cosa riduce la vita del procio? v-core o temperature?

[Faster_Fox]

ragazzi volevo sapere quali di questi 2 fattori potrebbe ridurre la vita del mio procio....è un 3800x2, che non scalda una mazza e conto di poter tenere a 1.4750 a 2800mhz in daily...

allora cosa dite??


garzie e ciao!!!

[M@verick]

ragazzi volevo sapere quali di questi 2 fattori potrebbe ridurre la vita del mio procio....è un 3800x2, che non scalda una mazza e conto di poter tenere a 1.4750 a 2800mhz in daily...

allora cosa dite??


garzie e ciao!!!
Entrambi.

Le temperature contano quando diventano alte oltre le specifiche (non so quali siano quelle della tua cpu)... alzare il vcore accorcia sempre la vita della cpu, ma, purchè si rimanga entro valori accettabili, potrebbe farlo in maniera minima :)

[Faster_Fox]

1.4250v come sono per un 3800+ a 2700mhz che non supera mai i 50°?

[squall_seed]

Entrambi.

Le temperature contano quando diventano alte oltre le specifiche (non so quali siano quelle della tua cpu)... alzare il vcore accorcia sempre la vita della cpu, ma, purchè si rimanga entro valori accettabili, potrebbe farlo in maniera minima :)


Non è ASSOLUTAMENTE VERO, prima di rispondere ed aprire bocca se non siete esperti o laureati almeno infomatevi perchè oltre a MANIFESTARE la proprio ignoranza fuorviate anche le persone MENO ESPERTE che vengono qui a chiedere pareri e consigli (quindi doppio motivo per informarsi o tacere).

L'UNICA COSA CHE ACCORCA LA VITA DELLA CPU E' LA TEMPERATURA, il vcore non centra nulla o meglio centra in modo indiretto PROPRIO PERCHE IN GENERE AUMENTANDO IL VCORE AUMENTA LA TEMPERATURA.

Ti riporto una citazione da un mio post precedente (quindi bastava fare una ricerca invece di una domanda per cose gia ampiamente spiegate e discusse ma la pigrizia spesso troneggia.....

Elettromigrazione in un chip
Un overclock aumenta la frequenza di funzionamento del componente interessato aumentandone proporzionalmente la resistenza: per ovviare al fenomeno che ne conseguirebbe (soglie di tensione troppo basse per attivare ad esempio i passaggi di stato dei transistor utilizzati nel chip), si usa aumentare la tensione di alimentazione del componente con un procedimento denominato Overvolt.
Inevitabilmente la potenza globale utilizzata dal componente si innalza con conseguente innalzamento della energia termica generata e quindi della temperatura: ed è proprio l'innalzarsi della temperatura il fattore scatenante di una elettromigrazione. Di solito il fenomeno si manifesta in modo repentino ed il risultato è un chip non più funzionante ne tanto meno recuperabile.
In poche parole l’ettromigrazione e conseguenza dell’aumento di energia termica alias AUMENTO DI TEMPERATURA, quindi si verifica per l’aumento di temperatura (che PUO essere associato ad un overcore ma non e detto che lo sia se mi preoccupo di raffreddare il chip) E NON L’OVERCORE IN SE PER SE.
esempio 1 – voltaggio 1,3v temperatura 80 gradi posso avere elettromigrazione;
esempio 2 – voltaggio 1.55v temperatura 50 gradi NON HO ELETTROMIGRAZIONE

PS ovviamente se si attacca una cpu a 50V la friggete ma è un altro discorso... qui si condidera gli aumementi ovverti dalle sk madri che sono in genere dell'ordine di max 0,5 V

[Faster_Fox]

ciao grazie mille per il chiarimento :D

ps: la tua discussione o il tuo post, non c'è nè nei theard importanti nè nelle discussioni in rilievo, e facendo una ricerca per parole chiave escono molti risultati e sinceramente non mi andava di leggere tutte le discussioni......

[michelgaetano]

Non è ASSOLUTAMENTE VERO, prima di rispondere ed aprire bocca se non siete esperti o laureati almeno infomatevi perchè oltre a MANIFESTARE la proprio ignoranza fuorviate anche le persone MENO ESPERTE che vengono qui a chiedere pareri e consigli (quindi doppio motivo per informarsi o tacere).



M@verick non ha detto castronerie, e non mi sembra si debba essere laureati per capire che un vcore maggiore porta a temperature maggiori.

Perchè scaldarsi così tanto.

[predator87]

va beh, in questo forum si scaldano tutti facilmente... MENO PROFESSORI LAUREATI E MENO ASTIO, GRAZIE. d'altra parte siamo tutti qui per scambiarci opinioni no?

[Faster_Fox]

M@verick non ha detto castronerie, e non mi sembra si debba essere laureati per capire che un vcore maggiore porta a temperature maggiori.

Perchè scaldarsi così tanto.

quindi.....in definitiva è come ha detto squall_seed?
è la temp che killa la cpu?
lo so che con v-vore più alti aumenta la temperatura, ma se raffreddo tutto a dovere, e non supero temp. di 50° dovrebbe andare tutto ok?


ps: dai su....non ci arrabbiamo, siamo tutti amici, e come ha detto predator87 siamo qui per scambiarci opinioni :stordita: ;)

[Nemesis2]

Proprio a riguardo dei Penryn recenti, che si sono dimostrati piuttosto delicati, si è dimostrato che entrambi i fattori contano, ma relativamente.

La temperatura infatti ha dato evidenti e notevoli risultati di maggior danneggiamento.

Questo è la tua risposta.

Spero.

[Faster_Fox]

Proprio a riguardo dei Penryn recenti, che si sono dimostrati piuttosto delicati, si è dimostrato che entrambi i fattori contano, ma relativamente.

La temperatura infatti ha dato evidenti e notevoli risultati di maggior danneggiamento.

Questo è la tua risposta.



bhè.....allora siamo quasi sicuri che è la temperatura ad essere il fattore determinante.....è naturale che v-core e temperature sono direttamente proporzionali, ma se raffreddiamo il tutto per bene il procio non dovrebbe risentirne (la bolletta si :Prrr: )
Spero.
spero solo tu abbia una laurea......:p

[blade9722]

Non è ASSOLUTAMENTE VERO, prima di rispondere ed aprire bocca se non siete esperti o laureati almeno infomatevi perchè oltre a MANIFESTARE la proprio ignoranza fuorviate anche le persone MENO ESPERTE che vengono qui a chiedere pareri e consigli (quindi doppio motivo per informarsi o tacere).

L'UNICA COSA CHE ACCORCA LA VITA DELLA CPU E' LA TEMPERATURA, il vcore non centra nulla o meglio centra in modo indiretto PROPRIO PERCHE IN GENERE AUMENTANDO IL VCORE AUMENTA LA TEMPERATURA.

Ti riporto una citazione da un mio post precedente (quindi bastava fare una ricerca invece di una domanda per cose gia ampiamente spiegate e discusse ma la pigrizia spesso troneggia.....

Elettromigrazione in un chip
Un overclock aumenta la frequenza di funzionamento del componente interessato aumentandone proporzionalmente la resistenza: per ovviare al fenomeno che ne conseguirebbe (soglie di tensione troppo basse per attivare ad esempio i passaggi di stato dei transistor utilizzati nel chip), si usa aumentare la tensione di alimentazione del componente con un procedimento denominato Overvolt.
Inevitabilmente la potenza globale utilizzata dal componente si innalza con conseguente innalzamento della energia termica generata e quindi della temperatura: ed è proprio l'innalzarsi della temperatura il fattore scatenante di una elettromigrazione. Di solito il fenomeno si manifesta in modo repentino ed il risultato è un chip non più funzionante ne tanto meno recuperabile.
In poche parole l’ettromigrazione e conseguenza dell’aumento di energia termica alias AUMENTO DI TEMPERATURA, quindi si verifica per l’aumento di temperatura (che PUO essere associato ad un overcore ma non e detto che lo sia se mi preoccupo di raffreddare il chip) E NON L’OVERCORE IN SE PER SE.
esempio 1 – voltaggio 1,3v temperatura 80 gradi posso avere elettromigrazione;
esempio 2 – voltaggio 1.55v temperatura 50 gradi NON HO ELETTROMIGRAZIONE

PS ovviamente se si attacca una cpu a 50V la friggete ma è un altro discorso... qui si condidera gli aumementi ovverti dalle sk madri che sono in genere dell'ordine di max 0,5 V


Ci sarebbe un piccolo particolare: io, oltre ad essere laureato in ingegneria elettronica (che potrebbe anche essere poco rilevante, visto che ciò che sto per raccontare l'ho imparato al lavoro), da dieci anni mi guadagno da vivere progettando circuiti integrati, e i meccanismi di degradazione del silicio mi sono ben chiari, visto che è mio compito assicurare la qualifica dei dispositivi che progetto. E nel caso un progetto dovesse fallire le prove vita, non mi posso certo giustificare indicando il link di una pagina web...

L'elettromigrazione è l'unico fenomeno citato nella letteratura non specializzata, (quella dei "non laureati" tanto per intenderci), probabilmente perchè è stato il primo ad essere scoperto e quindi il più conosciuto. Causa un progressivo aumento della resistività delle metallizzazioni ed ha una dipendenza esponenziale dalla temperatura, che fa si che sia trascurabile a temperature inferiori a 100C. E' il principale fenomeno di degradazione nei circuiti ad alta densità di corrente (intorno ai 3-10A/mm^2), cioè i circuiti di potenza. Nelle CPU e le GPU, che hanno densità di corrente inferiori di circa un ordine di grandezza (siamo intorno ai 300-500mA/mm^2: consumano tanto, ma sono, in termini di silicio, grandi come la piazza rossa), l'elettromigrazione non è il principale fenomeno di degradazione.

Per contro, le tecnologie integrate a bassissima lunghezza di canale sono caratterizzate da campi elettrici (pari a Vcore/Lchannel) molto elevati, e questo fa salire in cattedra un altro fenomeno di degradazione, assai meno conosciuto: l'iniezione di carica nell'ossido per elettroni caldi. Tale fenomeno, che comporta una progressiva variazione della soglia di un transitor, fino al punto che questo non commuterà più, pregiudicando quindi il funzionamento del dispositivo, dipende da:

- dalla tensione in maniera esponenziale, cioè potresti non avere problemi a 1.6V, ed un disastro a 1.8V
- dalla corrente in maniera lineare

Non dipende in maniera significativa dalla temperatura, di fatto potresti rovinare una CPU per elettroni caldi pur mantenendola a -10C.


