View Full Version : Fisica del transistor [per addetti ai lavori]
dario fgx
12-02-2008, 10:02
Salve ragazzi averi bisogno di sciogliere alcuni dubbi con l'ausilio del vostro insostituibile aiuto.
Tra l'altro non posso nemmeno rivolgermi ad alcun professore pèerchè sto trattando la cosa per conto mio.
Il mio testo di riferimento è lìinsostituibile quanto laconico SZE Dispositivi a semiconduttore, in italiano grazie ad Hoepli.
Allora sia un transistore di tipo p+\n\p
la giunzione p+\n è polarizzata in maniera diretta
la giunzione n\p in maniera inversa.
Dunque p+ inietta lcune nella base n se questa è molto più corta della lunghezza L di cui le lacune necessitano prima di ricombinarsi totalmente con gli e- maggioritari in n alcune di queste raggiungono indisturbate la giunzione base collettore polarizzata inversamente.
Ragionerò sulle lacune.
Fin qui tutto ok, procedo utilizzando le parole dello SZE:
"le lacune vengono a galla nel collettore come le bolle in un liquido"
ora faccio riferimento ad un'altro testo Quantum Physisc":
Le lacune che arrivano nella base sono attratte dalla differenza di potenziale tra collettore e base:una corrente si instaura tra collettore e base.
Ora la polarizzazione inversa base collettore interdice una corente perchè si presuppone che in n si abbiano portatore negativi ed in p positivi, ma se in n ci iniettiamo portatori positivi allora la musica cambia.La zona p di contatto con la zona n è infatti rimasta negativa (perchè ha accettato elettroni e ed collegata al morsetto negativo) e quindi le lacune in base vengono attratte dal collettore.
Questa sarebbe un'ottima spiegazione.
Tuttavia lo SZE quando risolve le equazioni per il calcolo della corrente di collettore (ma non solo per questa) imputa l'origine di tale corrente esclusivamente ad un gradiente di concentrazione di lacune tra la zona n di base e la zona p di collettore, infatti nessun termine relativo alla polarizzazione è introdotto!
Ora io dico:
si che l'emettitore è più drogato del collettore ed inietta molte lacune nella stretta base però il collettore è pur sempre una regione p:come ci può essere un cosi' forte gradiente di concentrazione tra la base e la zona p?
La mia risposta sarebbe una fusione tra i due testi magari taciuta sullo SZE: il gradiente è inteso tra base e regione di svuotamento della zona base\collettore (base "ricca" di lacune iniettate, svuotamento privo di lacune)
A tale termine di gradiente non si oppone alcun termine di campo a causa del fatto che la tensione invrsa nn interdice un flusso di lacune "al contrario" (ovvero da una zona n ad una zona p svuotata) le lacune emergono nel collettore e poi la corrente prosegue verso il morsetto negativo a causa della polarizzazione.
Che ne pensate?
Mi raccomando io sto facendo uno studio nei minimi dettagli e rsiolvendo molte delle quazioni, per cui se qualcuno ha sommarie nozioni sui transistor è vivamente pregato di astenersi.
Grazie a quanti vorranno partecipare.
Ti conviene postare un modello bidimensionale su cui definire i terminali di collettore base ed emettitore... per comodità...
Poi sulla struttura ( in sezione) del bjt puoi rappresentare i flussi dei portatori...
Il gradiente di portatori si forma perchè le lacune vengono iniettate dal collettore in base con concentrazione molto superiore a quella degli elettroni ( presenti in base come maggioritari ) e vengono estratte dalla zona di svuotamento tra base ed emettitore determinando concentrazione praticamente nulla tra base ed emettitore...
In sostanza le lacune, portatori maggioritari al collettore, vengono iniettati in una zona dove sono minoritari, la base che è molto stretta, resa ancora più stretta dalle regioni di svuotamento, che si sviluppano principalmente nella base...
Questo fa si che le lacune, che nella base sono portatori minoritari, abbiano concentrazione molto superiore a quella dei maggioritari, si ottiene pertanto che i portatori maggioritari in base praticamente scompaiono, mentre d'altra parte si ha che i minoritari attraversano rapidamente la base...
poichè attraversata la base le lacune raggiungono una zona di svuotamento, esse vengono risucchiate e la loro concentrazione i corrispondenza della regione di svuotamento va a zero...
SCUSATE HO RI-EDITATO IL TESTO...
dario fgx
12-02-2008, 14:52
ti conviene definire i terminali di collettore base ed emettitore... per comodità...
e ti conviene rappresentare almeno grossolanamente la struttura ( in sezione) del bjt... in modo da tracciare in modo schematico i flussi di portatori...
il gradiente di concentrazione si forma perchè i portatori maggioritari vengono iniettati in una zona dove sono minoritari ( la base) ... la zona inoltre è molto stretta, quindi viene attraversata rapidamente, senza contare che essa è circondata dalle regioni di svuotamento...
si ottiene pertanto che i portatori maggioritari in base praticamente scompaiono, e questo limita il flusso dei minoritari di base...
se riesco ti posto due appunti..
qualcosina la trovi anche sul sedra-smith... per caso cè in giro in italiano...
alla voce "oligrone"
Ciao hibone grazie!
Però devo dirti che non hai chiarito il mio dubbio.
Infatti io non mi domando perchè il gradiente si instauri tra emettitore e base, il che è evidente.
Capisco anche come la base (stretta e meno drogata) si svuoti praticamente di portatori maggioritari.
Non mi è chiaro come le lacune entrate nella base vadano nel collettore per gradiente di concentrazione:ok la base è piena di lacune ma anche il collettore lo è:come si instaura un gradiente cosi' intenso?
Lo chiedo perchè la corrente di collettore sul mio libro viene calcolata considerando proprio solo il termine di gradiente.
Immagino dunque che tale gradiente sia riferitto alla differenza di concentrazione base\strato di svuotamento sulla giunzione base\collettore
...
dario fgx
12-02-2008, 14:54
ops abbiamo postato assieme...
ops abbiamo postato assieme...
prima ho rieditato il testo...
ero andato a riguardare qualcosa e avevo postato in via temporanea...
comunque ricorda di considerare
A: le condizioni al contorno
B: il fatto che il dispositivo è comunque soggetto a tensione e che la tensione di base è sempre intermedia a quella di collettore ed emettitore :)
se puoi fare un refresh e ricontrollare il mio vecchio post magari mi indichi cosa, nello specifico, non è chiaro...
semmai entro più nel dettaglio...
dario fgx
12-02-2008, 15:37
prima ho rieditato il testo...
ero andato a riguardare qualcosa e avevo postato in via temporanea...
comunque ricorda di considerare
A: le condizioni al contorno
B: il fatto che il dispositivo è comunque soggetto a tensione e che la tensione di base è sempre intermedia a quella di collettore ed emettitore :)
se puoi fare un refresh e ricontrollare il mio vecchio post magari mi indichi cosa, nello specifico, non è chiaro...
semmai entro più nel dettaglio...
certo ho riletto il post, eccoti cosa non mi è chiaro, esattamente ciò che ho scritto sopra:
Infatti io non mi domando perchè il gradiente si instauri tra emettitore e base, il che è evidente.
Capisco anche come la base (stretta e meno drogata) si svuoti praticamente di portatori maggioritari.
Non mi è chiaro come le lacune entrate nella base vadano nel collettore per gradiente di concentrazione:ok la base è piena di lacune ma anche il collettore lo è:come si instaura un gradiente cosi' intenso?
Lo chiedo perchè la corrente di collettore sul mio libro viene calcolata considerando proprio solo il termine di gradiente.
Immagino dunque che tale gradiente sia riferitto alla differenza di concentrazione base\strato di svuotamento sulla giunzione base\collettore
...
Grazie.
certo ho riletto il post, eccoti cosa non mi è chiaro, esattamente ciò che ho scritto sopra:
Infatti io non mi domando perchè il gradiente si instauri tra emettitore e base, il che è evidente.
Capisco anche come la base (stretta e meno drogata) si svuoti praticamente di portatori maggioritari.
Non mi è chiaro come le lacune entrate nella base vadano nel collettore per gradiente di concentrazione:ok la base è piena di lacune ma anche il collettore lo è:come si instaura un gradiente cosi' intenso?
l'ho scritto sopra ma probabilmente mi sono spiegato male...
il gradiente di concentrazione si instaura perchè la zona di svuotamento estrae le lacune dalla regione di base, e quindi determina una riduzione locale del numero di lacune...
Lo chiedo perchè la corrente di collettore sul mio libro viene calcolata considerando proprio solo il termine di gradiente.
Immagino dunque che tale gradiente sia riferitto alla differenza di concentrazione base\strato di svuotamento sulla giunzione base\collettore
...
Grazie
cerco un disegnino...
http://img142.imageshack.us/img142/1367/pnpbjtka0.th.jpg (http://img142.imageshack.us/my.php?image=pnpbjtka0.jpg)
dal disegnino li sopra abbiamo che tra base e collettore la giunzione è in polarizzazione inversa... ( la regione di svuotamento è estesa )
mentre tra emettitore e collettore la giunzione è in polarizzazione diretta... ( e la regione di svuotamento è contratta )
la regione in polarizzazione inversa richiama le lacune dalla base e le trasferisce al collettore... quindi essa provoca nella regione di base, una riduzione del numero dei portatori...
l'altra giunzione invece provoca un accumulo di portatori, quindi la concentrazione di lacune nella regione di base vicino all'emettitore, è vicina a "p++" mentre nella regione di collettore è vicina a zero...
dario fgx
12-02-2008, 17:15
http://img142.imageshack.us/img142/1367/pnpbjtka0.th.jpg (http://img142.imageshack.us/my.php?image=pnpbjtka0.jpg)
dal disegnino li sopra abbiamo che tra base e collettore la giunzione è in polarizzazione inversa... ( la regione di svuotamento è estesa )
mentre tra emettitore e collettore la giunzione è in polarizzazione diretta... ( e la regione di svuotamento è contratta )
la regione in polarizzazione inversa richiama le lacune dalla base e le trasferisce al collettore... quindi essa provoca nella regione di base, una riduzione del numero dei portatori...
l'altra giunzione invece provoca un accumulo di portatori, quindi la concentrazione di lacune nella regione di base vicino all'emettitore, è vicina a "p++" mentre nella regione di collettore è vicina a zero...
Ma lo sai che è proprio il disegno fatto sul mio libro?
Insomma confermi quello che credevo...ti ringrazio!
Ma lo sai che è proprio il disegno fatto sul mio libro?
Insomma confermi quello che credevo...ti ringrazio!
:D beh d'altra parte se da una parte spingi dentro portatori, e dall'altra li togli... non puoi che ottenere una concentrazione decrescente man mano che ti sposti da emettitore a collettore...
figurati...
dario fgx
12-02-2008, 17:57
:D beh d'altra parte se da una parte spingi dentro portatori, e dall'altra li togli... non puoi che ottenere una concentrazione decrescente man mano che ti sposti da emettitore a collettore...
figurati...
eh si, ma ancora al mio precedente messaggio non avevo capito.
In pratica io interpretavo il gradiente in questo modo:
se ci deve essere una corrente di lacune la ho solo se ho una differenza di concentrazione di lacune tra base e collettore.
In realta leggendo la "saturazione" dice che se polarizzo dirattamente anche la giunzione base collettore riduco lo strato di svuotamento, indi non posso imporre nell'equazione dei minoritari che alla fine della base (dalla parte del collettore) la concentrazione delle lacune si annulli, anzi se questa diventa pari a quella presente all'inizio della base(dalla parte dell'emettitore) il gradiente nella base scompare e quindi non si ha corente di collettore.
Questo mi ha fatto intendere che in verità il termine di gradiente orienta i miniritari e gli imprime una velocità che essi conservano fino a finire nel collettore.
Puoi confermare?
eh si, ma ancora al mio precedente messaggio non avevo capito.
In pratica io interpretavo il gradiente in questo modo:
tanto per puntualizzare il gradiente è una "derivata" ed in questo caso è la derivata della concentrazione dei portatori...
quindi il gradiente non ha un ruolo "attivo" esso descrive soltanto come si muovono i portatori, cioè da zone a concentrazione maggiore a zone a concentrazione minore...
se ci deve essere una corrente di lacune la ho solo se ho una
differenza di concentrazione di lacune tra base e collettore.
nope... la differenza di concentrazione che prendi in esame, è alle due estremità della regione di base, ma sempre e solo dentro la regione di base.
il trasporto base->collettore lo fa il campo elettrico della zona di svuotamento... dovresti averlo visto studiando i diodi e le giunzioni pn.
