio di tecnologia/architettura ecc oppure falliscono...x questo motivo: perche l'utente dovrebbe cambiare un processore con uno di pari prestazioni??

@ elevul
si vabbe mo non esageriamo!! ok bruciare una o 2 tappe..ma se ne bruciano troppe succede che rimarrebbero troppo ferme in futuro..il che x loro sarebbe controproducente..anche perche quando raggiungeranno il limite che il silicio puo permettere al massimo o cambiano materiale con conseguente cambio di tecnologia/architettura ecc oppure falliscono...x questo motivo: perche l'utente dovrebbe cambiare un processore con uno di pari prestazioni??

Appunto perché il silicio ha un limite conosciuto che dicevo che dovrebbero andare direttamente al suo limite ed investire i soldi in altri materiali, invece di continuare a cambiare i macchinari per guadagnare 2nm alla volta... :asd:

ho cercato su google e su wikipedia ma non sono riuscito a trovare nulla...qualcuno mi saprebbe dare la definizione di Gate?

Guardandola da questo punti di vista mi viene da chiedermi, però, perché non passano direttamente ai 10nm (attualmente limite fisico, se non ricordo male) così da avere poi parecchi anni per lavorare sui memristor (che, dalla news di qualche giorno fa, sembra che partiranno dai 2nm)... :boh:

Economicamente che senso ha andare direttamente ai 10nm? Se poi non riescono a trovare in tempi brevi altri metodi che fanno ce li propinano per 10 anni?

Ragazzi, ma cosa c'è dopo l'1 nm??

Ma ci serve veramente tutto questo??

Consiglierei a tutti di vedere www.thestoryofstuff.com ... meditate gente, meditate! ;)

ho cercato su google e su wikipedia ma non sono riuscito a trovare nulla...qualcuno mi saprebbe dare la definizione di Gate?

Il gate è uno dei quattro terminali del transistore MOS, il componente principale dei circuiti digitali odierni. Se sai qualcosa di circuiti elettrici, intuitivamente il transistore MOS è un condensatore asimmetrico. Una delle due armature (il gate appunto) è una normale superficie di metallo, l'altra armatura è invece uno strato di semiconduttore; le due armature sono separate da un sottilissimo strato di un materiale dielettrico, ad esempio SiO2 (praticamente vetro purissimo). Quando si mette il gate a un certo potenziale rispetto al substrato di semiconduttore, si "attira" della carica dal semiconduttore in una zona molto stretta detta canale vicino al dielettrico: in questo stato il transistor è acceso ed è possibile fare scorrere corrente fra altri due terminali collegati ai due lati del canale (detti source e drain); quando invece la tensione non è sufficientemente alta il transistor è spento. Per qualche altro dettaglio, guarda qui: http://it.wikipedia.org/wiki/MOSFET . Ad ogni modo nell'articolo con la dizione "high-k metal gate" si intende, se non sbaglio, un gate costituito di metallo (altre volte è un semiconduttore anch'esso) su un dielettrico ad alta costante dielettrica.

Tornando in-topic, non è proprio possibile passare adesso a un processo, che so, a 10 nm: il "limite" del silicio di cui si parla è un limite teorico; ora come ora probabilmente molti dei problemi che si pongono lavorando su quella scala sono irrisolti e necessitano ancora di molte (costose) ricerche per essere risolti (ricordo che il mio docente di microelettronica fece vedere una slide su questo argomento a lezione, ma non ricordo da dove provenisse, forse da qui http://www.itrs.net/). I produttori di semiconduttori lavorano per step ben definiti proprio per ridurre al minimo i (comunque enormi) costi di ricerca, sviluppo e produzione; se così non fosse, nessuna azienda riuscirebbe a portare avanti da sola uno step molto avanti nel tempo, non senza rese bassissimi e dunque senza fallire...

I memristori che qualcuno tirava in ballo invece c'entrano poco: pare che siano producibili con dimensionamenti dell'ordine dei 2 nm, ma essendo dispositivi del tutto nuovi e diversi dai transistori MOS necessitano sicuramente ancora di molte ricerche prima di essere effettivamente utilizzabili.

Ragazzi, ma cosa c'è dopo l'1 nm??

Ma ci serve veramente tutto questo??

Consiglierei a tutti di vedere www.thestoryofstuff.com ... meditate gente, meditate! ;)

Non ho letto il tuo link, ma oggi come oggi la risposta è: l'intera industria elettronica si basa anche economicamente sulla "previsione/teoria/profezia/legge" di Moore che prevede una crescita esponenziale del numero di transistor per area di chip. Oggi ci stiamo quasi certamente avvicinando ad un limite di validità di tale legge, dopodiché le aziende elettroniche dovranno inventarsi (in parte lo stanno già facendo, vedi memristori) qualcosa di nuovo per non fallire. Personalmente anch'io trovo questo sviluppo un po' troppo frenetico, ma è un treno che difficilmente si può fermare finché non si raggiungono i limiti fisici (ma non manca tanto eh).

Se vuoi una risposta più naif... senza tutto questo non potresti scrivere su HWUpgrade :D

xchè invece nelle cpu si va al 32nm senza bruciare tappe?

Vedo che TSMC si da al marketing...

facile dire a fine 2012 produrremo a 20 nano... nel 2012 moriremo tutti....

basta che studi elettronica e te lo spiegano! :D
Il gate è il canale del transistore che permette di far fluire la corrente elettrica dal Drain al Source (apri/chiudi il rubinetto). Il Gate è la manopola (esempio idraulico :)
nei transistori di ultima generazione (FET) sono ovviamente pilotati in tensione.