Quindi, la mia personale opinione, è che tu ti sia allineato con l'atteggiamento che hai denunciato.

Poi, in generale, la temperatura accelera l'invecchiamento del silicio, anche in assenza di fenomeni di degradazione rilevanti, ma stiamo parlando di orizzonti temporali ben superiori all'utilizzo medio di una CPU-GPU.

[Nemesis2]

spero solo tu abbia una laurea......:p

Edit lasciamo perdere!

[blade9722]

Adoro i provocatori quando non servono, cmq sì... ing. mec., che nulla c'entra... ma a domanda.
Ora stoppiamola con gli atteggiamenti da presuntosi.

Secondo me Faster Fox non stava provocando te, ma qualcun altro....

[Nemesis2]

Blade, massima stima per quanto hai scritto ho letto con grandissimo interesse, ma non ci ho capito molto. Insomma tu che dici? Che i test che ho visto erano sballati?


Fammi un piacere editami il quote, non ne vale la pena di entrare in quel gioco di vantarsi! :D :D


Grazie, leggo volentieri altro, magari avessi le basi per capire.

[Capellone]

1.4250v come sono per un 3800+ a 2700mhz che non supera mai i 50°?
va bene, tanto cesserai di usarlo per obsolescenza mooolto prima che si usuri

Perchè scaldarsi così tanto.
Avrà esagerato con l'overvolt? :asd:

e datevi tutti una calmata, si sta parlando di un pezzetto di silicio non della vita di una persona :D

[blade9722]

Blade, massima stima per quanto hai scritto ho letto con grandissimo interesse, ma non ci ho capito molto. Insomma tu che dici? Che i test che ho visto erano sballati?


Fammi un piacere editami il quote, non ne vale la pena di entrare in quel gioco di vantarsi! :D :D


Grazie, leggo volentieri altro, magari avessi le basi per capire.

Dunque, in genere evito di postare in questi thread e mi limito a dare un'occhiata alle osservazioni che ne risultano, in quanto ho imparato che con interventi come quello di oggi raccolgo scetticismo nella migliore delle ipotesi, più spesso insulti.

Nel caso specifico, dal modo in cui si è posto Squall_seed (Final Fantasy?) mi sarei aspettato qualcosa in più che non il discorso sull'elettromigrazione. Per intervenire, ho dovuto dare un minimo di referenze sull'origine delle mie informazioni, altrimenti mi sarei beccato la solita risposta "dammi il link".

Ora non so a quali test tu ti riferisca, io mi sono limitato a descrivere le cause di "degradazioni", quelle per cui uno può riscontrare malfunzionamenti dopo mesi di utilizzo. In passato, mi ricordo che qualcuno con il Northwood era cascato nella "trappola": primi step di produzione, l'utente ha allegramente overvoltato, ritenendosi in un ventre materno per via delle generose dimensioni del dissipatore, e dopo mesi si è ritrovato...:cry: :cry: :cry: pianto e stridor di denti.

Se però fai riferimento a test in cui si sono rilevate rotture in tempi brevi (ore o giorni), allora non siamo più in presenza di fenomeni di degradazione, ma dei cosiddetti "catastrofici". E in questo caso è difficile interpretare i dati, se si tratta di rotture di tipo zener (tipiche per tensioni inferiori a 5V), queste sono favorite dalla temperatura. E comunque, nel caso di fenomeni catastrofici spesso è un innalzamento repentino in una zona molto piccola, e ben circoscritta, del silicio a causare il danno permanente, per cui una temperatura più elevata può favorire il sinistro.

Però si tratta di operazioni maldestre, fermo restando che spesso nemmeno il progettista conosce il limite preciso fra il "sicuro", il "degrado" e il "patatrac". Operativamente, una soglia molto cautelativa del sicuro ti viene indicata da chi sviluppa la tecnologia, mentre il patatrac lo verifichi subito: alimenti il dispositivo, e innalzi la tensione fino a quando non fa un carpiato.

[Nemesis2]

Io lo dico che con il metallo in dimensioni macroscopiche si è ben più nella certezza, per quanto di fatto funzioni allo stesso modo.

Grazie, almeno mettiamo la parola certezza al fatto che overvolt e overtemp danneggiano di fatto l'hw e che cmq dopo mesi di funzionamento fuori specifica questo si danneggia.

Grazie.

[squall_seed]

Ci sarebbe un piccolo particolare: io, oltre ad essere laureato in ingegneria elettronica (che potrebbe anche essere poco rilevante, visto che ciò che sto per raccontare l'ho imparato al lavoro), da dieci anni mi guadagno da vivere progettando circuiti integrati, e i meccanismi di degradazione del silicio mi sono ben chiari, visto che è mio compito assicurare la qualifica dei dispositivi che progetto. E nel caso un progetto dovesse fallire le prove vita, non mi posso certo giustificare indicando il link di una pagina web...

L'elettromigrazione è l'unico fenomeno citato nella letteratura non specializzata, (quella dei "non laureati" tanto per intenderci), probabilmente perchè è stato il primo ad essere scoperto e quindi il più conosciuto. Causa un progressivo aumento della resistività delle metallizzazioni ed ha una dipendenza esponenziale dalla temperatura, che fa si che sia trascurabile a temperature inferiori a 100C. E' il principale fenomeno di degradazione nei circuiti ad alta densità di corrente (intorno ai 3-10A/mm^2), cioè i circuiti di potenza. Nelle CPU e le GPU, che hanno densità di corrente inferiori di circa un ordine di grandezza (siamo intorno ai 300-500mA/mm^2: consumano tanto, ma sono, in termini di silicio, grandi come la piazza rossa), l'elettromigrazione non è il principale fenomeno di degradazione.


Per contro, le tecnologie integrate a bassissima lunghezza di canale sono caratterizzate da campi elettrici (pari a Vcore/Lchannel) molto elevati, e questo fa salire in cattedra un altro fenomeno di degradazione, assai meno conosciuto: l'iniezione di carica nell'ossido per elettroni caldi. Tale fenomeno, che comporta una progressiva variazione della soglia di un transitor, fino al punto che questo non commuterà più, pregiudicando quindi il funzionamento del dispositivo, dipende da:

- dalla tensione in maniera esponenziale, cioè potresti non avere problemi a 1.6V, ed un disastro a 1.8V
- dalla corrente in maniera lineare

Non dipende in maniera significativa dalla temperatura, di fatto potresti rovinare una CPU per elettroni caldi pur mantenendola a -10C.


Quindi, la mia personale opinione, è che tu ti sia allineato con l'atteggiamento che hai denunciato.

Poi, in generale, la temperatura accelera l'invecchiamento del silicio, anche in assenza di fenomeni di degradazione rilevanti, ma stiamo parlando di orizzonti temporali ben superiori all'utilizzo medio di una CPU-GPU.

IO SONO ALLINEATO CON QUELLO CHE SCRIVO.... mi hai citato un fenomeno vero che non si manifesta nel caso esaminato...... vogliamo metterci a parlare di buchi neri, scie chimiche o della fine del mondo nel 2012 secondo i maya????? Cosa centra?


Bhe io sono laureato in chimica con lode, ho 5 attestati di informatica tra cui gestione reti, programmazione in C e qualifica di tecnico hardware e tante altre cose che non so qua a scrivere (e non sto a dirti dove lavoro sappi solo che è un centro di ricerca a livello mondiale dove si lavora sopratutto sulle nanotecnologie) ma non mi sembra il caso di venire qui a proporre il proprio curriculum.

Non mi metto se non è necessario a postare formule e calcoli fisici/matematici, meglio rimanere sul semplice non tutti riescono a seguire.
Ho citato l'elettromigrazione come maggior resposabile ed è un fenomeno puramente legato alla temperatura, ovviamente essendo il chip delicato con miliardi di transistor microscopici ecc. e normale che un forte sbalzo di tensione o tensioni alte sopra gli 1.8 possano danneggiarlo per altri motivi

INFATTI AVEVO AGGIUNTO SE SI METTE A 50V (PER ASSURDO) OVVIAMENTE FRIGGE PER ALTRI MOTIVI...

ma non intendevo divagare visto che ad esempio le schede per intel core duo consentono di raggiungere al max 1.68v reali e come hai detto tu stesso al di sotto della soglia in cui i fenomeni elettrici possano essere maggiori responsabili di danni rispetto alla temperatura.

Insomma, intedevo dire sommariamente che entro quei range la temperatura è sicuramente la responsabile principale delle rotture di una cpu

se si considerano voltaggi maggiori (ma è un problema remoto per l'utente medio visto che le skede non li permettono a meno che non modifichi l'alimentazione della cpu, cosa che ad esempio io so farmi ma ritengo inutile su una sk madre mentre è utile ad esempio per le PS2 dove quando ho fatto la modifica ho cambiato l'alimentazione standard a 12v del lettore a 5v per evitare la rottura della lente... ma non stiamo qua a vantarci..) allora potrebbero intervenire altre cause ma non è questo il caso (di cpu ad uso domestico senza particolari modifiche.

Infine non credo che nessuno spinga al voltaggio massimo cioe 1.68v in genere per oveclock pesanti non si va oltre 1.55 (parlo sempre dei core duo).

PS: squall_seed da final fantasy 8

[Faster_Fox]

ok, grazie, più o meno ho capito :) (il sottoscritto ha 17 anni.....:bimbo: )
diciamo che il problema "non si pone"(a meno che casi già citati di overvolt spropositati e temperature troppo alte) visto che oggi come oggi, tutti lo sappiamo, il mercato informatico è molto frenetico, e le cpu cambiano molto velocemente (da poco ho letto dei proci a 6 core :rolleyes: ). Quindi, a meno che uno non usi il procio per molto tempo (superiamo la soglia dei 3 anni?) questo non si dovrebbe deteriorare a tal punto da dover dare problemi e conseguenti malfunzionamenti.