In realta leggendo la "saturazione" dice che se polarizzo dirattamente anche la giunzione base collettore riduco lo strato di svuotamento,
la riduzione dello strato di svuotamento è una conseguenza, non una causa.
la polarizzazione diretta della giunzione base collettore determina un campo elettrico opposto a quello della zona di svuotamento, tale campo ostacola l'effetto "aspirapolvere" della zona stessa, e impedisce il passaggio di carica
che si accumula in base a margine della regione di svuotamento... dacui segue questo
indi non posso imporre nell'equazione dei minoritari che alla fine della base (dalla parte del collettore) la concentrazione delle lacune si annulli, anzi se questa diventa pari a quella presente all'inizio della base(dalla parte dell'emettitore) il gradiente nella base scompare e quindi non si ha corente di collettore.
Questo mi ha fatto intendere che in verità il termine di gradiente orienta i miniritari e gli imprime una velocità che essi conservano fino a finire nel collettore.
Puoi confermare?
la conclusione è corretta, ma ti ricordo che il gradiente è uno strumento matematico... può descrivere il fenomeno.. non "causarlo" :) infatti per ciascuna configurazione ( saturazione interdizione polarizzazione diretta e inversa ) hai dei grafici che descrivono la concentrazione di carica in funzione dela posizione nel bjt..
ovviamente le conclusioni sono quelle, ma il corretto punto di vista sulle cose aiuta a tenerle a mente :)
dario fgx
12-02-2008, 18:47
si ok sul gradiente, so bene cos'è e scrivevo cosi' per semplicità; ok anche sul vederci chiaro sulle cause, è per questo che ho aperto il thread!
Ok anche sullo strato di svuotamento che è una conseguenza sapevo anche questo.
Però non ci siamo ancora allora:
Abbiamo stabilito che il gradiente è interno alla base, e confermi la mia cnclusione sull'effetto di orientare ed imprimere una velocità ai minoritari tanto da farli finire nel collettore.
Però in precedenza ai detto
"
il trasporto base->collettore lo fa il campo elettrico della zona di svuotamento... dovresti averlo visto studiando i diodi e le giunzioni pn.
"
Questo che mi appare molto ovvio non è però esplicitato in nessun paragrafo dedicato al transistor sullo SZE.
Anzi la corrente di collettore (quindi il tuo trasporto base collettore) viene calcolato in questo modo Ic=-q*Dp*d(Pn)\dx
dove:
q è la carica
D il termine di diffusività
Pn i minoritari in base
mentre nessun contributo di campo elettrico è inserito.
Il libro pare ragionare in questo modo:
1)La polarizzazione inversa base\collettore determina l'instaurarsi di uno strato di svuotamento.
2)Data l'equazione di continuità la risolvo considerando(condizioni al contorno) che Pn si annulli alla fine della base e sia massima all'inizio della base.
Dunque ho un gradiente di concentrazione che genera una corrente:orienta ed imprime una velocità ai minoritari tanto da farli finire nel collettore.
Calcolo questa corrente derivando(gradiente) l'equazione per Pn.
Quindi il campo di polarizzazione inversa non è mensionato, sembra servire solo ad espandere lo strato di svuotamento e darmi una condizione al contorno (Pn=0 alla fine della base) per risolvere l'equazione di continuità su cui poi far lavorare l'operatore gradiente per ottenere la corrente.
si ok sul gradiente, so bene cos'è e scrivevo cosi' per semplicità; ok anche sul vederci chiaro sulle cause, è per questo che ho aperto il thread!
Ok anche sullo strato di svuotamento che è una conseguenza sapevo anche questo.
tranqui... ho precisato solo per evitare fraintendimenti e per "fissarlo" come punto fermo... tanto per avere un punto assodato da cui ri-partire :)
Però non ci siamo ancora allora:
Abbiamo stabilito che il gradiente è interno alla base, e confermi la mia cnclusione sull'effetto di orientare ed imprimere una velocità ai minoritari tanto da farli finire nel collettore.
Però in precedenza ai detto
"
il trasporto base->collettore lo fa il campo elettrico della zona di svuotamento... dovresti averlo visto studiando i diodi e le giunzioni pn.
"
Questo che mi appare molto ovvio non è però esplicitato in nessun paragrafo dedicato al transistor sullo SZE.
Anzi la corrente di collettore (quindi il tuo trasporto base collettore) viene calcolato in questo modo Ic=-q*Dp*d(Pn)\dx
dove:
q è la carica
D il termine di diffusività
Pn i minoritari in base
mentre nessun contributo di campo elettrico è inserito.
Il libro pare ragionare in questo modo:
1)La polarizzazione inversa base\collettore determina l'instaurarsi di uno strato di svuotamento.
2)Data l'equazione di continuità la risolvo considerando(condizioni al contorno) che Pn si annulli alla fine della base e sia massima all'inizio della base.
Dunque ho un gradiente di concentrazione che genera una corrente:orienta ed imprime una velocità ai minoritari tanto da farli finire nel collettore.
Calcolo questa corrente derivando(gradiente) l'equazione per Pn.
Quindi il campo di polarizzazione inversa non è mensionato, sembra servire solo ad espandere lo strato di svuotamento e darmi una condizione al contorno (Pn=0 alla fine della base) per risolvere l'equazione di continuità su cui poi far lavorare l'operatore gradiente per ottenere la corrente.
quando le lacune hanno attraversato la base e raggiungono la zona di svuotamento tra base e collettore che gli succede?!
ovviamente la corrente dipende dal numero di cariche che raggiunge la zona di svuotamento, non dalla tensione ai suoi capi...
dario fgx
12-02-2008, 19:44
tranqui... ho precisato solo per evitare fraintendimenti e per "fissarlo" come punto fermo... tanto per avere un punto assodato da cui ri-partire :)
quando le lacune hanno attraversato la base e raggiungono la zona di svuotamento tra base e collettore che gli succede?!
ovviamente la corrente dipende dal numero di cariche che raggiunge la zona di svuotamento, non dalla tensione ai suoi capi...
e certo questo è chiaro.
Quindi le cose stanno effettivamente cosi, è poi il potenziale che attrae le lacune giù nel collettore...
e certo questo è chiaro.
Quindi le cose stanno effettivamente cosi, è poi il potenziale che attrae le lacune giù nel collettore...
esatto...
dario fgx
12-02-2008, 19:55
esatto...
dunque ti ringrazio moltissimo!
Sicuramente avrò ancora bisogno di aiuto più in là...!
dario fgx
30-03-2008, 10:26
edit
guardata il mio post successivo
dario fgx
13-11-2008, 18:38
Ciao!
Rieccomi su questo dubbio
Provo a chiarirmi.
Mi piacerebbe avere (è una mia fissazione) una definizione molto "fisica" di amplificatore, cioè descrivere come questo oggetto effettivamnte è in grado di amplificare in termini fisici e come si riprende l'energia che ha speso per amplificare il segnale.
Su tutti i testi che ho consultato (compreso il tuo amatissimo Sedra :) ) ci sono frasi come questa:
"the answer is found by observing that amplifiers need dc power supplies for their operations"
Una frase del genere, per quanto mi riguarda, costringe a riflettere sulla effettiva motivazione.
Dunque cortesemente seguite questo ragionamento e ditemi se può essere considerato corretto o meno.
Perchè il transistor è considerato un amplificatore?
Io l'unica risposta sensata (che non si limita e scrivere tante belle equazioni mal spiegate su correnti e tensioni) la trovo qui:
http://www.uoguelph.ca/~antoon/tutorial/xtor/xtor1/xtor1.html
ovvero
siccome il collettore è inversamente polarizzato la resistenza base-collettore è elevata (ciò esprime il fatto fisico che i portatori in teoria non possono attraversarla perchè la barriera energetica è elevata).La resistenza base emettitore è invece più bassa(ciò esprime il fatto che la barriera energetica è stata abbassata dalla polarizzazione diretta).
Dato che (grazie ell'effetto transistor) la corente nel collettore è quasi la stessa di quella in emettitore, abbiamo una maggiore potenza sul collettore!
Questo consente un Guadagno.
Questo fatto intuitivo è taciuto su tutti i testi che ho trovato.
Che ve ne pare?
E' corretto?
A me pare l'unica spiegazione sensata!Ma ovviamente potrei sbagliarmi.
Veniamo ora alla conservazione di energia e prendiamo un PNP dove le lacune di emettitore finiscono in collettore.
La polarizzazione inversa incrementa la dimensione dello strato di svuotamento anche nel collettore dove le lacune sono estratte e mandate sul morsetto positivo, quando altre lacune finiscono nel collettore P è nuovamente necessario rimuoverle con dispendio di energia da parte della batteria.
Infatti se queste nuove lacune non fossero rimosse farebbero crescere il potenziale di collettore fino ad annullare la polarizzazione inversa, ciò determinerebbe una riduzione del guadagno (cosi' come l'ho inteso nella definizione precedente) e l'energia sarebbe conservata.
Che ve ne pare?
E' un'idea corretta?
Dario.
Questo fatto intuitivo è taciuto su tutti i testi che ho trovato.
Che ve ne pare?
E' corretto?
A me pare l'unica spiegazione sensata!Ma ovviamente potrei sbagliarmi.
è taciuto giustamente secondo me....parlare di resistenza e potenza quando si parla di bande di energia e buche di potenziale come se si stesse parlando di circuiti elettrici non mi pare molto sensato.
Ciao!
Rieccomi su questo dubbio
Provo a chiarirmi.
Mi piacerebbe avere (è una mia fissazione) una definizione molto "fisica" di amplificatore, cioè descrivere come questo oggetto effettivamnte è in grado di amplificare in termini fisici e come si riprende l'energia che ha speso per amplificare il segnale.
un amplificatore è un dispositivo che fornisce in uscita un segnale proporzionale all'ingresso.
se la costante di proporzionalità è >1 hai un amplificatore, se la costante di proporzionalità è <1 hai un attenuatore.
l'energia viene presa attraverso l'alimentazione.
Su tutti i testi che ho consultato (compreso il tuo amatissimo Sedra :) ) ci sono frasi come questa:
"the answer is found by observing that amplifiers need dc power supplies for their operations"
Una frase del genere, per quanto mi riguarda, costringe a riflettere sulla effettiva motivazione.
quella frase dice che gli amplificatori hanno bisogno di una alimentazione in tensione continua su cosa c'è da ragionare?
Perchè il transistor è considerato un amplificatore?
domanda mal posta:
un transistor è un transistor, ovvero un dispositivo che "cambia di stato"
può essere usato in configurazione di alimentatore ma non è necessariamente così...
quindi se non specifichi la configurazione che esamini commetti un errore.
siccome il collettore è inversamente polarizzato
altro errore, il collettore può essere inversamente polarizzato rispetto a qualcosa, la polarizzazione è relativa...
la resistenza base-collettore è elevata (ciò esprime il fatto fisico che i portatori in teoria non possono attraversarla perchè la barriera energetica è elevata).La resistenza base emettitore è invece più bassa(ciò esprime il fatto che la barriera energetica è stata abbassata dalla polarizzazione diretta).
Dato che (grazie ell'effetto transistor) la corente nel collettore è quasi la stessa di quella in emettitore, abbiamo una maggiore potenza sul collettore!
Questo consente un Guadagno.
Questo fatto intuitivo è taciuto su tutti i testi che ho trovato.
Che ve ne pare?
E' corretto?
A me pare l'unica spiegazione sensata!Ma ovviamente potrei sbagliarmi.
dovrei approfondire, lo ammetto, ma grosso modo stai dicendo che il bicchiere è mezzo pieno, a tutti quelli che dicono "il bicchiere è mezzo vuoto" ho reso l'idea?
La polarizzazione inversa incrementa la dimensione dello strato di svuotamento anche nel collettore dove le lacune sono estratte e mandate sul morsetto positivo, quando altre lacune finiscono nel collettore P è nuovamente necessario rimuoverle con dispendio di energia da parte della batteria.
Infatti se queste nuove lacune non fossero rimosse farebbero crescere il potenziale di collettore fino ad annullare la polarizzazione inversa, ciò determinerebbe una riduzione del guadagno (cosi' come l'ho inteso nella definizione precedente) e l'energia sarebbe conservata.
stesso discorso di prima con supercazzola...
le regioni base-emettitore e base-collettore hanno uno spessore e un'area di giunzione: parlare genericamente di dimensione non aiuta...
i morsetti, o più correttamente terminali, sono 3 emettitore base collettore. il "morsetto positivo" non è contemplato.
da quello che vedo non hai molto chiare le cose...
non volermene a male ma, se non hai chiare le cose è il caso che tu le riveda... in primis sullo zse, ce n'era un'altro molto valido ma non ricordo il titolo... mea culpa...
dovrei approfondire, lo ammetto, ma grosso modo stai dicendo che il bicchiere è mezzo pieno, a tutti quelli che dicono "il bicchiere è mezzo vuoto" ho reso l'idea?