@Nemesis87:
la mia non era una provocazione verso te ;)

ps: Sono molto felice che abbiate arricchito la discussione con ragionamenti tecnici e roba scentifica, a volte sul forum se ne sente la mancanza
questo può aiutare, spero, tutti quelli che ne avranno bisogno, e che si porranno la stessa mia domanda.....

[Thunderx]

Ci sarebbe un piccolo particolare: io, oltre ad essere laureato in ingegneria elettronica (che potrebbe anche essere poco rilevante, visto che ciò che sto per raccontare l'ho imparato al lavoro), da dieci anni mi guadagno da vivere progettando circuiti integrati, e i meccanismi di degradazione del silicio mi sono ben chiari, visto che è mio compito assicurare la qualifica dei dispositivi che progetto. E nel caso un progetto dovesse fallire le prove vita, non mi posso certo giustificare indicando il link di una pagina web...

L'elettromigrazione è l'unico fenomeno citato nella letteratura non specializzata, (quella dei "non laureati" tanto per intenderci), probabilmente perchè è stato il primo ad essere scoperto e quindi il più conosciuto. Causa un progressivo aumento della resistività delle metallizzazioni ed ha una dipendenza esponenziale dalla temperatura, che fa si che sia trascurabile a temperature inferiori a 100C. E' il principale fenomeno di degradazione nei circuiti ad alta densità di corrente (intorno ai 3-10A/mm^2), cioè i circuiti di potenza. Nelle CPU e le GPU, che hanno densità di corrente inferiori di circa un ordine di grandezza (siamo intorno ai 300-500mA/mm^2: consumano tanto, ma sono, in termini di silicio, grandi come la piazza rossa), l'elettromigrazione non è il principale fenomeno di degradazione.

Per contro, le tecnologie integrate a bassissima lunghezza di canale sono caratterizzate da campi elettrici (pari a Vcore/Lchannel) molto elevati, e questo fa salire in cattedra un altro fenomeno di degradazione, assai meno conosciuto: l'iniezione di carica nell'ossido per elettroni caldi. Tale fenomeno, che comporta una progressiva variazione della soglia di un transitor, fino al punto che questo non commuterà più, pregiudicando quindi il funzionamento del dispositivo, dipende da:

- dalla tensione in maniera esponenziale, cioè potresti non avere problemi a 1.6V, ed un disastro a 1.8V
- dalla corrente in maniera lineare

Non dipende in maniera significativa dalla temperatura, di fatto potresti rovinare una CPU per elettroni caldi pur mantenendola a -10C.


Quindi, la mia personale opinione, è che tu ti sia allineato con l'atteggiamento che hai denunciato.

Poi, in generale, la temperatura accelera l'invecchiamento del silicio, anche in assenza di fenomeni di degradazione rilevanti, ma stiamo parlando di orizzonti temporali ben superiori all'utilizzo medio di una CPU-GPU.

praticamente elettroni molto energetici vanno a consumare l'ossido che sta alla base del canale e che poi consente lo scorrere della corrente tra drain e source?

[Fire Hurricane]

sentite lasciate perdere il discorso della vita sul procio che nn centra niente visto che ogni procio ha un periodo di vita indeterminabile.

Se vuoi occare lascia perdere sti discorsi chenn servono a nulla, mettici un dissi c@zzuto e tiralo al massimo !!!!:O

[blade9722]

praticamente elettroni molto energetici vanno a consumare l'ossido che sta alla base del canale e che poi consente lo scorrere della corrente tra drain e source?

Non proprio, il fenomeno che tu descrivi, cioè la degradazione dell'ossido, avviene in casi estremi, in cui l'iniezione si è protratta per lungo tempo. Prima di arrivare ad una degenerazione significativa dell'ossido, avviene un altro fenomeno, più "subdolo": nel caso del MOS a canale-n, gli elettroni rimangono intrappolati nell'ossido, così facendo creano una carica negativa che respinge gli elettroni del canale. Come conseguenza, la soglia del MOS (cioè il valore di tensione che devi applicare al gate per accenderlo) sale progressivamente di valore e la trasconduttanza diminuisce cioè il MOS oppone più resistenza al passaggio di corrente. La porta logica diventa sempre più lenta, fino al punto in cui il MOS non è più in grado di accendersi e la porta stessa perde completamente la sua funzionalità.

[blade9722]

IO SONO ALLINEATO CON QUELLO CHE SCRIVO.... mi hai citato un fenomeno vero che non si manifesta nel caso esaminato...... vogliamo metterci a parlare di buchi neri, scie chimiche o della fine del mondo nel 2012 secondo i maya????? Cosa centra?


Bhe io sono laureato in chimica con lode, ho 5 attestati di informatica tra cui gestione reti, programmazione in C e qualifica di tecnico hardware e tante altre cose che non so qua a scrivere (e non sto a dirti dove lavoro sappi solo che è un centro di ricerca a livello mondiale dove si lavora sopratutto sulle nanotecnologie) ma non mi sembra il caso di venire qui a proporre il proprio curriculum.

....


Squall, pensavo che fosse chiaro ciò che intendevo dire: hai una conoscenza approfondita su alcuni argomenti, derivante dai tuoi studi e dalla tua attività professionale, ma non hai una competenza specifica nel design di circuiti integrati. Ciò ti ha portato a commettere, seppur con basi tecniche ben superiori, lo stesso errore di chi sviluppa una tesi sulla degradazione del silicio basandosi su google: far risalire la causa di ogni male all'elettromigrazione.

Nelle tecnologie a larghissima integrazione, in cui il canale viene progressivamente ridotto, ma non il Vcore, e quindi il campo elettrico (che è il rapporto Vcore/Lchannel, nel caso del mio Windsor 1.4V/90nm, e mi sembra una formula comprensibile a chiunque) sale di conseguenza, il nemico pubblico numero uno è, banalmente, quello che più dipende dal campo elettrico: l'iniezione per elettroni caldi. Che ha una blanda dipendenza dalla temperatura, ma in direzione contraria: le temperature più elevate favoriscono il detrappolamento dei portatori e quindi contrastano la degradazione. Quest'ultimo fenomeno, se necessario, viene sfruttato dai tecnologi di processo per "pulire" gli ossidi in fase di produzione: una piccola scaldata a 250C dei wafer e i portatori intrappolati si liberano. L'operazione, assieme ad altre con lo stesso scopo, viene chiamata annealing.

[blade9722]

http://www-micrel.deis.unibo.it/~benini/AFCOL/scaling.doc
Per chi volesse approfondire la questione, consiglio questo articolo di un professore del dipartimento di elettronica di Bologna. L'articolo è assai datato, però ha il pregio di essere abbastanza fluente nella lettura, anche per i non addetti ai lavori. Ovviamente, le conclusioni a cui giunge erano valide trent'anni fa, e allo stato attuale le cose potrebbero essere cambiate.

Il messaggio che mi preme di trasmettere è un altro: i meccanismi di degradazione del silicio sono vari e complessi, e a seconda dello scenario, uno o due generalmente prevalgono sugli altri. E non tutti sono sensibili alla temperatura. Far ricondurre la causa di ogni male all'elettromigrazione, che ha una dipendenza spiccata dalla temperatura, è una generalizzazione superficiale. E assicurare una buona dissipazione non vi mettere al riparo da overvolt allegri, anche se ovviamente vi permette un maggiore overclock.

[squall_seed]

La mia era solo una spiegazione semplice, ripeto sussitono entrambi i fenomeni e a mio parere incide per i voltaggi considerati più la temperatura in se per se che la tensione stessa, se tu fossi onesto da buon ingenere elettronico ammetteresti che è così ovviamente all'aumentare del voltaggio oltre la soglia di 1.6v il fenomeno di iniezione diventa statisticamente sempre più probaile, non mi sembra di aver detto cose false ad ogni modo dobbiamo precisare che si tratta comunque di fenomeni legati a innumerevoli variabili e a meno che non si faccia uno studio approfondito su ogni singolo caso bisogna rimanere nel campo delle probailità e non delle certezze. COMUNQUE NESSUNO METTE IN DISCUSSIONE LA TUA PREPARAZIONE ANZI... però non gradisco che si metta in dubbio la mia.

[...È stato stimato che un elettrone caldo deve possedere almeno un energia di circa 3.7 eV per poter generare uno stato trappola all'interfaccia, questo perchè deve avere energia sufficiente per poter superare la barriera dell'ossido (3.2 eV) e rompere il legame (0.3 eV circa). ...]

La tensione applicata al drain influisce sul potenziale all'interfaccia e manda in pinch-off la parte di canale a lui più vicina , in questo modo il canale in prossimità del drain risulta meno conduttivo creando una caduta di potenziale tale da generare un picco localizzato del campo elettrico laterale. Quindi è in questa zona che i portatori vengono accelerati in modo tale che la loro distribuzione in energia risulta molto superiore rispetto a quella che avrebbero nel caso in cui fossero in equilibrio termico. Risulta ovvio, quindi, che il danno causato da queste cariche sia localizzato in una zona molto ristretta vicino al drain. Questo non consente di individuare immediatamente quale tipo di degrado si sia formato dalle sole caratteristiche del transistor; è richiesta, invece, un'indagine più dettagliata.
Nei transistor nMOS, in cui i portatori del canale che vengono accelerati dal campo elettrico sono gli elettroni. Le interazioni tra questi portatori caldi e i fononi del reticolo non sono sufficienti a ridurne drasticamente l'energia, ma essi ne cedono solo una piccola parte e nel loro movimento possono generare per ionizzazione da impatto coppie elettrone-lacuna. Il fenomeno di impact-ionisation è possibile per elettroni che eccedano la soglia di energia di 1.6 eV, un valore di energia facilmente raggiungibile nel caso in cui il campo elettrico laterale sia, come nel caso che stiamo trattando, particolarmente alto. Le lacune generate fluiscono verso il morsetto di substrato e divengono responsabili della formazione della corrente di bulk. Quindi è chiaro come la corrente che fluisce verso l'elettrodo di bulk è un buon indice del riscaldamento che subiscono i portatori nel canale, essendo costituita dalle cariche che si formano per impact ionisation, le quali vengono spinte verso il morsetto di bulk dalla componente verticale del campo elettrico.

Gli elettroni raggiungono il valore massimo nella loro energia media subito dopo essere entrati nella zona di canale in cui si verifica il picco nel campo elettrico, cioè vicino al drain, ed alcuni portatori caldi riescono ad acquistare un'energia superiore alla barriera tra silicio ed ossido che per gli elettroni vale circa 3.1 eV. La barriera vista dagli elettroni, comunque, non è immune dall'influenza dei potenziali applicati e quindi può variare all'interno del canale, soprattutto vicino al drain. Nel caso delle lacune, invece, la barriera verso l'ossido vale circa 4.8 eV ed, inoltre, la massa di queste ultime è superiore rispetto a quella degli elettroni ed è quindi piu difficile che acquistino energie così elevate. Risulta evidente, quindi, come l'iniezione di lacune verso l'ossido sia sicuramente meno efficiente di quella di elettroni.

Le tensioni applicate ai morsetti di gate e drain regolano i campi elettrici nella zona in prossimità del drain, cioè nella parte di canale in cui è maggiore la presenza di portatori caldi e più probabile l'iniezione di questi verso il gate. È chiaro, quindi come questi potenziali possano favorire o meno un'iniezione di portatori attraverso l'ossido siano essi elettroni o lacune. Per permettere l'iniezione delle cariche libere del canale verso il gate sono necessarie più condizioni. Inanzi tutto è indispensabile una significativa popolazione di portatori con valori di energia elevati e superiori, nel caso degli elettroni, ai 3.1 eV della barriera nell'ossido. Affinchè questo accada il campo elettrico laterale deve raggiungere intensità elevata; quindi la condizione più favorevole è quella in cui parte del canale risulti in pinch-off. Inoltre la tensione di gate non deve essere così elevata da portare il transistore in zona lineare, ma neppure così basso da rendere la popolazione di cariche libere nel canale troppo esigua per produrre correnti misurabili. Da tutto ciò si evince che la corrente di gate e quella di bulk avrannno un andamento a forma di campana al variare della tensione applicata al gate

Una prolungata iniezione di portatori caldi determina un danno nei transistor tale da modificare le principali caratteristiche tensione-corrente del dispositivo; il degrado ovviamente interessa la parte di canale più vicina al drain, la quale è l'unica sottoposta ad un elevato picco di campo elettrico laterale. La vicinanza del danno alla giunzione drain bulk è subordinata, anche, al fatto di conoscere dove nell'ossido ho un campo elettrico favorevole all'iniezione o alla presenza di portatori terziari iniettati dal bulk, i quali attraversano l'ossido in una zona di canale pù lontana dal drain. Una semplice verifica sperimentale di questo fatto è quella di misurare le caratteristiche in "diretta" ed in "inversa", cioè con il drain e il source nella configurazione normale e in quella a ruoli invertiti, rispettivamente.
I cambiamenti nelle caratteristiche sono imputabili a tre diversi fattori che agiscono a livello diverso nella struttura del transistor e si possono riassumere in:

Intrappolamento di carica nell'ossido che determina uno spostamento della soglia del MOS. La presenza di carica positiva determina negli nMOS uno shift di soglia negativo, mentre la carica negativa sposta la soglia a valori più alti. Nei pMOS i ruoli si invertono.
Carica intrappolata all'interfaccia tra ossido e canale, la quale determina un cambiamento nella trasconduttanza imputabile allo scattering coulombiano generato da tale carica che riduce la mobilità dei portatori di canale.
Presenza di trappole all'interfaccia che determinano una variazione della pendenza delle caratteristiche in regime di sottosoglia.
L'interpretazione delle variazioni delle caratteristiche non è affatto semplice in quanto il danno provocato dai portatori caldi non è assolutamente omogeneo lungo il canale, ad esempio non è semplice valutare lo shift di soglia in quanto la carica intrappolata nell'ossido interessa solo una parte di canale.
La corrente di substrato è un buon monitor del degrado occorso ad un MOS in quanto essa dipende fortemente dal profilo del campo elettrico laterale, il quale è profondamente modificato, ad esempio, dalla presenza di carica intrappolata che tende a cambiare la conduttività del canale.

La causa dominante del degrado dei transistor MOSFET è stata individuata nella generazione di stati trappola all'interfaccia tra ossido e canale; queste trappole consistono in stati energetici occupabili dai portatori di canale, i quali rimangono intrappolati e perdono la possibilità di partecipare alla conduzione della corrente. Le trappole oltre che a ridurre il numero di portatori del canale contribuiscono alla sensibile riduzione della mobilità delle cariche libere a causa dello scattering ulteriore generato dalle cariche intrappolate all'interfaccia. Tutto questo si traduce, nelle caratteristiche del MOS, in uno shift della soglia (devo aumentare per ottenere lo stesso grado di inversione del canale) e in una veriazione della transconduttanza proporzionali alla densità media delle trappole generate. Ruolo importante, inoltre, è giocato dagli stati trappola che si formano all'interno del gap,le cosiddette trappole di bulk, le quali, oltre che a favorire l'intrappolamento nell'ossido causa di sgradevoli shift di soglia, fungono da buon "trampolino" per i portatori caldi che attraversano l'ossido.
Non si conoscono ancora bene i meccanismi microscopici che sono all'origine delle trappole all'interfaccia, si pensa che esse siano generate dalla rottura da parte di un portatore caldo di un legame silicio-idrogeno e dalla sua mancata ricombinazione a causa della diffusione dell'idrogeno lontano dall'interfaccia. I legami silicio-idrogeno si formano all'interfaccia durante l'annealing che segue la metallizzazione. È stato stimato che un elettrone caldo deve possedere almeno un energia di circa 3.7 eV per poter generare uno stato trappola all'interfaccia, questo perchè deve avere energia sufficiente per poter superare la barriera dell'ossido (3.2 eV) e rompere il legame (0.3 eV circa).

[blade9722]

Vediamo un po': hai volutamente postato una trattazione lunghissima in cui evidenzi alla fine la frase in neretto, senza aggiungere nessuna spiegazione per la comunità.


Ci penso io a descrivere le implicazioni della frase in neretto: non è possibile avere iniezione per elettroni caldi in una interfaccia di ossido di silicio ideale per tensioni inferiori a 3.7V.


Ma allora tutti i tecnologi di processo di AMD, Intel, STMicroElectronics, TI, Texas Instruments sono dei totali incompetenti?

O forse no....

Forse, soprattutto negli strati che separano l'ossido dal substrato sono presenti impurità, "trappole", pronte a catturare qualche ignaro elettrone che esce dai ranghi, e che fanno si che il tuo 3.7eV teorico diventi un numero assai inferiore, e dipendente dalla capacità degli ignegneri di mantenere sotto controllo le impurità di processo.

Forse il passaggio dalla teoria alla pratica non è così indolore :cry:

Per inciso, hai fatto il copy paste di questo articolo:
http://www.diegm.uniud.it/driussi/biografia/tesi/node9.html

Allora, se si tratta della tua tesi di laurea, e quindi è farina del tuo sacco , credo che le due parole descritte sopra giustifichino il motivo per cui all'atto pratico la vera sfida per i processisti sia la tenuta per elettroni caldi. La tua tesi è validissima, e fornisce il valore "ideale" a cui un professionista deve tendere.

Se invece non si tratta della tua tesi... beh, allora ti faccio notare che anche tu ti stai appoggiando al web per supportare le tue argomentazioni, e mi sembra che negli intenti tu volessi elevarti sopra a ciò

[blade9722]

La mia era solo una spiegazione semplice, ripeto sussitono entrambi i fenomeni e a mio parere incide per i voltaggi considerati più la temperatura in se per se che la tensione stessa, se tu fossi onesto da buon ingenere elettronico ammetteresti che è così ovviamente all'aumentare del voltaggio oltre la soglia di 1.6v il fenomeno di iniezione diventa statisticamente sempre più probaile, non mi sembra di aver detto cose false ad ogni modo dobbiamo precisare che si tratta comunque di fenomeni legati a innumerevoli variabili e a meno che non si faccia uno studio approfondito su ogni singolo caso bisogna rimanere nel campo delle probailità e non delle certezze. COMUNQUE NESSUNO METTE IN DISCUSSIONE LA TUA PREPARAZIONE ANZI... però non gradisco che si metta in dubbio la mia.



Questa spiegazione l'hai aggiunta dopo, ed in tutta franchezza non mi piace che faccia illazioni sulla mia onestà intellettuale, quando tutto sommato quello che ha passato 10 anni a sbattere la testa sulla qualifica dei dispositivi sono io e non te.

[squall_seed]

Ovviamente ho fatto un copia incolla e non di tutta la tesi perchè francamente mi sembra assurdo già le parti che ho citato mi sembrano anche eccessive. La tesi e liberamente consultabile su internet e non l'ho scritta io.

Quei 3,7 sono riveritoi al caso specifico, io ho parlato di 1,6. Non credo che quelli della intel e amd siano incompetenti se leggessi le loro direttive (ma penso che tu già le conosca loro consigliano come valore massimo di non superare gli 1.55v (mi riferisco agli ultimi intel poi varia da cpu a cpu) sai benissimo che mettendo un tetto di 1.55 si parano il di dietro da possibili ripercussioni legali nel senso se specificano 1.55 di solito vuol dire che fino a 1.6 si sta tranquilli mettono volutamente una soglia più bassa del reale per motivi di tutela legale.

Es. sei ingnere quindi dovresti sapere che per certificare un ascensore (o montacarichi) per un determinato peso tipo 320 KG max vuol dire per le norme di sicurezza ecc. che il cavo le la struttura ne tollera in realta tot. volte il dichiarato anche 5-10 volte.

Se per intel la soglia e 1.55 si sara tenuta sotto il livello iniziale in cui vi sia anche la minima possibilità in cui si possano verificare problemi. Quindi direi che quel 1.6 trova riscontro oggettivo dagli stessi produttori della cpu.

Ho aggiunto dopo la prima parte e con ciò? Non cambia il senso di quello che voglio dire a me sembri semplicemente polemico e che tu voglia venir qua a sbandierare le tue competenze fregandotene del caso esaminato solo per fare la figura del "brillante" non è un attegiamento scientifico.