:mbe: :confused: :confused:
non volermene a male ma, se non hai chiare le cose è il caso che tu le riveda... in primis sullo zse, ce n'era un'altro molto valido ma non ricordo il titolo... mea culpa...
l'esame di dispositivi l'ho fatto con il muller, kamins....secondo me molto valido.
l'esame di dispositivi l'ho fatto con il muller, kamins....secondo me molto valido.
mi sa che è lui! boh... mi ricordo che uno degli autori aveva a che fare con la Intel :read:
:mbe: :confused: :confused:
dicevo soltanto che avendo 3 terminali e tre resistenze tra esse in maniera sostanzialmente analoga ad un partitore resistivo, esaminare la questione dal punto di vista dei segnali di ingresso e quelli di uscita, oppure dal punto di vista delle resistenze, oppure dal punto di vista delle tensioni di polarizzazione è esattamente la stessa cosa.
Quello che deve essere chiaro è chi esercita l'azione e chi la subisce, inteso non come mera conoscenza formale, ma come comprensione del fenomeno.
mi sa che è lui! boh... mi ricordo che uno degli autori aveva a che fare con la Intel :read:
dicevo soltanto che avendo 3 terminali e tre resistenze tra esse in maniera sostanzialmente analoga ad un partitore resistivo, esaminare la questione dal punto di vista dei segnali di ingresso e quelli di uscita, oppure dal punto di vista delle resistenze, oppure dal punto di vista delle tensioni di polarizzazione è esattamente la stessa cosa.
Quello che deve essere chiaro è chi esercita l'azione e chi la subisce, inteso non come mera conoscenza formale, ma come comprensione del fenomeno.
ah ok...pensavo avessi sparato una frase a caso...invece un senso ce l'aveva :ops2:
dario fgx
14-11-2008, 08:50
un amplificatore è un dispositivo che fornisce in uscita un segnale proporzionale all'ingresso.
se la costante di proporzionalità è >1 hai un amplificatore, se la costante di proporzionalità è <1 hai un attenuatore.
l'energia viene presa attraverso l'alimentazione.
quella frase dice che gli amplificatori hanno bisogno di una alimentazione in tensione continua su cosa c'è da ragionare?
domanda mal posta:
un transistor è un transistor, ovvero un dispositivo che "cambia di stato"
può essere usato in configurazione di alimentatore ma non è necessariamente così...
quindi se non specifichi la configurazione che esamini commetti un errore.
altro errore, il collettore può essere inversamente polarizzato rispetto a qualcosa, la polarizzazione è relativa...
dovrei approfondire, lo ammetto, ma grosso modo stai dicendo che il bicchiere è mezzo pieno, a tutti quelli che dicono "il bicchiere è mezzo vuoto" ho reso l'idea?
stesso discorso di prima con supercazzola...
le regioni base-emettitore e base-collettore hanno uno spessore e un'area di giunzione: parlare genericamente di dimensione non aiuta...
i morsetti, o più correttamente terminali, sono 3 emettitore base collettore. il "morsetto positivo" non è contemplato.
da quello che vedo non hai molto chiare le cose...
non volermene a male ma, se non hai chiare le cose è il caso che tu le riveda... in primis sullo zse, ce n'era un'altro molto valido ma non ricordo il titolo... mea culpa...
Andiamo con ordine.
1)Capisco come sia fondamentale la disposizio circuitale per poter parlare di amplificatore.
Comunque sia da adesso in poi qui mi riferirò al transistor come ad un oggetto che può amplificare.Vi prego allora di evitare precisazione giuste ma forse un pò troppo "puntigliose".
Inoltre vi prego di considerare il fatto che io non ho un esame di dispositivi ma un esame di Fisica dello stato solido. Esso , ed altri precedenti, più che sui circuiti parte dalla meccanica quantistica per arivare a spiegare (con calcoli più o meno difficili) come e perchè si originano le bande e la loro particolare distribuzione nei semiconduttri.
Dunque la mia impronta è più sul perchè funzionano le cose e non sui dettagli tecnici.
Veniamo a noi.
Ho capito cosa dice quella frase sul Sedra, critico il fatto che essa si limita a dire che devo alimentare il transistor se voglio che , in una particolare configurazione(visto che ci tenete tanto), amplifichi.
E' come dire guarda che io se voglio far camminare la macchina ci devo mettere la benza: bhe grazie a sto ...
Inoltre poi nel poseguo si limita a risolvere delle equazioni e a dire queste equazioni implicano un guadagno senza soffermarsi a spigare abbastanza bene il perchè ed il per come.
E' vero dopo fa tutta una serie di esercizi ed esempi (che sto avendo cura di svolgere) dove effettivamente si può applicare quanto detto.
Tuttavia essendo abituato a libri come "La fisica di Feynmann" dove oggi equazione ottenuta è seguita da 2 pagine di commento che ti rendono limpido il significato di tanta matematica, adesso lamento il fatto di non riuscire a trovare un testo sufficientemente chiaro.
E mi rivolgo a voi che più di me ne sapete di certo.
Dunque ripeto tutto il mio ragionamento giusto o sbagliato che sia, puntualizzando alcune cose.
Prendiamo un Transistor BJT PNP (P+NP)
La giunzione emettiroe base è polarizzata in maniera diretta.
Facciamo che l'emettitore sta a 15V e la base sta a 5V
Questo comporta che lo strato di svuotamento relativo a questa giunzione che da ora in poi chiamiamo EB si sia ridotto e che (senza entrare nel dettaglio) sia possibile considerare una resistenza (intesa nel senso puro del termine cioè una resistività che ostacola il passaggio dei portatori) di pochi ohm.Le "buche" entrano in base e, con i meccanismi che abbiamo abbndantemente descritto nella 1° pagina di questo thread, finiscono quasi tutte nel collettore.
La giunzione base collettore (BC) è polarizzata inversamente, questo è espresso da una resistenza al passaggio di cariche.Il Nobel sta nel fatto che si è riusciti a far passare delle cariche ugualmente perchè queste sono di segno opposto rispetto a quelle che ci si aspetterebbe in base. Oppure sbaglio??
Ora parlo di morsetto negativo perchè io il collettore posso mettercelo anche a -20V.
Ma se la stessa corrente passa attraverso entrambe le giunzioni che conclusioni posso trarre?
A voi la parola, se mi fate vedere uno schemino dove 1 transistor è usato come amplificatore di potenza ( senza complicazioni questoè di tipo A, questo di tipo B ecc.) e spiegate a questa testa di cocco come il fatto che si abbia in collettore la stessa i di emettitore determina l'amplificazione ve ne sarei veramente grato!
Vorrei precisare che la questione dell'amplificazione di potenza da me esposta l'ho trovata sia su un discreto testo di fisica( Quantum Physics) che però tratta l'atgomento solo marginalmente, sia sul link da me postato.
Mentre il discorso sul quadrare del bilancio energetico me lo sono "inventato io" a partire dalla considerazione che una polarizzazione inversa su un semiconduttore di tipo P estrae delle lacune abbassandone il potenziale, mentre un afflusso di lacune ne incrementa il potenziale.
dario fgx
14-11-2008, 08:54
è taciuto giustamente secondo me....parlare di resistenza e potenza quando si parla di bande di energia e buche di potenziale come se si stesse parlando di circuiti elettrici non mi pare molto sensato.
ben venga la tua osservazione!
però allora spiegatmi voi com'è che funziona perchè io ho ben chiari alcuni concetti ma forse c'è qualcosa che mi sfugge
Andiamo con ordine.
1)Capisco come sia fondamentale la disposizio circuitale per poter parlare di amplificatore.
Comunque sia da adesso in poi qui mi riferirò al transistor come ad un oggetto che può amplificare.Vi prego allora di evitare precisazione giuste ma forse un pò troppo "puntigliose".
Tranquillo, non è per pignoleria o per pedanteria che faccio presenti certe cose, ma solo perchè un transistore può svolgere diverse funzioni, e in base alla regione di funzionamento si trova in un particolare stato, se ti serve di capire come funziona una cosa, il "più o meno" non aiuta..
Dunque la mia impronta è più sul perchè funzionano le cose e non sui dettagli tecnici.
non è così semplice, purtroppo...
Prendiamo un Transistor BJT PNP (P+NP)
La giunzione emettiroe base è polarizzata in maniera diretta.
Facciamo che l'emettitore sta a 15V e la base sta a 5V
Questo comporta che lo strato di svuotamento relativo a questa giunzione che da ora in poi chiamiamo EB si sia ridotto e che (senza entrare nel dettaglio) sia possibile considerare una resistenza (intesa nel senso puro del termine cioè una resistività che ostacola il passaggio dei portatori) di pochi ohm.Le "buche" entrano in base e, con i meccanismi che abbiamo abbndantemente descritto nella 1° pagina di questo thread, finiscono quasi tutte nel collettore.
La giunzione base collettore (BC) è polarizzata inversamente, questo è espresso da una resistenza al passaggio di cariche.Il Nobel sta nel fatto che si è riusciti a far passare delle cariche ugualmente perchè queste sono di segno opposto rispetto a quelle che ci si aspetterebbe in base. Oppure sbaglio??
è corretto...
l'aspetto interessante del pnp, è che il silicio di base viene attraversato da una corrente di minoritari in concentrazione significativamente maggiore dei "maggioritari" e quindi la loro concentrazione non si riduce... controllando la tensione di base, è possibile assottigliare o ispessire la regione svuotata restringendo il canale e quindi riducendo il numero di portatori che si ricombina all'interno della regione di base...
Ora parlo di morsetto negativo perchè io il collettore posso mettercelo anche a -20V.
ora ha senso parlare di "morsetto negativo" il problema era che prima non avevi presentato la situazione che volevi analizzare..
Mentre il discorso sul quadrare del bilancio energetico me lo sono "inventato io" a partire dalla considerazione che una polarizzazione inversa su un semiconduttore di tipo P estrae delle lacune abbassandone il potenziale, mentre un afflusso di lacune ne incrementa il potenziale.
probabilmente per te è un'altra puntualizzazione inutile, ma dire "polarizzazione inversa del silicio P" è sbagliato. Questo perchè l'espressione "Polarizzazione inversa" parte dal presupposto di "Polarizzazione naturale" che il silicio non ha, mentre invece una giunzione PN ha...
Un semiconduttore, drogato o meno è sempre elettricamente neutro, di conseguenza la tua tensione è costante, è solo quando realizziamo una giunzione PN che si crea la regione di svuotamento alla base della barriera di tensione propria dei diodi, di 0.6/0.8 volt ed è proprio grazie alla presenza delle due giunzioni che il transistor funziona.. sennò non funziona...
il bjt può essere visto in due modi:
come tre strati di silicio uno affianco all'altro...
come due giunzioni PN con una porzione di silicio contigua...
se prima non vedi il bjt in questo modo non ti possono essere chiari gli aspetti alla base del funzionamento... tipo questi...
http://img221.imageshack.us/img221/2525/bjtmassarz0.th.png (http://img221.imageshack.us/my.php?image=bjtmassarz0.png)http://img221.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
quando hai chiaro che significa questo grafico ti accorgi che le due giunzioni fungono da "aspiratore" e controllando le tensioni decidi quale prevale...
e qui ne hai la prova...
http://img221.imageshack.us/img221/8749/bjtattivozg5.th.png (http://img221.imageshack.us/my.php?image=bjtattivozg5.png)http://img221.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
a quel punto diventa immediato associare la situazione che descrivi più sotto con una di questi 4 casi...
http://img221.imageshack.us/img221/2013/bjt4statiyt7.th.png (http://img221.imageshack.us/my.php?image=bjt4statiyt7.png)http://img221.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
quindi risulta immediato capire che la tensione applicata a ciascuno dei 3 terminali risulta la stessa del corrispondente strato di silicio, pertanto, almeno in prima approssimazione la tensione ai capi dei terminali si scarica tutta (o quasi) ai capi di ciascuna giunzione mentre all'interno del silicio equipotenziale, il moto avviene per via di un gradiente di concentrazione ( che emerge dal disegno coi 4 stati di funzionamento.. )
quindi questo disegno parla da solo...
http://img221.imageshack.us/img221/5434/bjtfluxyj1.th.png (http://img221.imageshack.us/my.php?image=bjtfluxyj1.png)http://img221.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
Ma se la stessa corrente passa attraverso entrambe le giunzioni che conclusioni posso trarre?
la corrente che attraversa le giunzioni non è esattamente la stessa
ciascuna corrente è descritta da una legge, che poi è la stessa delle giunzioni PN che è quella con gli esponenziali brutti e cattivi...