Insomma stiamo girando intorno al problema la domanda era semplice rovino col vcore o la temp

risposta (ammettendo che i voltaggi non possono superare una certa soglia per limiti costruttivi delle schede, considerando che in genere nessuno overclokka in daily a piu di 1.6v il fenomeno che hai citato è altamente improbabile in queste condizioni mentre a temperature azl di sopra della soglia consigliata con gli stessi voltaggi si rischia molto più ad innscare il venomeno di elettromigrazione che diventa l'imputato numero uno per le rotture.

Vogliamo proseguire con altre tesi o chiamare in causa i docenti universitari oppure direttamente gli ingneri della intel??

[magnusll]

Scusate se mi intrometto nell' augusta discussione :)

Domandina stupida: ma se i transistor si sono degradati per iniezione di elettroni caldi, e io do' una "scaldatina" alla CPU, e' possibile liberare una parte degli elettroni in trappola (e quindi recuperare funzionalita') oppure le temperature necessarie sono tali che anche laddove fossero raggiungibili determinerebbero comunque altri danni?

Sempre nell' ottica dell' hobbysta che scalda la CPU staccando la ventola per pochi secondi, ovviamente... processi controllati di laboratorio non valgono ;)

[blade9722]

Ovviamente ho fatto un copia incolla e non di tutta la tesi perchè francamente mi sembra assurdo già le parti che ho citato mi sembrano anche eccessive. La tesi e liberamente consultabile su internet e non l'ho scritta io.

Quei 3,7 sono riveritoi al caso specifico, io ho parlato di 1,6. Non credo che quelli della intel e amd siano incompetenti se leggessi le loro direttive (ma penso che tu già le conosca loro consigliano come valore massimo di non superare gli 1.55v (mi riferisco agli ultimi intel poi varia da cpu a cpu) sai benissimo che mettendo un tetto di 1.55 si parano il di dietro da possibili ripercussioni legali nel senso se specificano 1.55 di solito vuol dire che fino a 1.6 si sta tranquilli mettono volutamente una soglia più bassa del reale per motivi di tutela legale.

Es. sei ingnere quindi dovresti sapere che per certificare un ascensore (o montacarichi) per un determinato peso tipo 320 KG max vuol dire per le norme di sicurezza ecc. che il cavo le la struttura ne tollera in realta tot. volte il dichiarato anche 5-10 volte.

Se per intel la soglia e 1.55 si sara tenuta sotto il livello iniziale in cui vi sia anche la minima possibilità in cui si possano verificare problemi. Quindi direi che quel 1.6 trova riscontro oggettivo dagli stessi produttori della cpu.

Ho aggiunto dopo la prima parte e con ciò? Non cambia il senso di quello che voglio dire a me sembri semplicemente polemico e che tu voglia venir qua a sbandierare le tue competenze fregandotene del caso esaminato solo per fare la figura del "brillante" non è un attegiamento scientifico.

Insomma stiamo girando intorno al problema la domanda era semplice rovino col vcore o la temp

risposta (ammettendo che i voltaggi non possono superare una certa soglia per limiti costruttivi delle schede, considerando che in genere nessuno overclokka in daily a piu di 1.6v il fenomeno che hai citato è altamente improbabile in queste condizioni mentre a temperature azl di sopra della soglia consigliata con gli stessi voltaggi si rischia molto più ad innscare il venomeno di elettromigrazione che diventa l'imputato numero uno per le rotture.

Vogliamo proseguire con altre tesi o chiamare in causa i docenti universitari oppure direttamente gli ingneri della intel??

Guarda Squall, il tutto per me è un film già visto: stai lentamente degenerando nell'insulto. Prima mi accusi di essere intellettualmente disonesto, e poi di essere polemico. Sul discorso degli ingegneri della Intel, ti dò perfettamente ragione: ho esagerato, avrei dovuto attenermi ai fatti, e limitarmi a osservare come le tue teorie facciano passare come incompetenti solo gli ingegneri di processo della mia ditta (che è fra quelle citate), non avendo il dettaglio di come la pensano a riguardo quelli delle altre.

Non mi sembra di avere chiamato in causa nessun professore, ho solamente citato un articolo solo per la facilità di lettura, ammettendo che ciò che è descritto va preso con le pinze. Era solo per far comprendere ai non addetti ai lavori quanto potesse essere complessa la questione, e l'ho scritto chiaramente. Tutto ciò che ho descritto deriva da esperienze professionali dirette, e non mi sono appoggiato a nessuna tesi sul web. E ti assicuro che il giorno in cui un mio dispositivo fallirà per elettroni caldi, in quanto ho dimenticato di innalzare la lunghezza di canale in un componente sensibile, citare questa tesi con la teoria dei 3.7eV non mi metterà al riparo da critiche. Anzi probabilmente verrà susciterà qualche malizioso sorrisino.

Per il resto, questo è un'ulteriore conferma di ciò che avviene regolarmente nei forum: è controproducente cercare di condividere il bagaglio di esperienza derivante dalla propria attività professionale, in quanto regolarmente interviene qualcuno che contesta sistematicamente le tue affermazioni, trascinando la discussione verso la rissa.

[blade9722]

Scusate se mi intrometto nell' augusta discussione :)

Domandina stupida: ma se i transistor si sono degradati per iniezione di elettroni caldi, e io do' una "scaldatina" alla CPU, e' possibile liberare una parte degli elettroni in trappola (e quindi recuperare funzionalita') oppure le temperature necessarie sono tali che anche laddove fossero raggiungibili determinerebbero comunque altri danni?

Sempre nell' ottica dell' hobbysta che scalda la CPU staccando la ventola per pochi secondi, ovviamente... processi controllati di laboratorio non valgono ;)

La seconda: le temperature sono troppo elevate, di solito l'operazione viene effettuata sui wafer, che sono assai più robusti del dispositivo finale impacchettato. E vengono utilizzati forni ben controllati in temperatura, quello della cucina della mamma rischia di fare un arrosto di CPU.

P.P.S l'operazione dura alcuni giorni, quindi è parecchio costosa, di solito è l'ultima spiaggia, prima si fanno tentativi con altri metodi più sbrigativi (fasci di ioni... non conosco i dettagli).

[Alucard1982]

Nooo, per quato sia scazzante, continuate a rispondere alle nostre domande!!! Tralasciate il fatto che poi qualcuno la pensi in maniera diversa, a noi utenti "osservatori" o "lettori", le vostre esperienze sono stra importanti!!! Poi decide ognuno per sè chi "ascoltare", ma sopratutto cosa fare, voi però continuate a contribuire(lasciando da parte ovviamente le sterili controversie del "ce l'ho più lungo io" :D )!!!^^
Questo per dire che a monte: Vi ringrazio :D

[squall_seed]

Guarda Squall, il tutto per me è un film già visto: stai lentamente degenerando nell'insulto. Prima mi accusi di essere intellettualmente disonesto, e poi di essere polemico. Sul discorso degli ingegneri della Intel, ti dò perfettamente ragione: ho esagerato, avrei dovuto attenermi ai fatti, e limitarmi a osservare come le tue teorie facciano passare come incompetenti solo gli ingegneri di processo della mia ditta (che è fra quelle citate), non avendo il dettaglio di come la pensano a riguardo quelli delle altre.

Non mi sembra di avere chiamato in causa nessun professore, ho solamente citato un articolo solo per la facilità di lettura, ammettendo che ciò che è descritto va preso con le pinze. Era solo per far comprendere ai non addetti ai lavori quanto potesse essere complessa la questione, e l'ho scritto chiaramente. Tutto ciò che ho descritto deriva da esperienze professionali dirette, e non mi sono appoggiato a nessuna tesi sul web. E ti assicuro che il giorno in cui un mio dispositivo fallirà per elettroni caldi, in quanto ho dimenticato di innalzare la lunghezza di canale in un componente sensibile, citare questa tesi con la teoria dei 3.7eV non mi metterà al riparo da critiche. Anzi probabilmente verrà susciterà qualche malizioso sorrisino.

Per il resto, questo è un'ulteriore conferma di ciò che avviene regolarmente nei forum: è controproducente cercare di condividere il bagaglio di esperienza derivante dalla propria attività professionale, in quanto regolarmente interviene qualcuno che contesta sistematicamente le tue affermazioni, trascinando la discussione verso la rissa.

Io non intendevo insultare nessuno anzi mi sembra di aver apertamente manifestato rispetto nei tuoi confronti, dicendo "nessuno mette in dubbio le tue conoscienze anzi"...

Non non mi permetterei mai di dare dell'incompetente a nessuno che non conosco e tantomeno se non ci sono dei fatti oggettivi quindi non ho mai detto che tu o quelli della tua ditta sono incompententi.

Infine il film l'ho visto pure io e figurati se ho intensione di inacidirmi in un forum con tutti i problemi reali della vita reale penso solo che bisogni dare aiuto per quanto possibile a chi domanda e per quello che sono le proprie esperienze ma ciò deve anche essere sinonimo di risposte pertinenti effettivamente mi sono scaldato per una leggera imprecisione ma il discorso e che spesso vedo persone che consigliano male o le sparano di tutti i colori ed io mi metto nei panni dei poveri malcapitati.

Il mestiere del "consulente" non è cosa facile e per una questione di rispetto credo che quanto meno prima di rispondere bisognerebbe essere informati su ciò che si sta dicendo o almeno usare il CONDIZIONALE.

Qua stiamo discutendo di SEMANTICA alla fine stiamo dicendo le stesse cose con parole diverse quindi non vedo il motivo di continuare ad impuntarsi in stupidi capricci da adolescenti ed aggrapparsi sulle parole. Insomma mi sembri d'accordo fino ad un certo valore di voltaggio è maggiormente percolosa la temperatura dopo subentrano fenomeni più conplessi ed altrettanto distruttivi se per te va bene mettiamola così.

Amici come prima ed effettivamente è stupido lasciarsi trascinare da certi discorsi che sfociano solo in una bella esposizione solo per dimostrare di "sapere" ottenenndo alla fine solo il fatto di essere usciti fuori tema aver fatto confusione e magari non aver aiutato chi ha postato perche troppo presi ad disquisire.

[blade9722]

Nooo, per quato sia scazzante, continuate a rispondere alle nostre domande!!! Tralasciate il fatto che poi qualcuno la pensi in maniera diversa, a noi utenti "osservatori" o "lettori", le vostre esperienze sono stra importanti!!! Poi decide ognuno per sè chi "ascoltare", ma sopratutto cosa fare, voi però continuate a contribuire(lasciando da parte ovviamente le sterili controversie del "ce l'ho più lungo io" :D )!!!^^
Questo per dire che a monte: Vi ringrazio :D

Ciao, Alucard.