Quella, per capirla, devi guardartela a partire dalla teoria sulle giunzioni PN, solo dopo che l'hai capita puoi procedere, non prima, devi prenderne due, una per l'emettitore e una per il collettore, poi inizi ad introdurre le varie approssimazioni a seconda del particolare regime di funzionamento...
A voi la parola, se mi fate vedere uno schemino dove 1 transistor è usato come amplificatore di potenza ( senza complicazioni questoè di tipo A, questo di tipo B ecc.)
qui ti vai a fare ulteriore confusione...
amplificatore di potenza
tipologia di amplificazione
con la teoria del bjt non centrano una beneamata fava, però preferisco tornarci più tardi semmai...
e spiegate a questa testa di cocco come il fatto che si abbia in collettore la stessa i di emettitore determina l'amplificazione ve ne sarei veramente grato!
rimando a dopo... prima devi aver ben chiare le leggi sulle correnti del bjt... :)
http://img239.imageshack.us/img239/2140/bjteqzy1.th.png (http://img239.imageshack.us/my.php?image=bjteqzy1.png)http://img239.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
dario fgx
14-11-2008, 10:32
Tranquillo, non è per pignoleria o per pedanteria che faccio presenti certe cose, ma solo perchè un transistore può svolgere diverse funzioni, e in base alla regione di funzionamento si trova in un particolare stato, se ti serve di capire come funziona una cosa, il "più o meno" non aiuta..
non è così semplice, purtroppo...
è corretto...
l'aspetto interessante del pnp, è che il silicio di base viene attraversato da una corrente di minoritari in concentrazione significativamente maggiore dei "maggioritari" e quindi la loro concentrazione non si riduce... controllando la tensione di base, è possibile assottigliare o ispessire la regione svuotata restringendo il canale e quindi riducendo il numero di portatori che si ricombina all'interno della regione di base...
ora ha senso parlare di "morsetto negativo" il problema era che prima non avevi presentato la situazione che volevi analizzare..
probabilmente per te è un'altra puntualizzazione inutile, ma dire "polarizzazione inversa del silicio P" è sbagliato. Questo perchè l'espressione "Polarizzazione inversa" parte dal presupposto di "Polarizzazione naturale" che il silicio non ha, mentre invece una giunzione PN ha...
Un semiconduttore, drogato o meno è sempre elettricamente neutro, di conseguenza la tua tensione è costante, è solo quando realizziamo una giunzione PN che si crea la regione di svuotamento alla base della barriera di tensione propria dei diodi, di 0.6/0.8 volt ed è proprio grazie alla presenza delle due giunzioni che il transistor funziona.. sennò non funziona...
il bjt può essere visto in due modi:
come tre strati di silicio uno affianco all'altro...
come due giunzioni PN con una porzione di silicio contigua...
se prima non vedi il bjt in questo modo non ti possono essere chiari gli aspetti alla base del funzionamento... tipo questi...
http://img221.imageshack.us/img221/2525/bjtmassarz0.th.png (http://img221.imageshack.us/my.php?image=bjtmassarz0.png)http://img221.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
quando hai chiaro che significa questo grafico ti accorgi che le due giunzioni fungono da "aspiratore" e controllando le tensioni decidi quale prevale...
e qui ne hai la prova...
http://img221.imageshack.us/img221/8749/bjtattivozg5.th.png (http://img221.imageshack.us/my.php?image=bjtattivozg5.png)http://img221.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
a quel punto diventa immediato associare la situazione che descrivi più sotto con una di questi 4 casi...
http://img221.imageshack.us/img221/2013/bjt4statiyt7.th.png (http://img221.imageshack.us/my.php?image=bjt4statiyt7.png)http://img221.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
quindi risulta immediato capire che la tensione applicata a ciascuno dei 3 terminali risulta la stessa del corrispondente strato di silicio, pertanto, almeno in prima approssimazione la tensione ai capi dei terminali si scarica tutta (o quasi) ai capi di ciascuna giunzione mentre all'interno del silicio equipotenziale, il moto avviene per via di un gradiente di concentrazione ( che emerge dal disegno coi 4 stati di funzionamento.. )
quindi questo disegno parla da solo...
http://img221.imageshack.us/img221/5434/bjtfluxyj1.th.png (http://img221.imageshack.us/my.php?image=bjtfluxyj1.png)http://img221.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
la corrente che attraversa le giunzioni non è esattamente la stessa
ciascuna corrente è descritta da una legge, che poi è la stessa delle giunzioni PN che è quella con gli esponenziali brutti e cattivi...
Quella, per capirla, devi guardartela a partire dalla teoria sulle giunzioni PN, solo dopo che l'hai capita puoi procedere, non prima, devi prenderne due, una per l'emettitore e una per il collettore, poi inizi ad introdurre le varie approssimazioni a seconda del particolare regime di funzionamento...
qui ti vai a fare ulteriore confusione...
amplificatore di potenza
tipologia di amplificazione
con la teoria del bjt non centrano una beneamata fava, però preferisco tornarci più tardi semmai...
rimando a dopo... prima devi aver ben chiare le leggi sulle correnti del bjt... :)
http://img239.imageshack.us/img239/2140/bjteqzy1.th.png (http://img239.imageshack.us/my.php?image=bjteqzy1.png)http://img239.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
Le tue puntualizzazioni sono impeccabili.
Comunque, benchè dalle mia parole possa trasparire una certo grado di superficialità, ti garantisco che le leggi di cui parli me le sono studiante con cura, non solo ho anche avuto premura di partire dale basi e dimostrare, anche risolvendo le equazioni del caso, come si arriva a quelle espressioni( ce ne sono alcune con le funzioni iperboliche, dunque gli esponenziali non ci fanno più paura, nessuno sembra accorgersene ma noi a sc.mat facciamo la stessa matematica che fanno a fisica)
I discorsi su dove è concentrata la caduta di tensione. su dove agiscono i gradienti, sulla possibilià di controllora le dimensioni degli strati di svuotamento mediante le tensioni mi sno chiare.
Appena hai volgia\tempo possiamo passare a ciò che viene dopo.Tra l'altro le immagini che hai postato sono le stesse dello Sze :)
Grazie.
Dario.
Andiamo con ordine.
1)Capisco come sia fondamentale la disposizio circuitale per poter parlare di amplificatore.
Comunque sia da adesso in poi qui mi riferirò al transistor come ad un oggetto che può amplificare.Vi prego allora di evitare precisazione giuste ma forse un pò troppo "puntigliose".
Inoltre vi prego di considerare il fatto che io non ho un esame di dispositivi ma un esame di Fisica dello stato solido. Esso , ed altri precedenti, più che sui circuiti parte dalla meccanica quantistica per arivare a spiegare (con calcoli più o meno difficili) come e perchè si originano le bande e la loro particolare distribuzione nei semiconduttri.
Dunque la mia impronta è più sul perchè funzionano le cose e non sui dettagli tecnici.
non è pignoleria, un bjt è un bjt, come ti è già stato detto...se proprio lo vuoi vedere come qualcosa chiamiamolo generatore di corrente controllato! poi se devi fare un esame di fisica il discorso su circuiti equivalenti, resistenze e quant'altro non ti dovrebbe toccare perchè altrimenti rischi di fare un gran minestrone...cerca di capire come funziona la giunzione pn, insomma parti dal basso, non puoi partire a fare il bjt senza sapere cos'è il modello drift-diffusion o cose del genere...altrimenti fai solo confusione e non capisci niente. poi se hai già fatto fisica quantistica il discorso delle bande ti dovrebbe essere abbastanza chiaro...
Prendiamo un Transistor BJT PNP (P+NP)
La giunzione emettiroe base è polarizzata in maniera diretta.
Facciamo che l'emettitore sta a 15V e la base sta a 5V
Questo comporta che lo strato di svuotamento relativo a questa giunzione che da ora in poi chiamiamo EB si sia ridotto e che (senza entrare nel dettaglio) sia possibile considerare una resistenza (intesa nel senso puro del termine cioè una resistività che ostacola il passaggio dei portatori) di pochi ohm.Le "buche" entrano in base e, con i meccanismi che abbiamo abbndantemente descritto nella 1° pagina di questo thread, finiscono quasi tutte nel collettore.
La giunzione base collettore (BC) è polarizzata inversamente, questo è espresso da una resistenza al passaggio di cariche.Il Nobel sta nel fatto che si è riusciti a far passare delle cariche ugualmente perchè queste sono di segno opposto rispetto a quelle che ci si aspetterebbe in base. Oppure sbaglio??
Ora parlo di morsetto negativo perchè io il collettore posso mettercelo anche a -20V.
alla faccia :eek: :eek: stiamo parlando di un bjt di potenza, non di un bjt di segnale...cmq quando prendi in considerazione il funzionamento del bjt devi anche dire in che regione funziona...il bjt non lavora sempre in regione attiva, può anche lavorare in saturazione,. attiva inversa o può essere spento...
dario fgx
14-11-2008, 10:36
non è pignoleria, un bjt è un bjt, come ti è già stato detto...se proprio lo vuoi vedere come qualcosa chiamiamolo generatore di corrente controllato! poi se devi fare un esame di fisica il discorso su circuiti equivalenti, resistenze e quant'altro non ti dovrebbe toccare perchè altrimenti rischi di fare un gran minestrone...cerca di capire come funziona la giunzione pn, insomma parti dal basso, non puoi partire a fare il bjt senza sapere cos'è il modello drift-diffusion o cose del genere...altrimenti fai solo confusione e non capisci niente. poi se hai già fatto fisica quantistica il discorso delle bande ti dovrebbe essere abbastanza chiaro...
alla faccia :eek: :eek: stiamo parlando di un bjt di potenza, non di un bjt di segnale...cmq quando prendi in considerazione il funzionamento del bjt devi anche dire in che regione funziona...il bjt non lavora sempre in regione attiva, può anche lavorare in saturazione,. attiva inversa o può essere spento...
parlo di modalità attiva diretta
mi pare che da come l'ho polarizzato questo sia evidente
anche x te vale il mio post precedente.
ora devo dare l'esame di alettronica analogiaca e digitale.
Grazie.
dario.
parlo di modalità attiva diretta
anche x te vale il mio post precedente
Grazie.
dario.
non l'avevo letto, abbiamo scritto in contemporanea...chiedo scusa! :cry:
edit: però mi sfugge qualcosa...devi fare un esame di fisica dello stato solido (che non so di cosa parli...io ricordo che c'erano alcuni fisici che venivano a seguire le lezioni di dispositivi a ing), quindi non capisco cosa sia il "ciò che viene dopo"!!!! sono curiosità personali sull'utilizzo del bjt?
85francy85
14-11-2008, 10:47
non l'avevo letto, abbiamo scritto in contemporanea...chiedo scusa! :cry:
edit: però mi sfugge qualcosa...devi fare un esame di fisica dello stato solido (che non so di cosa parli...io ricordo che c'erano alcuni fisici che venivano a seguire le lezioni di dispositivi a ing), quindi non capisco cosa sia il "ciò che viene dopo"!!!! sono curiosità personali sull'utilizzo del bjt?
Azz noto solo ora che sei di parma :) . Hai gia finito ing elettronica?
dario fgx
14-11-2008, 10:51
non l'avevo letto, abbiamo scritto in contemporanea...chiedo scusa! :cry:
edit: però mi sfugge qualcosa...devi fare un esame di fisica dello stato solido (che non so di cosa parli...io ricordo che c'erano alcuni fisici che venivano a seguire le lezioni di dispositivi a ing), quindi non capisco cosa sia il "ciò che viene dopo"!!!! sono curiosità personali sull'utilizzo del bjt?
esattamente curiosità personali.
chiedi scusa?Ma figurati!
Io non studio Fisica ma Scienza dei Materiali.
Gli esami preparatori a quello di elettronica sono
Fisica teorica e struttura della materia che partono dalla soluzione dell'eqz di schroedinger per l'atomo isolato e per gli atomi in un reticolo dunque perchè si originano le bande di energia.
In fisica dello stato solido e strttura della materia si spiega, tra le altre cose, la distribuzione di fermi e la si applica al caso specifico dei SC classici fino ad arrivare al transistor.
Poi facciamo anche i SC organici che però non sono pertinenti al nostro discorso
Azz noto solo ora che sei di parma :) . Hai gia finito ing elettronica?
settimana prossima sono da cova per l'esame di industriale b, poi mi mancano ancora fisica moderna e misure a microonde! entro gennaio dovrei averli finiti diciamo....poi c'è quella stramaledetta tesi!!!!
dario fgx
14-11-2008, 11:01
alla faccia :eek: :eek: stiamo parlando di un bjt di potenza,
esatto bravissimo è questo che voglio capire!
esatto bravissimo è questo che voglio capire!
dicevo dalle tensioni che mettevi in gioco....un bjt di segnale non regge certe tensioni! per poterli usare in circuiti di potenza (alimentatori ad esempio), bisogna trasformarli "diciamo"...nel senso che si fanno a sviluppo verticale e non più orizzontale...questo è uno schema costruttivo di un bjt di potenza:
http://img46.imageshack.us/img46/2296/bjtrw0.th.jpg (http://img46.imageshack.us/my.php?image=bjtrw0.jpg)http://img46.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
la differenza stà nello sviluppo verticale e nella presenza della regione di drift n- che serve appunto per "reggere" grosse tensioni...di contro il bjt di potenza è tremendamente lento se confrontato con un bjt di segnale! ma questo diciamo che per il tuo corso non ha molta importanza...
dario fgx
14-11-2008, 11:20
dicevo dalle tensioni che mettevi in gioco....un bjt di segnale non regge certe tensioni! per poterli usare in circuiti di potenza (alimentatori ad esempio), bisogna trasformarli "diciamo"...nel senso che si fanno a sviluppo verticale e non più orizzontale...questo è uno schema costruttivo di un bjt di potenza:
http://img46.imageshack.us/img46/2296/bjtrw0.th.jpg (http://img46.imageshack.us/my.php?image=bjtrw0.jpg)http://img46.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
la differenza stà nello sviluppo verticale e nella presenza della regione di drift n- che serve appunto per "reggere" grosse tensioni...di contro il bjt di potenza è tremendamente lento se confrontato con un bjt di segnale! ma questo diciamo che per il tuo corso non ha molta importanza...
ti seguo.
dunque con simili tensioni in gioco possiamo parlare di ampli di potenza.
come va configurato il transistor nel circuito?Mi evidenziate esattamente in che modo si ha un guadagno in potenza?
Ovviamente appena avete tempo\voglia.
Grazie
Le tue puntualizzazioni sono impeccabili.
Comunque, benchè dalle mia parole possa trasparire una certo grado di superficialità, ti garantisco che le leggi di cui parli me le sono studiante con cura,
non lo metto in dubbio, però ho il sospetto che non hai ben chiaro il significato fisico di quelle leggi, perchè altrimenti certi dubbi non ci sarebbero,
sia chiaro che la mia non è un'accusa.. paradossalmente sono il primo a sorprendermi per queste obiezioni.. neanche io avevo ben chiaro cosa succedesse, poi per assurdo tempo dopo l'esame tutto ha assunto un senso :)
non solo ho anche avuto premura di partire dale basi e dimostrare, anche risolvendo le equazioni del caso, come si arriva a quelle espressioni( ce ne sono alcune con le funzioni iperboliche, dunque gli esponenziali non ci fanno più paura, nessuno sembra accorgersene ma noi a sc.mat facciamo la stessa matematica che fanno a fisica)
non è importante che tu abbia svolto i passaggi matematici, conta che tu abbia compreso il loro significato fisico...
che diavolo significa Is*e^Veb ad esempio, che rappresenta Is a livello fisico e e così via...
Tra l'altro le immagini che hai postato sono le stesse dello Sze :)
era voluto...
Per quanto riguarda le configurazione del bjt abbiamo 3 casi:
emettitore comune, base comune, collettore comune...
in ciascuno di questi 3 casi il dispositivo viene visto come un 2- porte sbilanciato, dove il terminale "comune" è appunto comune ad entrambe le porte...
per ogni porta hai corrente e tensione, fin qui penso sia tutto chiaro...
a questo punto vediamo l'idea su cui poggia il dispositivo:
le 3 correnti dei terminali e le 3 tensioni tra terminali sono legate dalle equazioni derivate dal modello di Ebers-Moll..
avendo la corrente di base possiamo controllare la corrente di collettore/emettitore.
facciamo una prova: applichiamo l'uscita mono di un lettore cd/mp3 ( è un segnale che ha la forma di una tensione tra il polo + e il polo -) tra base e collettore (il collettore è comune) che dovrebbe succedere? assolutamente nulla... manca l'alimentazione! :D per alimentarlo dobbiamo applicare una tensione tra emettitore e collettore, tuttavia il generatore fissa la tensione, quindi dobbiamo inserire in serie all'emettitore una resistenza.
In questo modo il terminale di uscita sarà il nodo tra emettitore e resistenza:
quando andiamo ad applicare un segnale in base, la corrente di base consente il passaggio della corrente di emettitore, che genera una caduta di tensione sul resistore, quando invece la corrente di base è nulla, la corrente di emettitore è nulla, e quindi la tensione ai capi del resistore è nulla...
chiaramente al terminale di uscita non deve circolare corrente, dobbiamo cioè soltanto leggere la tensione, se vogliamo il segnale correttamente amplificato.
dario fgx
14-11-2008, 11:34
non lo metto in dubbio, però ho il sospetto che non hai ben chiaro il significato fisico di quelle leggi, perchè altrimenti certi dubbi non ci sarebbero,
sia chiaro che la mia non è un'accusa.. paradossalmente sono il primo a sorprendermi per queste obiezioni.. neanche io avevo ben chiaro cosa succedesse, poi per assurdo tempo dopo l'esame tutto ha assunto un senso :)
non è importante che tu abbia svolto i passaggi matematici, conta che tu abbia compreso il loro significato fisico...
che diavolo significa Is*e^Veb ad esempio, che rappresenta Is a livello fisico e e così via...
era voluto...
Per quanto riguarda le configurazione del bjt abbiamo 3 casi:
emettitore comune, base comune, collettore comune...
in ciascuno di questi 3 casi il dispositivo viene visto come un 2- porte sbilanciato, dove il terminale "comune" è appunto comune ad entrambe le porte...
per ogni porta hai corrente e tensione, fin qui penso sia tutto chiaro...
a questo punto vediamo l'idea su cui poggia il dispositivo:
le 3 correnti dei terminali e le 3 tensioni tra terminali sono legate dalle equazioni derivate dal modello di Ebers-Moll..
avendo la corrente di base possiamo controllare la corrente di collettore/emettitore.
facciamo una prova: applichiamo l'uscita mono di un lettore cd/mp3 ( è un segnale che ha la forma di una tensione tra il polo + e il polo -) tra base e collettore (il collettore è comune) che dovrebbe succedere? assolutamente nulla... manca l'alimentazione! :D per alimentarlo dobbiamo applicare una tensione tra emettitore e collettore, tuttavia il generatore fissa la tensione, quindi dobbiamo inserire in serie all'emettitore una resistenza.
In questo modo il terminale di uscita sarà il nodo tra emettitore e resistenza:
quando andiamo ad applicare un segnale in base, la corrente di base consente il passaggio della corrente di emettitore, che genera una caduta di tensione sul resistore, quando invece la corrente di base è nulla, la corrente di emettitore è nulla, e quindi la tensione ai capi del resistore è nulla...
chiaramente al terminale di uscita non deve circolare corrente, dobbiamo cioè soltanto leggere la tensione, se vogliamo il segnale correttamente amplificato.
Visto che proprio non mi vuoi credere:D diciamo a cosa serve
Is^Veb
Cioè la corrente Is ( e ciò che ad essa è legata)
viene a dipendere esponenzialmente dalla tensione tra emettitore e base.
dunque ho l'opportunità di controllare una corrente in una regione variando la tensione ai capi di un'altra
Il resto del discoro non lo seguo bene.Io credo di aver capito ma facciamo che io pongo la domanda ed io confronto la tua risposta con la mia idea.Ok?
Tralasciamo per ora un transistor di potenza e mettoamoci su un piccolo segnale sinusoidale da amplificare
Ho un transistor npn polarizzato in maniera diretta.
Voglio amplifificare un segnale sinusoidale, in che configurazione è più conveniente mettere il transistor?
Definito ciò.
dove invio il segnale? e dove lo raccolgo amplificato?
perchè risulta amplificato?
p.s.:
circa le cose che si chiariscono solo dopo gli esami, che improvvisamente appaiono limpide:capita pure a me!
Visto che proprio non mi vuoi credere:D diciamo a cosa serve Is^Veb
Cioè la corrente Is ( e ciò che ad essa è legata)
viene a dipendere esponenzialmente dalla tensione tra emettitore e base.
dunque ho l'opportunità di controllare una corrente in una regione variando la tensione ai capi di un'altra
ecco bravo! 7+ non solo la domanda era retorica, e quindi non c'era bisogno di rispondere, ma la risposta è pure sbagliata...
Il resto del discoro non lo seguo bene.Io credo di aver capito ma facciamo che io pongo la domanda ed io confronto la tua risposta con la mia idea.Ok?
benissimo:
Tralasciamo per ora un transistor di potenza e mettoamoci su un piccolo segnale sinusoidale da amplificare
io non ho MAI parlato di transistor di potenza..
Ho un transistor npn polarizzato in maniera diretta.
Voglio amplifificare un segnale sinusoidale, in che configurazione è più conveniente mettere il transistor?
vuoi fare le domande, e le fai sbagliate... che risposte dovrei darti?
se il transistor lo hai già polarizzato vuol dire che la configurazione l'hai già scelta...
se cambi sempre il tipo del transistor che cappero ci capisci?
se non conosci le 3 configurazioni elementari, quando ti ho detto qual'è la configurazione migliore, come fai a capire perchè è quella migliore?
Definito ciò.
dove invio il segnale?
all'ingresso del 2-porte sbilanciato...
e dove lo raccolgo amplificato?
all'uscita del 2-porte sbilanciato...
perchè risulta amplificato?
soggetto implicito: il segnale di uscita
il segnale di uscita risulta amplificato perchè ha un'ampiezza proporzionale a quella dell'ingresso, e lo stesso andamento...
dario fgx
14-11-2008, 12:14
xchè la risposta è sbagliata?
ti seguo.
dunque con simili tensioni in gioco possiamo parlare di ampli di potenza.
come va configurato il transistor nel circuito?Mi evidenziate esattamente in che modo si ha un guadagno in potenza?
Ovviamente appena avete tempo\voglia.
Grazie
non ho mai usato un bjt di potenza, o almeno un dispositivo di potenza, come amplificatore....per amplificare di sicuro non si usano transistor discreti, ma si prendono ad esempio degli opamp oppure degli ota configurati in maniera opportuna...con questi è possibile ad esempio eseguire anche il logaritmo di una tensione in ingresso giusto per fare un esempio.
i dispositivi di potenza, non solo il bjt, sono usati soprattutto in circuiti di potenza, solitamente convertitori...in questi circuiti funzionano più che altro da interruttori, quindi in pratica devono essere in grado di bloccare grosse tensioni quando sono spenti, anche dell'ordine di 1000 V.
xchè la risposta è sbagliata?
è assurdo che tu mi abbia corretto, e poi abbia sbagliato a scrivere... :D
a parte quello, Is è la corrente inversa di giunzione (equivalente) : che dipende da temperatura, area di superficie e concentrazione di drogante...
mi fa strano che tu non abbia risposto con questa banalissima frase, se è vero che ti sei sviluppato tutte le espressioni del caso...
quello è il fattore comune a tutti i contributi di corrente nelle leggi del bjt poi c'è l'esponenziale, che è il contributo dominante, ma non l'unico...
il termine Is*e^Veb è il contributo domininante della corrente di emettitore per un Bjt di tipo Pnp in polarizzazione normale diretta, da esso dipendono le correnti di collettore e base attraverso due parametri, af e Bf rispettivamente...
ignorando questo quando vai a studiare un circuito a bjt non ci capisci una fava a livello complessivo, ergo diventa improbabile affrontare le configurazioni elementari del bjt, figuriamoci parlare di banda passante impedenza di ingresso e impedenza di uscita..
quando mi chiederai "perchè hai usato questa configurazione?" la risposta sarà arabo..
dario fgx
14-11-2008, 14:33
è assurdo che tu mi abbia corretto, e poi abbia sbagliato a scrivere... :D
a parte quello, Is è la corrente inversa di giunzione (equivalente) : che dipende da temperatura, area di superficie e concentrazione di drogante...
mi fa strano che tu non abbia risposto con questa banalissima frase, se è vero che ti sei sviluppato tutte le espressioni del caso...
quello è il fattore comune a tutti i contributi di corrente nelle leggi del bjt poi c'è l'esponenziale, che è il contributo dominante, ma non l'unico...
il termine Is*e^Veb è il contributo domininante della corrente di emettitore per un Bjt di tipo Pnp in polarizzazione normale diretta, da esso dipendono le correnti di collettore e base attraverso due parametri, af e Bf rispettivamente...
ignorando questo quando vai a studiare un circuito a bjt non ci capisci una fava a livello complessivo, ergo diventa improbabile affrontare le configurazioni elementari del bjt, figuriamoci parlare di banda passante impedenza di ingresso e impedenza di uscita..
quando mi chiederai "perchè hai usato questa configurazione?" la risposta sarà arabo..