Purtroppo la cosa non è così semplice. Cerco di trasmettere il messaggio in maniera comprensibile. Alla temperatura di 25C ( 300K, gradi Kelvin), gli elettroni sono caratterizzati da una energia termica pari a circa 0.04eV. Ad essa va aggiunta l'energia cinetica data dal passaggio di corrente, dipendente dal campo elettrico, che in condizioni normali è una frazione di quella termica. Quando, a seguito dell'innalzamento del campo elettrico, l'energia cinetica diventa paragonabile a quella termica, si ha il fenomeno dei "portatori caldi", così chiamati perchè si comportano come se fossero sottoposti ad una temperatura molto più elevata.

Ora da questo presupposto noterai che l'energia totale di un portatore caldo sia tipicamente 0.04eV+0.04eV=0.08eV. Se fai un rapido calcolo, noterai che è circa 1/50 del valore di 3.7eV riportato dalla tesi citata da Squall. Da questo punto di vista, secondo tale tesi, almeno nell'interpretazione implicita suggerita, il fenomeno degli elettroni caldi non esiste.

E invece esiste, sia per la presenza di impurità nell'interfaccia, sia perchè i portatori caldi reagiscono con il reticolo trasferendo energia in maniera più efficiente di quella del modello di scattering tradizionale.

Tutto questo è per farti comprendere come ormai non si possa continuare, in quanto Squall si è posizionato come antagonista nei miei confronti, in aperto conflitto. Lui reagirà così a qualunque affermazione io dirò di cui lui non è convinto: invece di mostrare curiosità e di approfondire l'argomento, andrà alla ricerca di qualsiasi pagina web in cui verrà riportata una tesi apparentemente contraria. Con il risultato che si apriranno più interrogativi di quanti se ne chiuderanno.

Ragion per cui, per il bene comune, io abdico, se vuoi avere il mio parere a riguardo mandami un PM.

[blade9722]

Ad ogni modo, cerchiamo di fare una stima della "durata minima" di una CPU. Qualsiasi circuito integrato viene sottoposto a prove di qualifica. Una delle prove, ed è quella che più impatta sull'elettromigrazione consiste nel:
-prendere un campione scelto di dispositivi
-testarli e conservare il risultato dei test
-sottoporre tutti i pezzi al seguente stress: vengono messi nelle peggiori condizioni operative, ad una temperatura controllata di 150C per almeno 1000 ore . (per dispositivi il cui malfunzionamento può mettere a repentaglio la vita delle persone, come quelli delle centraline ABS, si parla di 175C e almeno 10000 ore).
-testarli di nuovo e confrontare il risultato con i test pre-stress, verficiando che non ci sia stato un cambiamento significativo dei parametri.

Ora, immaginiamo una ipotetica CPU a 2GHz e 1.25V, che consuma al massimo50W. Questa CPU è stata caratterizzata,e per 1000h a 150C non ha manifestato degradazioni.

Viene utilizzata con un dissipatore da 0.35C/W, quindi a massimo carico raggiunge i 42.5C.
Ora, l'elettromigrazione è tale per cui l'effetto complessivo si dimezza per ogni diminuzione di 25C (circa... la formula vera delle tecnologie che utilizzo è riservata, ma non è lontana), quindi la "durata" complessiva diventerà 1000h*2^((150-42.5)/25)=20000h (circa).

20000h: se ipotizziamo un utilizzo intensivo di 4h al giorno, sono 5000 giorni, circa 14 anni.

Vediamo adesso il caso di un overclock abbastanza deciso: 1.5V e 3GHz.
La potenza dissipata diventa: 50*(1.5/1.25)^2*(3/2)=108W
La temperatura sale a 63C
La corrente aumenta di un fattore pari a (1.5/1.25)*(3/2)=1.8

La nuova "durata" diventa: (1000h/1.8)*2^((150-63)/25)=6000h (circa).

Come potete notare, il periodo di tranquillità si è ridotto a circa un terzo, per una stima di almeno 4 anni.

E poi? Poi la CPU potrebbe cominciare a diventare un po' più lenta, e quindi costringervi ad abbassare l'overclock, oppure continuare a funzionare perfettamente. Questo perchè la prova vita ti garantisce una certa durata, ma non implica che subito dopo il limite ci sia necessariamente un degrado.

Insomma, io dormirei sonni tranquilli se il problema fosse solo l'elettromigrazione.

[squall_seed]

Ciao, Alucard.


Tutto questo è per farti comprendere come ormai non si possa continuare, in quanto Squall si è posizionato come antagonista nei miei confronti, in aperto conflitto. Lui reagirà così a qualunque affermazione io dirò di cui lui non è convinto: invece di mostrare curiosità e di approfondire l'argomento, andrà alla ricerca di qualsiasi pagina web in cui verrà riportata una tesi apparentemente contraria. Con il risultato che si apriranno più interrogativi di quanti se ne chiuderanno.

Ragion per cui, per il bene comune, io abdico, se vuoi avere il mio parere a riguardo mandami un PM.

Ingegnere leggendo queste parole mi viene il dubbio che tu non sappia leggere oppure non abbia letto... Come fai ad affermare ciò ma hai letto cosa ho scritto in alto?? Io mi sono mostrato disponibile e ti ho fatto anche delle scuse ma visto il tuo atteggiamento credo di aver fatto male

Oppure confermi quello che pensavo ti piace polemizzare ma ora stai andando oltre e scadendo nel vittimismo...

I calcoli che tu hai fatto sono del tutto teorici e partiti da valori ipotetici ma come fai a sapere il caso per caso???

La potenza termica dissipata potrebbe essere maggiore di questa "0.35C/W" tanto per cominciare. Comunque non intendo continuare se sei davvero interessato a conoscere quella che è la REALTA' a cui mi riferivo nei processori intel qui trovi tutte le specifiche termiche ecc.

cosi potrai divertirti a fare calcoli più veritieri (che io a mio tempo ho già fatto)

http://download.intel.com/design/processor/designex/31368504.pdf

http://download.intel.com/design/processor/datashts/316981.pdf

a 1.50V se la cpu ha un bel dissipatore non succede un bel nulla MENTRE SE LA METTIAMO A 150 C° COME HAI SUGGERITO TU PENSO NON SIA TANTO OPPORTUNO :rolleyes:

[Faster_Fox]

ragazzi, ma se metto il mio procio 3800x2@2690mhz 1.4250 v-core e temp che non superano più di 50° duro più di 2 anni, con un utilizzo giornaliero quasi sempre intensivo, visto l'uso di boinc?

da quello che ho letto si.....smentitemi se non lo è.

[squall_seed]

Ciao, Alucard.


Tutto questo è per farti comprendere come ormai non si possa continuare, in quanto Squall si è posizionato come antagonista nei miei confronti, in aperto conflitto. Lui reagirà così a qualunque affermazione io dirò di cui lui non è convinto: invece di mostrare curiosità e di approfondire l'argomento, andrà alla ricerca di qualsiasi pagina web in cui verrà riportata una tesi apparentemente contraria. Con il risultato che si apriranno più interrogativi di quanti se ne chiuderanno.

Ragion per cui, per il bene comune, io abdico, se vuoi avere il mio parere a riguardo mandami un PM.

Ingegnere leggendo queste parole mi viene il dubbio che tu non sappia leggere oppure non abbia letto... Come fai ad affermare ciò ma hai letto cosa ho scritto in alto?? Io mi sono mostrato disponibile e ti ho fatto anche delle scuse ma visto il tuo atteggiamento credo di aver fatto male

Oppure confermi quello che pensavo ti piace polemizzare ma ora stai andando oltre e scadendo nel vittimismo...

I calcoli che tu hai fatto sono del tutto teorici e partiti da valori ipotetici ma come fai a sapere il caso per caso???

La potenza termica dissipata potrebbe essere maggiore di questa "0.35C/W" tanto per cominciare. Comunque non intendo continuare se sei davvero interessato a conoscere quella che è la REALTA' a cui mi riferivo nei processori intel qui trovi tutte le specifiche termiche ecc.

cosi potrai divertirti a fare calcoli più veritieri (che io a mio tempo ho già fatto)

http://download.intel.com/design/processor/designex/31368504.pdf

http://download.intel.com/design/processor/datashts/316981.pdf

a 1.50V se la cpu ha un bel dissipatore non succede un bel nulla MENTRE SE LA METTIAMO A 150 C° COME HAI SUGGERITO TU PENSO NON SIA TANTO OPPORTUNO :rolleyes:

UN ULTIMA COSA HAI NOTATO NELLA TUA FORMULETTA QUANTO SIA IMPORTANTE LA TEMPERATURA PER VEDERE QUANTE ORE DI VITA SONO PREVISTE? Hai messo 63 C ma ad esepio la mia cpu in full load e vcore 1.5 non supera i 40 C quindi la durata ipotizzata non e sui 4 anni ma sui 8-10 (in base alla tua formuletta) non cambia molto da quella a default giusto? (senza contare che tra 10 anni questa cpu sara di sicuro da cambiare quindi se muore a 10 anni a fatto la sua vita noltre non è detto che muoia il calcolo e teorico potrebbe anche durare 20 anni

ifine hai usato il simbolo ^ INTENDEVI L'ESPONENTE?? 2000h elevato alla 4,3 (che viene dal tuo calcolo) fa 156469242966868,56161628227311306 ORE hai scritto 20000 h spiegami un pò non capisco...

[squall_seed]

ragazzi, ma se metto il mio procio 3800x2@2690mhz 1.4250 v-core e temp che non superano più di 50° duro più di 2 anni, con un utilizzo giornaliero quasi sempre intensivo, visto l'uso di boinc?

da quello che ho letto si.....smentitemi se non lo è.


In teoria SI dovrebbe durare anche molto di più di 2 anni con quelle impostazioni, comunque lasciando perdere le cavolate accademiche se stai sotto gli 1.55 e non superi i 50 C° stai sicuro che overclock o NON OVERCLOCK non ti cambia assolutamente nulla sulla vita della tua cpu

[Capellone]

come volevasi dimostrare :asd:

[blade9722]

come volevasi dimostrare :asd:

preciso come un orologio svizzero....