Ma chi ti avrebbe corretto?
mi sono limitato a dare una risposta generica, del resto non mi pare che abbiamo definito una simbologia quindi quell'Is x me potrebbe indicare qualsiasi cosa!Considera che io non ho studiato la teoria dal Sedra.
Ad ogni modo mi rendo conto che è molto difficile discutere di questi argomenti senza convenzioni, immagini e formule.
Studierò meglio il Sedra ed esporrò successivamente i miei dubbi
Grazie a tutti.
Ma chi ti avrebbe corretto?
non era un'insulto...
inizialmente sbagliando ho scritto Is^Veb
quando hai quotato il mio post, nel quote era riportato (correttamente) Is*e^Veb :D
se non l'hai editato tu non so chi l'abbia fatto...
mah... solo successivamente ho corretto il mio post originale...
mi sono limitato a dare una risposta generica, del resto non mi pare che abbiamo definito una simbologia quindi quell'Is x me potrebbe indicare qualsiasi cosa!Considera che io non ho studiato la teoria dal Sedra.
Infatti è quella dello sze :)
Ad ogni modo mi rendo conto che è molto difficile discutere di questi argomenti senza convenzioni, immagini e formule.
Studierò meglio il Sedra ed esporrò successivamente i miei dubbi
trovi tutto a pagina 158 e seguenti dello sze
ancora meglio il muller kamins in particolare:
il modello per larghi segnali, a pagina 348
il modello per piccoli segnali a pagina 354
dario fgx
14-11-2008, 15:04
non era un'insulto...
inizialmente sbagliando ho scritto Is^Veb
quando hai quotato il mio post, nel quote era riportato (correttamente) Is*e^Veb :D
se non l'hai editato tu non so chi l'abbia fatto...
mah... solo successivamente ho corretto il mio post originale...
Infatti è quella dello sze :)
trovi tutto a pagina 158 e seguenti dello sze
ancora meglio il muller kamins in particolare:
il modello per larghi segnali, a pagina 348
il modello per piccoli segnali a pagina 354
ah!
nn mi ero neanche accorto che tu avessi sbagliato...figurati quanto peso ho dato alla mia risposta.
E' questo il problema del non parlarsi a 4 occhi, ci si fraintende e nn ci si corregge sul momento!
ah!
nn mi ero neanche accorto che tu avessi sbagliato...figurati quanto peso ho dato alla mia risposta.
E' questo il problema del non parlarsi a 4 occhi, ci si fraintende e nn ci si corregge sul momento!
cmq dai un occhio a quei paragrafi dei due libri...
a quel punto vedrai che il modello di ebers-moll definisce 4 parametri da cui si ricavano guadagno diretto e inverso e quindi ti viene immediatamente la teoria sugli amplificatori...
dario fgx
16-11-2008, 18:03
cmq dai un occhio a quei paragrafi dei due libri...
a quel punto vedrai che il modello di ebers-moll definisce 4 parametri da cui si ricavano guadagno diretto e inverso e quindi ti viene immediatamente la teoria sugli amplificatori...
Riecchime!
Allora, mi sono rivisto tutte la fisica del transistor e ripassato le equazioni del caso.
Scrivo qui per cercare conferma e per fissare le idee.
Con riferimento al Sedra, sezione 5.3.1, pagine 410\11\12\13 (pdf: 220 221):
Dato il circuito in figura 5.26a per un qualsiasi altro ipotetico dispositivo si avrebbe che la tensione Vce (Voutput) risulterebbe essere indipendente dalla tensione Vbe (Vinput). In realtà questo non si verifica in quanto la tensione Vbe controlla la corrente ic mediante una relazione esponenziale (effetto transistor).
Questo implica che una piccola variazione ( o meglio oscillazione) in Vbe si traduca in una oscillazione molto più marcata ( amplificata di un fattore Av) della tensione Vce.
Tale variazione è rappresentata dalla pendenza della tangente alla curva Vo\Vi
nella regione in cui il t. è polarizzato in maniera attiva diretta.Tale pendenza è frutto del termine esponenziale.
E' questa la corretta interpretazione?
Grazie.
Dario.
dario fgx
17-11-2008, 21:08
up
Riecchime!
scusa per il ritardo... ho visto solo ora il post;
Dato il circuito in figura 5.26a per un qualsiasi altro ipotetico dispositivo si avrebbe che la tensione Vce (Voutput) risulterebbe essere indipendente dalla tensione Vbe (Vinput). In realtà questo non si verifica in quanto la tensione Vbe controlla la corrente ic mediante una relazione esponenziale (effetto transistor).
Questo implica che una piccola variazione ( o meglio oscillazione) in Vbe si traduca in una oscillazione molto più marcata ( amplificata di un fattore Av) della tensione Vce.
Tale variazione è rappresentata dalla pendenza della tangente alla curva Vo\Vi
nella regione in cui il t. è polarizzato in maniera attiva diretta.Tale pendenza è frutto del termine esponenziale.
E' questa la corretta interpretazione?
uhm.. no..
noi abbiamo per le mani un dispositivo, ciò che ci interessa, è vedere cosa possiamo fargli fare:
la prima cosa da esaminare è la configurazione del transistor.
quello in figura è in configurazione ad emettitore comune, e pertanto si suppone che la corrente di uscita sia nulla.
( nell'esame delle configurazioni vedrai che tra il terminale di uscita e il carico viene interposto un condensatore che blocca la componente continua.)
individuata la configurazione si procede individuando le conseguenze che discendono dalla configurazione:
ovvero si cerca di capire chi sono Vb Vc e Ve, e quindi si calcolano Vce Vbe e Vbc perchè da esse dipende la regione di funzionamento del transistor.
a questo punto si valuta, per prima cosa, cosa succede in continua:
l'ipotesi di corrente di uscita nulla implica che tutta la corrente di collettore circoli attraverso la resistenza Rc, e pertanto tale corrente determina una caduta di tensione ai capi della resistenza in esame.
quindi : Vout = Vc-(Ic*Rc)
dato che maggiore è la corrente di uscita, minore è la tensione di uscita, se aumenta la tensione ( e la corrente,ricordati di Rpigrega), in ingresso, diminuisce la tensione di uscita.
infatti se in ingresso c'è corrente nulla o, equivalentemente, tensione nulla, la corrente di collettore sarà nulla quindi Vout = Vc, quando invece la tensione di ingresso aumenta la corrente di collettore aumenta e quindi la tensione diminuisce, avvicinandosi asintoticamente a zero.
da qui si ottiene la caratteristica ingresso uscita, che ovviamente ha pendenza negativa, e confrontando quest'ultima con le condizioni di polarizzazione delle due giunzioni si individuano le regioni della caratteristica associate al polarizzazione diretta, quella inversa, la saturazione e l'interdizione, segnando i punti di passaggio, individuando cioè i valori di Vi e di Vout, assunti in corrispondenza del limite tra due regioni.
alla fine si esamina il comportamento alle variazioni, ( ed eventualmente si "scindono" medie frequenze ed alte frequenze, ma lo vedrai più avanti ):
per prima cosa dobbiamo ricordare che il dispositivo è non lineare, quindi per studiare il sistema, dobbiamo cercare una regione in cui il comportamento del dispositivo sia lineare, che è dato da quei punti per cui la caratteristica può essere approssimata con la sua tangente.
abbiamo due modi di descrivere il fenomeno, quello simi-libro:
nelle regioni di saturazione ed interdizione la tangente è orizzontale, quindi finchè il dispositivo è in quello stato, piccoli scostamenti del segnale in ingresso non si riflettono sull'uscita,
che puntualmente non ci fa capire una mazza, tipica dei testi italiani,
e quella "in soldoni":
poichè il dispositivo è interdetto e la tensione di ingresso è lontana dalla tensione di soglia, che è la tensione che separa lo stato attivo da quello interdetto, delle piccole oscillazioni dell'ingresso non sono suficienti a polarizzare le giunzioni e a far passare corrente, quindi la tensione di uscita non varia:
mettendo tutto insieme otteniamo che:
se ci spostiamo lungo l'asse delle ascisse, di poco, rispetto alla tensione di partenza, sulla caratteristica ci muoviamo su un tratto orizzontale, che va a coincidere con la tangente, se riportiamo sull'asse delle ordinate, i valori di tensione, del punto che scorre sulla caratteristica, vediamo che tale proiezione non si muove, cioè la tensione di uscita non varia.
senza dilungarmi, osservi da te che se applichiamo una forte tensione continua in ingresso, e portiamo il dispositivo in saturazione, la cosa si ripete in modo perfettamente identico.
cosa succede invece nella regione attiva?
in questo caso poichè la caratteristica è quasi verticale e coincide per un tratto piuttosto esteso con la sua tangente, vediamo che la caratteristica è, in prima approssimazione, lineare, cioè avremo che l'uscita sarà proporzionale all'ingresso, e la costante di proporzionalità è data dal coefficiente angolare della tangente (che poi non è che una derivata.)
se quindi applichiamo una tensione in ingresso, che ci porti al centro del tratto verticale, possiamo individuare tale tensione spiccando la normale all'asse delle ascisse che intersechi la caratteristica nel punto voluto.
vediamo che applicando quella tensione costante, in uscita avremo una corrispondente tensione costante: abbiamo polarizzato il transistor per farlo lavorare nella regione attiva, il punto associato alla tensione di ingresso e di uscita si chiama punto di lavoro e lo identifichiamo con Q.
detto questo va da se che se facciamo variare in misura limitata , (ricordiamoci che stiamo esaminando il comportamento alle variazioni) , la tensione in ingresso, il dispositivo presenta, come volevamo, una tensione di uscita proporzionale all'ingresso, di più la costante di proporzionalità, in modulo, è molto grande, cioè scostamenti in ingresso piccoli permettono di avere in uscita escursioni molto grandi..
questo rappresenta potenzialmente un problema:
cosa succede se in ingresso abbiamo escursioni grandi?
il punto rappresentativo si allontana troppo dal punto di lavoro e usciamo dall'ipotesi di piccole oscillazioni, la prima approssimazione va a farsi friggere e abbiamo una cosa poco gradita: la distorsione...
per questo dobbiamo abbassare la pendenza, vedrai più avanti come si fa, oppure dobbiamo limitare l'ampiezza del segnale di ingresso...
altra cosa:
se abbiamo un segnale che, in ingresso si scosta sempre verso l'alto rispetto al punto di lavoro oppure sempre verso il basso, andremo a sfruttare soltanto una parte della caratteristica incontrando prematuramente la distorsione, ad esempio, per ovviare al problema spostiamo il punto di lavoro
in questo modo portiamo il range di tensioni in uscita, sempre a cavallo del tratto lineare, in modo da sfruttare al meglio il transistor:
come dove si sposta il punto di lavoro per escursioni verso l'alto?
ma in alto ovviamente, dobbiamo cioè abbassare la tensione di polarizzazione, in modo che la tensione di uscita sia libera di scendere senza incontrare la regione di saturazione...
il resto te lo lascio per casa... :)
è tutto, o almeno credo...
PS.
ma sta roba non era già scritta sul sedra?
PPS.
nota il differente punto di vista tra la mia descrizione e la tua, il grafico non è "conseguenza" di un fenomeno, ma una rappresentazione del fenomeno, i vari aspetti del grafico descrivono le relazioni tra grandezze: questa chiave di lettura è necessaria per capire tali grafici, altrimenti più avanti diventerai scemo, per interpretare diagrammi più complessi, quindi devi sempre chiederti cosa rappresentano i vari elementi del grafico.. quindi evita di pensare al condizionale :)
dario fgx
18-11-2008, 11:21
hibone, sei impeccabile come ti avrò gia detto più volte, però, se mi consenti mi pare che tu manchi di empatia, usando il termine in senso improprio.
Cioè se leggi bene quello che io ho scritto è un riassunto (infinitamente meno accurato) di questa tua frase:
"cosa succede invece nella regione attiva?
in questo caso poichè la caratteristica è quasi verticale e coincide per un tratto piuttosto esteso con la sua tangente, vediamo che la caratteristica è, in prima approssimazione, lineare, cioè avremo che l'uscita sarà proporzionale all'ingresso, e la costante di proporzionalità è data dal coefficiente angolare della tangente (che poi non è che una derivata.)
se quindi applichiamo una tensione in ingresso, che ci porti al centro del tratto verticale, possiamo individuare tale tensione spiccando la normale all'asse delle ascisse che intersechi la caratteristica nel punto voluto.
vediamo che applicando quella tensione costante, in uscita avremo una corrispondente tensione costante: abbiamo polarizzato il transistor per farlo lavorare nella regione attiva, il punto associato alla tensione di ingresso e di uscita si chiama punto di lavoro e lo identifichiamo con Q.
detto questo va da se che se facciamo variare in misura limitata , (ricordiamoci che stiamo esaminando il comportamento alle variazioni) , la tensione in ingresso, il dispositivo presenta, come volevamo, una tensione di uscita proporzionale all'ingresso, di più la costante di proporzionalità, in modulo, è molto grande, cioè scostamenti in ingresso piccoli permettono di avere in uscita escursioni molto grandi..
"
Forse ho lasciato intendere che il fenomeno è conseguenza del grafico ma se noti la questione del grafico l'ho messa dopo aver fatto le considerazioni sull'equzione cercando di mettere in evidenza il fatto che una tensione agisce sulla caduta di potenziale ai capi di un'altra resistenza regolando la corrente che in questa fluisce.
Il grafico è semplicemente una conseguenza del fenomeno che VA CAPITO.
Il grafico ti da una rappresentazione intuitiva, da dove deriva il grafico te lo devi spiegare da te guardando ai dettagli.
In verità tu ti sei proccupato di specificare una cosa che io avevo barbaramente omesso, e cioè che in quel tratto la caratteristica è lineare e dunque lineare è la proporzionalità tra Vin e Vout.
Insomma Hibone io e te non ci si capisce:muro: :muro: :muro: ??
Questo non mi impedisce di ringraziarti comuque per la disponibiltà:p !
Comuque la critica che mi hai giustamente rivolto sui punti di vista differenti dovresti in realtà farla all'autore del testo:
Infatti se noti il testo introduce gli amplificatori proprio con quel grafico li!
(vedi sezioni 1.4, 1.5)
Cioè non ti dice subito da dove esce il grafico!
e ti dirò di più il mio frettolosissimo prof tutte queste considerazioni che mi sto andando a fare io non le ha minimamente accennate, ma presto farà un esonero con tanto di crcuiti da risolvere e simulazione in p-spice.
inoltre sono io che ai miei colleghi di corso sto facendo presente che esiste il Sedra a risolvere i nostri problemi.
Pensa che ci ha spiegato p quali sono i problemi che determinano a basse freq i condensatori di disaccoppiamento ma non ci ha spiegato perchè si mettono!
La questione sulla necessità di polarizzare bene il transistor e di scegliersi un punto di lavoro idoneo è chiara e limpida.
ciò che mi interessa è che ora ho capito grazie a queste semplici 2 paginette è perchè dato quel circuito, posso raccogliere un segnale adeguatamente amplificato.
certe volte, causa la mia tendenza ad "approssimare", mi pare che tu mi prenda x un minchione:cry: :D
hibone, sei impeccabile come ti avrò gia detto più volte, però, se mi consenti mi pare che tu manchi di empatia, usando il termine in senso improprio.
io manco di un po di tutto...
Cioè se leggi bene quello che io ho scritto è un riassunto (infinitamente meno accurato) di questa tua frase:
la prossima volta usa il quote però sennò non ci si capisce una mazza... :)
Forse ho lasciato intendere che il fenomeno è conseguenza del grafico ma se noti la questione del grafico l'ho messa dopo aver fatto le considerazioni sull'equzione cercando di mettere in evidenza il fatto che
no... era proprio "sbagliata l'impostazione" nel senso che il discorso andava iniziato "da un'altra parte" quindi non ho potuto isolare le singole cose...
dato che l'impianto generale della spiegazione mette in luce quello che uno ha capito, se la descrizione viene impostata male il prof immediatamente ti secca.
aggiungo una cosa, nel post precedente ho voluto affrontare l'analisi del transistor in modo sistematico, quello è l'approccio che si usa nello studio di un circuito elettonico, l'esplicitazione di tale metodo la trovi anche sul sedra, dopo aver affrontato amplificatori differenziali etc...
una tensione agisce sulla caduta di potenziale ai capi di un'altra resistenza regolando la corrente che in questa fluisce.
:wtf: cosa?
non per essere pedante, ma parlando a questo modo ad un prof ti tagli le gambe...
Il grafico è semplicemente una conseguenza del fenomeno che VA CAPITO.
Il grafico ti da una rappresentazione intuitiva, da dove deriva il grafico te lo devi spiegare da te guardando ai dettagli.
La mia posizione su questo la conosci già...
In verità tu ti sei proccupato di specificare una cosa che io avevo barbaramente omesso, e cioè che in quel tratto la caratteristica è lineare e dunque lineare è la proporzionalità tra Vin e Vout.
Pensavo di aver detto appena appena qualcosina in più... :wtf:
Comuque la critica che mi hai giustamente rivolto sui punti di vista differenti dovresti in realtà farla all'autore del testo:
Infatti se noti il testo introduce gli amplificatori proprio con quel grafico li!
(vedi sezioni 1.4, 1.5)
Cioè non ti dice subito da dove esce il grafico!
lo dice nel paragrafo 1.4.8...
e ti dirò di più il mio frettolosissimo prof tutte queste considerazioni che mi sto andando a fare io non le ha minimamente accennate, ma presto farà un esonero con tanto di crcuiti da risolvere e simulazione in p-spice.
il prof ha 120 ore al massimo per tutto il corso...
alle volte può anche essere un cattivo prof...
questo va messo in conto...
che libri ha consigliato?
Pensa che ci ha spiegato p quali sono i problemi che determinano a basse freq i condensatori di disaccoppiamento ma non ci ha spiegato perchè si mettono!
questo perchè bisogna avere chiaro in mente cosa fa un condensatore, ricorda che molte cose sono date per scontate dai corsi precedenti...
La questione sulla necessità di polarizzare bene il transistor e di scegliersi un punto di lavoro idoneo è chiara e limpida.
da come hai esposto il problema in precedenza non mi era parso, per questo ho voluto darti un quadro generale di come si analizza un ipotetico circuito...
certe volte, causa la mia tendenza ad "approssimare", mi pare che tu mi prenda x un minchione:cry: :D
e tu non approssimare... :O
dall'approssimazione al pressappochismo il passo è breve, per questo preferisco descrivere una cosa in maniera chiara, anche a rischio di essere pedante. elementi che io do per scontati potrebbero nn esserlo, e in un argomento delicato, come un esame, soprattutto se complesso, la chiarezza è tutto...
dario fgx
18-11-2008, 12:59
assodate tutte queste belle cose.
Ora vorrei cercare di capire una cosa.
Noi abbiamo schematizzato il transistor introducendo un generatore di corrente (con riferimento a pagina 401 figura 5.20, pdf:215)
Inoltre nella equazione 5.50 ( pag 410) ed in ciò che segue diciamo che la corrente Ic la controlliamo con Vbe.
Ma dunque tale corrente prescinde dalla resistenza di collettore?
Con riferimento all'equazione 5.34 di pag 390(derivante dal modello di E.M.)
vediamo che fintanto che manteniamo la giunzione collettore\base inversamente polarizzata il secondo termine a destra della 5.34 è trascurabile.
Dunque, riferendoci ancora al circuito di figura 5.26a, se noi mettessimo Vcc ad un potenziale molto alto (ad esempio 30v) potremmo scegliere Rc molto grande ma avere ancora il collettore più alto della base di almeno 0.4v, per certi valori di corrente Ic magari gli stessi di prima, dunque avere il transistor che non entra in saturazione comunque.
però in questo modo avremmo la stessa Ic su una Rc molto grande?
E' corretto?
E' di utilità pratica?
dario fgx
18-11-2008, 13:04
oops postato assime!
rispondo dopo all'altro post.
assodate tutte queste belle cose.
Ora vorrei cercare di capire una cosa.
Noi abbiamo schematizzato il transistor introducendo un generatore di corrente (con riferimento a pagina 401 figura 5.20, pdf:215)
Inoltre nella equazione 5.50 ( pag 410) ed in ciò che segue diciamo che la corrente Ic la controlliamo con Vbe.
Ma dunque tale corrente prescinde dalla resistenza di collettore?
nella figura 5.20 non c'è la resistenza di collettore...
se ti riferisci alla figura 5.26, è chiaro che la corrente di collettore non dipende dalla resistenza di collettore.
Con riferimento all'equazione 5.34 di pag 390(derivante dal modello di E.M.) vediamo che fintanto che manteniamo la giunzione collettore\base inversamente polarizzata il secondo termine a destra della 5.34 è trascurabile.
Perchè? e^0 = 1 quindi tale termine è uguale a Is/a circa uguale a Is, raccogliendo Is si ottiente circa 1, non è detto che sia sempre trascurabile, in determinate situazioni va considerata..
Dunque, riferendoci ancora al circuito di figura 5.26a, se noi mettessimo Vcc ad un potenziale molto alto (ad esempio 30v) potremmo scegliere Rc molto grande ma avere ancora il collettore più alto della base di almeno 0.4v, per certi valori di corrente Ic magari gli stessi di prima, dunque avere il transistor che non entra in saturazione comunque.
Perdonami, non capisco il senso del tuo ragionamento...
Ammesso, e non concesso, che il transistor sia in grado si sopportare tensioni e correnti arbitrariamente grandi sui 3 rami, e che quindi non si bruci prima di saturare:
Cosa mi impedisce di applicare in ingresso una tensione pari a Vcc?
Cosa mi impedisce d avere Vc = 0?
La corrente Ic, è vincolata a Rc dalla sola legge di ohm...
Vcc-Vc = Rc*Ic
però in questo modo avremmo la stessa Ic su una Rc molto grande?
E' corretto?
E' di utilità pratica?
Dillo tu a me...
dario fgx
18-11-2008, 14:55
nella figura 5.20 non c'è la resistenza di collettore...
se ti riferisci alla figura 5.26, è chiaro che la corrente di collettore non dipende dalla resistenza di collettore.
parlavo della 5.20 x indicare la modellizzazione.
Perchè? e^0 = 1 quindi tale termine è uguale a Is/a circa uguale a Is, raccogliendo Is si ottiente circa 1, non è detto che sia sempre trascurabile, in determinate situazioni va considerata..
certo, volevo evidenziare che in modalità attiva possiamo trascurarlo.
Perdonami, non capisco il senso del tuo ragionamento...
Ammesso, e non concesso, che il transistor sia in grado si sopportare tensioni e correnti arbitrariamente grandi sui 3 rami, e che quindi non si bruci prima di saturare:
Cosa mi impedisce di applicare in ingresso una tensione pari a Vcc?
Cosa mi impedisce d avere Vc = 0?
La corrente Ic, è vincolata a Rc dalla sola legge di ohm...
Vcc-Vc = Rc*Ic
Voglio capire come funziona un amplificatore di potenza...
prima di cominciare, in merito a questo post c'è nulla da dire?
http://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=25064772&postcount=52
parlavo della 5.20 x indicare la modellizzazione.
Ro non è la resistenza di collettore, ma la resistenza di uscita, serve a modellare l'effetto early, concettualmente è tutta un'alta cosa..
certo, volevo evidenziare che in modalità attiva possiamo trascurarlo.
non è detto...
il bjt è costituito di due giunzioni PN e dalla caratteristica del diodo vedi che finchè la tensione è sotto gli 0.6 volt il contributo di quell' "1" non è trascurabile...
solo quando il punto di lavoro è sul tratto quasi lineare, in genere è possibile trascurarlo.
Voglio capire come funziona un amplificatore di potenza...