Ovviamente, io non ho mai suggerito di mettere la CPU a 150C, in quanto ho chiaramente spiegato che si tratta delle prove vita a cui vengono sottoposti tutti i dispositivi, CPU comprese, prima di essere immesse sul mercato.

Il valore di 0.35C/W è abbastanza tipico per un dissipatore, il mio Zalman 9700NT ha 0.25C/W. Comunque con un amperometro e sfruttando il sensore di temperatura e tensione si può facilmente calcolare.

L'espressione:

1000h*2^((150-42.5)/25)=20000h

significa chiaramente "mille ore per due elevato a..." e non "mille ore elevato a ".

Ingegnere leggendo queste parole mi viene il dubbio che tu non sappia leggere oppure non abbia letto...

Alla fine è arrivato il fatidico e immancabile "non sai leggere", che va a braccetto con i vari "non sai scrivere" e "non sai quello che dici". Ragazzi, un minimo di fantasia! Suvvia, variateli questi insulti!

Resta sempre la solita considerazione: come mai un utente che si professa così esperto in materia deve sempre appoggiarsi a link del web per sostenere una tesi?

Alucard, hai capito perchè sono restio a postare? Mandami un PM se hai qualche dubbio...

[squall_seed]

preciso come un orologio svizzero....

Ovviamente, io non ho mai suggerito di mettere la CPU a 150C, in quanto ho chiaramente spiegato che si tratta delle prove vita a cui vengono sottoposti tutti i dispositivi, CPU comprese, prima di essere immesse sul mercato.

Il valore di 0.35C/W è abbastanza tipico per un dissipatore, il mio Zalman 9700NT ha 0.25C/W. Comunque con un amperometro e sfruttando il sensore di temperatura e tensione si può facilmente calcolare.

L'espressione:

1000h*2^((150-42.5)/25)=20000h

significa chiaramente "mille ore per due elevato a..." e non "mille ore elevato a ".



Alla fine è arrivato il fatidico e immancabile "non sai leggere", che va a braccetto con i vari "non sai scrivere" e "non sai quello che dici". Ragazzi, un minimo di fantasia! Suvvia, variateli questi insulti!

Resta sempre la solita considerazione: come mai un utente che si professa così esperto in materia deve sempre appoggiarsi a link del web per sostenere una tesi?


Ribadisco che non sai leggere perche se lo sapessi fare avresti letto che avevo scritto nessuno mette in dubbio LA TUA PREPARAZIONE I TUOI COLLEGHI NON SONO INCOMPETENTI ECC. a me sembra abbastanza chiaro il mio tentativo di conciliazione, sono due le cose o non ti basta o VUOI CHE TI CHIAMI DIO (se puo bastare) oppure stai cercando di provocare QUINDI QUI CHI INSULTA E PROVOCA SEI SOLO TU e hai scelto la persona sbagliata

non mi hai risposto sulle temp hai visto come contano sul tuo calcoletto o no caro ingegnere dei miei stivali (ti sembra abbastanza fantasioso questo??).

Da adesso non perdo ulteriore tempo a rispondenderti mi hai seccato per la gente come te LA VITA E' LA PEGGIORE PUNIZIONE... ;)

SE NON L'HAI CAPITO MI HAI ROTTO IL CAZZO DI GENTE COME TE NE HO VISTA GIA TROPPA vieni qui a sbandierare una laurea che non hai o che ti sei comprato con i soldi di papa e ancor peggioDAI INFOMAZIONI ALLARMATI E FALSE AI POVERI MALCAPITATI

Almeno ci sei andato sul sito della intel o amd a leggerti le specifiche e dati tecnici o sei troppo preso a scrivere cazzate, non ho bisogno di siti per difendere delle tesi ma se sui sito trovo gia le info spiegate e chiarite non vedo perche devo ritrasciverle a mano oppure stancarmi nello scrivere cio che e gia scritto
Infine questo "preciso come un orologio svizzero...." lo dici sul ciclo di tua sorella ammesso che ne abbia una

[blade9722]

Ribadisco che non sai leggere perche se lo sapessi fare avresti letto che avevo scritto nessuno mette in dubbio LA TUA PREPARAZIONE I TUOI COLLEGHI NON SONO INCOMPETENTI ECC. a me sembra abbastanza chiaro il mio tentativo di conciliazione, sono due le cose o non ti basta o VUOI CHE TI CHIAMI DIO (se puo bastare) oppure stai cercando di provocare QUINDI QUI CHI INSULTA E PROVOCA SEI SOLO TU e hai scelto la persona sbagliata

non mi hai risposto sulle temp hai visto come contano sul tuo calcoletto o no caro ingegnere dei miei stivali (ti sembra abbastanza fantasioso questo??).

Da adesso non perdo ulteriore tempo a rispondenderti mi hai seccato per la gente come te LA VITA E' LA PEGGIORE PUNIZIONE... ;)

SE NON L'HAI CAPITO MI HAI ROTTO IL CAZZO DI GENTE COME TE NE HO VISTA GIA TROPPA vieni qui a sbandierare una laurea che non hai o che ti sei comprato con i soldi di papa e ancor peggioDAI INFOMAZIONI ALLARMATI E FALSE AI POVERI MALCAPITATI

Almeno ci sei andato sul sito della intel o amd a leggerti le specifiche e dati tecnici o sei troppo preso a scrivere cazzate, non ho bisogno di siti per difendere delle tesi ma se sui sito trovo gia le info spiegate e chiarite non vedo perche devo ritrasciverle a mano oppure stancarmi nello scrivere cio che e gia scritto
Infine questo "preciso come un orologio svizzero...." lo dici sul ciclo di tua sorella ammesso che ne abbia una

...... per tua informazione, io il papà purtroppo non ce l'ho più, e la tua frase per cui io mi sarei comprato la tesi con i suoi soldi, dopo che si è ammazzato di lavoro per assicurare a me e mia sorella una adeguata istruzione, ricevendo in cambio dalla vita... una morte prematura, è quantomai inopportuna.....

[Zermak]

Meno male che siete, da come dite, gente seria con una (o più) laurea (lauree) che, credo, abbia avuto una buona educazione. Guardate come ti comportate :muro:

Parlo in generale perché altrimenti si scatenano gli inutili flames...

[michelgaetano]

Da adesso non perdo ulteriore tempo a rispondenderti mi hai seccato per la gente come te LA VITA E' LA PEGGIORE PUNIZIONE... ;)

SE NON L'HAI CAPITO MI HAI ROTTO IL CAZZO DI GENTE COME TE NE HO VISTA GIA TROPPA vieni qui a sbandierare una laurea che non hai o che ti sei comprato con i soldi di papa e ancor peggioDAI INFOMAZIONI ALLARMATI E FALSE AI POVERI MALCAPITATI



A prescindere da chi sia nel torto o meno, non sono queste cose da dire, e questo non è tantomeno il luogo.

[Faster_Fox]

A prescindere da chi sia nel torto o meno, non sono queste cose da dire, e questo non è tantomeno il luogo.

quoto.....qui siamo per discutere, non per litigare......:stordita:
il vostro aiuto è importante, viste tutte le parole scritte e a quanto pare gli interrogativi, di chi come me, non se ne intende come voi....
ma se "litigate" e vi pizzicate a vicenda è tutto inutile....

[squall_seed]

...... per tua informazione, io il papà purtroppo non ce l'ho più, e la tua frase per cui io mi sarei comprato la tesi con i suoi soldi, dopo che si è ammazzato di lavoro per assicurare a me e mia sorella una adeguata istruzione, ricevendo in cambio dalla vita... una morte prematura, è quantomai inopportuna.....


Continui a fare la vittima io la gente come te non la sopporto prima provochi e poi piagnucoli cosa cerchi qui la commiserazione degli altri se non sei in grado di affrontare ciò che causi vedi di stare al tuo posto.

Comunque tuo padre non centrava col discorso e mi spiace scusami massimo rispetto.

[neolinux]

minghia, tutti ingegneri qui dentro.... io sono l'unico sfigato che lavora come sistemista in svizzera mi sa :(

Cmq, tornando al thread... dopo tutti i calcoli matematici, astrofisici, non che di fisica quantistica.... qual'e' il verdetto? (veniamo al sodo).

[Alucard1982]

Che l'oc può rendere instabile il sistema se è esagerato, che puoi accorciare la vita al tuo pc per usura... cioè, se lo usi 24/24 occato è probabile che le prestazioni del procio ti diminuiscano nel giro di qualche anno(comunque per un lasso di tempo abbastanza ambio da portare comunque un utente normale a cambiare il procio), se non lo occhi e lo usi per andare su internet, scrivere e cose mooolto elementari(insomma non lo metti troppo sotto stress), allora potrai usare lo stesso pici per secoli... in altri casi... pure...

Ancora più riassunto: occare leggermente vai tranquillo, occare pesante rende il sistema instabile(imho) e all'hardware se non superi certe temperature ti va tranquillo fino al prossimo cambio di procio...

[squall_seed]

Ho misurato il consumo della mia cpu con i regolatori di tensione IN FULL LOAD 100% a default e2160@1800 Mhz ed è sui 42W

Ho provato a e2160@3.33 Ghz (lo tengo in daily così) ed e circa 80W quindi un aumento del 90,5 % circa di consumo (e non 108W)

visto che nel tuo caso l'amd x2 3800 ha un consumo paragonabile al mio ipotizzo che con un overclock del tuo tipo fino a 2700 Mhz circa dovresti avere un cosumo in full load di non più di 70w

essendo il vcore default a 1,35 per la tua cpu (se non sbaglio) ipotizzando che overvolti a 1.5v il fattore diventa 1,66 quindi 600 h per se hai una temperatura max di 50 C in full diventa una durata teorica di 9600 ore ipotizzando 4 ore al giorno di uso in teoria dovrebbe almeno durare 6,5 anni

Infine ultimo tieni presente che si è assunta una temperatura max sempre costante in genere la cpu non lavora di continuo al 100% quindi se fai una media di temperatura di 38 C diventa almeno 9,2 anni circa.

Insomma quasi 10 anni teoricamente garantiti e nulla vieta che possa anche durare il doppio in realta.
Ovviamente la temperatura media varia in base all'utilizzo ad esempio il mia sta in full al max un tempo uguale a quanto sta in idle quindi meta e metà

la mia t varia tra 20 e 40 ipotizzando una media di 30C diventa una durata teorica minima ipotizzata di quasi 12 anni e potrebbe durare di più, onestamente credo di cambiare cpu prima di 12 anni a prescindere.

Ipotizziamo ad una cpu che dissipa peggio della mia o della tua con una t media tra i 40 e i 65 diciamo 50C NON OVERCLOCCATA a default diventa 1000 ore per 16 = circa 11 anni (INSOMMA ADDIRITTURA DOVREBBE DURARE MENO DELLA MIA OVECLOKKATA IN LINEA TEORICA SEMPLICEMENTE PERCHE LA MIA SI SCALDA MENO GRAZIE AD UN BUON RAFFREDDAMENTO NONOSTANTE OVECLOCK ED OVERVOLT e tutto ciò usando proprio sempre gli stessi calcoli che ha usato l'ingegnere).

Conclusioni penso che dati alla mano si possa dire che conta molto piu la temperatura e quindi le performance della dissipazione rispetto a quanto si overvolta, se si rimane in overvolt ragionevoli e cioe sotto 1.55v da bios che reali sono ancora meno. Cosa che avevo detto fin dall'inizio ma come al solito bisogna prima insultarsi tirar fuori la fisica quantistica per arrivare a conclusioni che avevo molto candidamente espresso molto tempo prima ma evidentemente se non arriva qualcuno a mettere in discussione tutto per poi dopo 2 giorni arrivare alle stesse conclusioni non si è contenti. CI SONO TROPPI POLEMICI E SAPUTELLI IN GIRO IL BELLO CHE POI COME SEMPRE SI RISCHIA SOLO DI FARE FIGURE DI MERDA PER VANTARE UN PO' DI PREPARAZIONE E DARE CONTRO A CHI MAGARI STA DICENDO COSE GIUSTE TIRANDO FUORI COSE COMPLESSE CHE GIRA E RIGIRA PORTANO SEMPRE ALLE COSE GIUSTE DETTE ALL'INIZIO PERCHE LA VERITA E VERITA CON I CALCOLI O MENO CON LE FORMULE O MENO CHIARO??

--------------------------------------------------
Tra l'altro questo parla da solo:

Blade9722 PC
AMD Athlon64 X2 3800+ @ 2.7GHz
2 Nvidia 8800GTS 640MB in SLI @ 590/1350/990 MHz
6GB DDR2

Hai la stessa cpu e lo stesso oveclock che vorrebbe fare il ragazzo che ha postato all'inizio chiedendo se si potesse fare tu da ingegnere esperto che sei lo hai fatto senza preoccuparti troppo di questo tipo di overclock se ne deduce che per te stesso si possa fare senza avere problemi altrimenti non lo avresti fatto giusto? Però qui sei venuto a tirare fuori i SE e i MA quando sai benissimo che la risposta e si se si raffredda bene hai detto che hai uno zalman 9700 giusto?? non era sufficiente dirgli di si invece di inveire contro di me....
---------------------------------------------------------------------------

PS. AD OGNI MODO blade9722 TI CHIEDO SCUSA PER IL MIO ATTEGGIAMENTO DI IERI SERA SONO STATO MALEDUCATO ED ECCESSIVO LO AMMETTO E NE SONO SINCERAMENTE RAMMARICATO SPERO CHE TU POSSA ACCETTARE LE MIE SCUSE...

Saluti

[Faster_Fox]

aaaaa...sono propio felice, spiegazione ampiamente eusadiente.....dormirò sogni tranquilli allora :ronf:

[Max(IT)]

Ribadisco che non sai leggere perche se lo sapessi fare avresti letto che avevo scritto nessuno mette in dubbio LA TUA PREPARAZIONE I TUOI COLLEGHI NON SONO INCOMPETENTI ECC. a me sembra abbastanza chiaro il mio tentativo di conciliazione, sono due le cose o non ti basta o VUOI CHE TI CHIAMI DIO (se puo bastare) oppure stai cercando di provocare QUINDI QUI CHI INSULTA E PROVOCA SEI SOLO TU e hai scelto la persona sbagliata

non mi hai risposto sulle temp hai visto come contano sul tuo calcoletto o no caro ingegnere dei miei stivali (ti sembra abbastanza fantasioso questo??).

Da adesso non perdo ulteriore tempo a rispondenderti mi hai seccato per la gente come te LA VITA E' LA PEGGIORE PUNIZIONE... ;)

SE NON L'HAI CAPITO MI HAI ROTTO IL CAZZO DI GENTE COME TE NE HO VISTA GIA TROPPA vieni qui a sbandierare una laurea che non hai o che ti sei comprato con i soldi di papa e ancor peggioDAI INFOMAZIONI ALLARMATI E FALSE AI POVERI MALCAPITATI

Almeno ci sei andato sul sito della intel o amd a leggerti le specifiche e dati tecnici o sei troppo preso a scrivere cazzate, non ho bisogno di siti per difendere delle tesi ma se sui sito trovo gia le info spiegate e chiarite non vedo perche devo ritrasciverle a mano oppure stancarmi nello scrivere cio che e gia scritto
Infine questo "preciso come un orologio svizzero...." lo dici sul ciclo di tua sorella ammesso che ne abbia una


ma ti rendi conto di cosa hai scritto ???
A parte che il tono dei tuoi post è più facile associarlo ad un overclocker appassionato (magari anche esperto in overclock, chi lo nega ?) che ad un ingegnere con competenza in materia, messo di fronte all' evidenza dai precisi interventi di Blade hai reagito con un attacco personale e gratuito ?
A che pro ?
Io direi che la cosa migliore è approfittare delle conoscenze di chi è evidentemente esperto in materia, per aumentare le proprie.

[Fire Hurricane]

ma ti rendi conto di cosa hai scritto ???
A parte che il tono dei tuoi post è più facile associarlo ad un overclocker appassionato (magari anche esperto in overclock, chi lo nega ?) che ad un ingegnere con competenza in materia, messo di fronte all' evidenza dai precisi interventi di Blade hai reagito con un attacco personale e gratuito ?
A che pro ?
Io direi che la cosa migliore è approfittare delle conoscenze di chi è evidentemente esperto in materia, per aumentare le proprie.

Se sei interessato all vite di qst componente, ammenochè nn sei uno che cambia ogni 5 anni ( almeno ) nn te ne deve fregar nulla della vita qnd fai OC.

[andw7]

squall_seed, una volta di più sei incommentabile. per il momento sei sospeso un mese, ma con riserva di decisione più grave e questa volta definitiva.

[Max(IT)]

Se sei interessato all vite di qst componente, ammenochè nn sei uno che cambia ogni 5 anni ( almeno ) nn te ne deve fregar nulla della vita qnd fai OC.

guarda, a me dell' overclock/overvolt non importa un fico secco. Per me la rpimaria necessità è la STABILITA'.
Il mio discorso non verteva certo su questo.

A me interessa molto quanto ci ha illustrato Blade perchè, pur essendo diplomato e laureato in materia, sull' argomento specifico ne so MOLTO meno di lui, e trovo la sua esperienza come un' occasione per arricchire la nostra conoscenza in materia.

[smoicol]

ragazzi.............
vi leggo e spero che non lo faccia un mod,
questo è un forum,
si prende in considerazione tutto,
non vedo perchè puntualizzare.

[smoicol]

guarda, a me dell' overclock/overvolt non importa un fico secco. Per me la rpimaria necessità è la STABILITA'.
Il mio discorso non verteva certo su questo.

A me interessa molto quanto ci ha illustrato Blade perchè, pur essendo diplomato e laureato in materia, sull' argomento specifico ne so MOLTO meno di lui, e trovo la sua esperienza come un' occasione per arricchire la nostra conoscenza in materia.


come non quotarti, sto con te :mano:

[michelgaetano]

A me interessa molto quanto ci ha illustrato Blade perchè, pur essendo diplomato e laureato in materia, sull' argomento specifico ne so MOLTO meno di lui, e trovo la sua esperienza come un' occasione per arricchire la nostra conoscenza in materia.

Ben detto, anche capendoci nulla è stato molto interessante.

Quello che spiace è che persone così competenti si possano comportare in modo altrettanto basso :(

[Barkausen]

Beh, che dire se non un grazie per la fetta di cultura che mi sono gustato? (:

[Capellone]

e datevi tutti una calmata, si sta parlando di un pezzetto di silicio non della vita di una persona :D
l'avevo detto :O

[smoicol]

l'avevo detto :O

quoto pienamente

[Barkausen]

l'avevo detto :O
Regola #n: "Qualunque cosa succeda c'è sempre qualcuno che l'aveva detto"

[Thunderx]

Non proprio, il fenomeno che tu descrivi, cioè la degradazione dell'ossido, avviene in casi estremi, in cui l'iniezione si è protratta per lungo tempo. Prima di arrivare ad una degenerazione significativa dell'ossido, avviene un altro fenomeno, più "subdolo": nel caso del MOS a canale-n, gli elettroni rimangono intrappolati nell'ossido, così facendo creano una carica negativa che respinge gli elettroni del canale. Come conseguenza, la soglia del MOS (cioè il valore di tensione che devi applicare al gate per accenderlo) sale progressivamente di valore e la trasconduttanza diminuisce cioè il MOS oppone più resistenza al passaggio di corrente. La porta logica diventa sempre più lenta, fino al punto in cui il MOS non è più in grado di accendersi e la porta stessa perde completamente la sua funzionalità.

capito.....ho appena fatto elettronica digitale ma il prof di questo fenomeno non ne ha proprio parlato!Grazie

[Fire Hurricane]

ma figuriamoci

[blade9722]

capito.....ho appena fatto elettronica digitale ma il prof di questo fenomeno non ne ha proprio parlato!Grazie

A dire il vero anche a me in quell'esame nessuno aveva parlato del fenomeno. C'era solo un piccolo accenno nell'esame di dispositivi, mentre l'effetto tunnel era trattato a fondo.

Di fatto, io l'ho conosciuto al lavoro....

[d@vid]

cut
davvero affascinante :)
c'è solo da apprezzare ;)