:doh: vedo che il masochismo non ti manca...
ok buon divertimento... hai tutto il capitolo 14 del sedra :D
Voglio capire come funziona un amplificatore di potenza...
tipo amplificatori push-pull, classe a, b, ab, etc....?
diciamo una cosa di questo tipo:
http://img353.imageshack.us/img353/803/snapshot18ep3.th.png (http://img353.imageshack.us/my.php?image=snapshot18ep3.png)http://img353.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
che c'entrano col tuo corso?
dario fgx
18-11-2008, 15:51
prima di cominciare, in merito a questo post c'è nulla da dire?
http://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=25064772&postcount=52
Ro non è la resistenza di collettore, ma la resistenza di uscita, serve a modellare l'effetto early, concettualmente è tutta un'alta cosa..
non è detto...
il bjt è costituito di due giunzioni PN e dalla caratteristica del diodo vedi che finchè la tensione è sotto gli 0.6 volt il contributo di quell' "1" non è trascurabile...
solo quando il punto di lavoro è sul tratto quasi lineare, in genere è possibile trascurarlo.
:doh: vedo che il masochismo non ti manca...
ok buon divertimento... hai tutto il capitolo 14 del sedra :D
si ho capito cosa è r0, lasciamo stare questo argomento.
effettivamente c'è qualcosa da dire su quel post, ma il ragionamento sarebbe vasto, forse perchè, da quel che mi pare di capire, tu hai vissuto in una università quando c'era un'ordinamento completamente da quello che c'è adesso (per mia sfortuna).Dunque tralasciando questa discussione e restando in topic
tu hai scritto:
" cosa?
non per essere pedante, ma parlando a questo modo ad un prof ti tagli le gambe...
"
,in riferimento alla mia frase:
"
una tensione agisce sulla caduta di potenziale ai capi di un'altra resistenza regolando la corrente che in questa fluisce.
"
Di fatto noi cambiamo il termine Rc*Ic controllando Ic mediante exp[Vbe\Vt]
non vedo dove sia l'assurdità!?
"
una tensione agisce sulla caduta di potenziale ai capi di un'altra resistenza regolando la corrente che in questa fluisce.
"
scusa se mi intrometto ma il significato di questa frase mi è oscuro :wtf:
dario fgx
18-11-2008, 16:06
scusa se mi intrometto ma il significato di questa frase mi è oscuro :wtf:
Ma figurati, scusate anzi se adesso non potrò più rispondere xchè sto studiando altro (in particolare una roba che si chiama elettroanalitica, cosi' giusto per darvi un'idea di quanto sia variegato il nostro corso di studi e quanto possano essere diversi gli argomenti che ci troviamo a trattare) .
comunque ho cercato di spiegarlo dopo
con quest'altra frase:
"
Di fatto noi cambiamo il termine Rc*Ic controllando Ic mediante exp[Vbe\Vt]
"
Ma figurati, scusate anzi se adesso non potrò più rispondere xchè sto studiando altro (in particolare una roba che si chiama elettroanalitica, cosi' giusto per darvi un'idea di quanto sia variegato il nostro corso di studi e quanto possano essere diversi gli argomenti che ci troviamo a trattare) .
comunque ho cercato di spiegarlo dopo
con quest'altra frase:
"
Di fatto noi cambiamo il termine Rc*Ic controllando Ic mediante exp[Vbe\Vt]
"
ops :doh:
non avevo letto....
cmq non avendo il circuito davanti mi risulta difficile...mi pare di capire che Rc sia la resistenza di carico sul collettore! e tra collettore e massa cos'hai? un condensatore?
in riferimento alla mia frase:
"
una tensione agisce sulla caduta di potenziale ai capi di un'altra resistenza regolando la corrente che in questa fluisce.
"
Di fatto noi cambiamo il termine Rc*Ic controllando Ic mediante exp[Vbe\Vt]
non vedo dove sia l'assurdità!?
sotto al tuo naso :O
allora...
per ordine:
innanzitutto tieni presente che caduta di potenziale si usa poco, di solito si usa caduta di tensione o differenza di potenziale, in ogni caso il "potenziale" si usa in elettrostatica, all'uscita di un generatore non hai una differenza di potenziale, ma una forza elettromotrice, :D per questo si parla di Tensione..
Se la cosa ti sembra "da poco" ricordati che:
il potenziale è conservativo per definizione stessa di potenziale!!
la forza elettromotrice non è conservativa, anche in questo caso si potrebbe dire per definizione, visto che altrimenti coinciderebbe col potenziale.
quindi il concetto che ci sta dietro e tutt'altra cosa.
In secondo luogo la tensione ( in ingresso andrebbe specificato) agisce sulla corrente, che attraversa il bjt, ed è solo perchè al terminale la corrente di uscita è nulla che tale corrente passa attraverso Rc. In un circuito reale questo generalmente non avviene, quindi Ir = Ic+Iout con Iout diverso da zero...
Ps ti ho segnalato di specificare tensione di ingresso o meglio Vi, sennò non si capisce di che parli, e può generare confusione...
dario fgx
18-11-2008, 16:20
sotto al tuo naso :O
allora...
per ordine:
innanzitutto tieni presente che caduta di potenziale si usa poco, di solito si usa caduta di tensione o differenza di potenziale, in ogni caso il "potenziale" si usa in elettrostatica, all'uscita di un generatore non hai una differenza di potenziale, ma una forza elettromotrice, :D per questo si parla di Tensione..
Se la cosa ti sembra "da poco" ricordati che:
il potenziale è conservativo per definizione stessa di potenziale!!
la forza elettromotrice non è conservativa, anche in questo caso si potrebbe dire per definizione, visto che altrimenti coinciderebbe col potenziale.
quindi il concetto che ci sta dietro e tutt'altra cosa.
In secondo luogo la tensione ( in ingresso andrebbe specificato) agisce sulla corrente, che attraversa il bjt, ed è solo perchè al terminale la corrente di uscita è nulla che tale corrente passa attraverso Rc. In un circuito reale questo generalmente non avviene, quindi Ir = Ic+Iout con Iout diverso da zero...
Ps ti ho segnalato di specificare tensione di ingresso o meglio Vi, sennò non si capisce di che parli, e può generare confusione...
ecco questo fatto della corrente di uscita nulla non l'ho ben capito ed ho dimenticato di chiderlo prima, se cortesemente puntualizzi te ne sarei grato:)
ecco questo fatto della corrente di uscita nulla non l'ho ben capito ed ho dimenticato di chiderlo prima, se cortesemente puntualizzi te ne sarei grato:)
il terminale di uscita è collegato al carico attraverso un condensatore.
tutto qui...
cosa succede in continua al circuito?
e in frequenza?
dario fgx
18-11-2008, 18:29
il terminale di uscita è collegato al carico attraverso un condensatore.
tutto qui...
cosa succede in continua al circuito?
e in frequenza?
il condensatori vengono messi per bloccare le componenti continue di tensione e corrente ed evitare che il carico (oppure il generatore di segnale a frequenza) intervengano a modificare la polarizzazione del transistor.
I segnali a frequenza sono invece liberi di propagrasi.
è giusto prof?:D
@sasa
la questione degli amplificatori di potenza mi interessa perchè sono anche io (come hibone) interessato alle psu!
il condensatori vengono messi per bloccare le componenti continue di tensione e corrente ed evitare che il carico (oppure il generatore di segnale a frequenza) intervengano a modificare la polarizzazione del transistor.
I segnali a frequenza sono invece liberi di propagrasi.
è giusto prof?:D
no! questa me l'hai copiata pari pari, quindi non è valida :O
scherzi a parte, mi riferisco al fatto che quando fai lo studio del circuito, quello che ti ho scritto qui,
http://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=25059562&postcount=50
per prima cosa si traccia il circuito equivalente, in continua e poi alle variazioni. in continua i condensatori sono ciruiti aperti, e gli induttori dei corti, e infine si annullano i generatori di tensioni e correnti alternate ( come? cioè con cosa sostituisci gli uni e con cosa sostituisci gli altri? )
quando passi allo studio alle variazioni i condensatori diventano cortocircuiti, le induttanze dei circuiti aperti, e i generatori di tensioni e correnti continue si annullano ( come? cioè con cosa sostituisci gli uni e con cosa sostituisci gli altri? )
cosa succede quindi al tuo circuito a bjt?
@sasa
la questione degli amplificatori di potenza mi interessa perchè sono anche io (come hibone) interessato alle psu!
e ma il discorso è un po' complesso...cioè io ci ho fatto 20 crediti di esami sugli amplificatori (amplificatori in senso stretto) e ne avrei potuto fare altri 10, ma sinceramente certe cose non mi piacciono e quindi mi butto su altro! quello che voglio dirti è che hai bisogno di alcune basi da cui partire, adesso però ovviamente io non so cosa tu abbia già studiato e cosa no.
dario fgx
18-11-2008, 19:28
[QUOTE=hibone;25071489]no! questa me l'hai copiata pari pari, quindi non è valida :O
scherzi a parte, mi riferisco al fatto che quando fai lo studio del circuito, quello che ti ho scritto qui,
http://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=25059562&postcount=50
per prima cosa si traccia il circuito equivalente, in continua e poi alle variazioni. in continua i condensatori sono ciruiti aperti, e gli induttori dei corti, e infine si annullano i generatori di tensioni e correnti alternate ( come? cioè con cosa sostituisci gli uni e con cosa sostituisci gli altri? )
edit
nn sò cosa è successo a questo messaggio
comunque dicevo che il prof ci ha fatto i circuiti equivalenti in contuinua ed alternata, quindi me lli risparmierei x ora.
nn sò cosa è successo a questo messaggio
ti sei scordato il tag [/QUOTE]
comunque dicevo che il prof ci ha fatto i circuiti equivalenti in contuinua ed alternata, quindi me lli risparmierei x ora.
allora rispondi :)
che succede ad RC in continua? e in alternata?
dario fgx
18-11-2008, 20:49
ti sei scordato il tag
allora rispondi :)
che succede ad RC in continua? e in alternata?
si me lo sarò mangiato.
allora in DC:
i condensatori diventano un circuito aperto
il generatore di sinusoidale si sostituisce con la sua resistenza interna
mentre in AC
i condens vanno sostituiti con dei corti e Vcc con la resistenza interna della batteria
dario fgx
18-11-2008, 20:58
adesso avrei un'altra riflessione:
ragionando sulle capacità parassita, ad alta frequenza queste mi riducono il guadagno xchè, mi pare di capire, in un tipico circuito di amplificazione ad emitter comune possiamo immaginarci una capacità ad esempio tra base e massa che mi da una via di fuga per la corrente alternata entrante in base, è cosi'?
Mi chiedevo una roba cosi' avviene anche nei transistor dei nostri proci?
cioè il segnale in ingresso al transistor diviene difficile da interpretare e la cpu sbaglia i conti?
Come interviene l'overvolt a migliorare la faccenda?
Mi chiedevo una roba cosi' avviene anche nei transistor dei nostri proci?
cioè il segnale in ingresso al transistor diviene difficile da interpretare e la cpu sbaglia i conti?
i processori utiizzano i mosfet....se ci fossero i bjt altro che 100W :D
dario fgx
18-11-2008, 21:31
e ma il discorso è un po' complesso...cioè io ci ho fatto 20 crediti di esami sugli amplificatori (amplificatori in senso stretto) e ne avrei potuto fare altri 10, ma sinceramente certe cose non mi piacciono e quindi mi butto su altro! quello che voglio dirti è che hai bisogno di alcune basi da cui partire, adesso però ovviamente io non so cosa tu abbia già studiato e cosa no.
in effetti forse x il momento trascurerò questa parte.Se negli esami a scelta deciderò di prendere qualcosa sulla fabbricazione dei dispositivi a sc magari approfondisco.
In effetti l'idea è quella...cioè tu nn mi puoi andare a fabbricare i dispositivi se poi non sai com'è che funzionano! :muro:
dario fgx
18-11-2008, 21:33
i processori utiizzano i mosfet....se ci fossero i bjt altro che 100W :D
si questo lo so...però voglio dire i problemi ad alte frequenze sono legate a delle capacità parassita?
si questo lo so...però voglio dire i problemi ad alte frequenze sono legate a delle capacità parassita?
il mosfet è praticamente un condensatore :D
cosa intendi per problemi ad alte frequenze? forse ti riferisci al clock limitato?
dario fgx
18-11-2008, 21:48
il mosfet è praticamente un condensatore :D
cosa intendi per problemi ad alte frequenze?
cioè quando overclockki!
detto molto vagamente:
io ricordo che tutto nella cpu è sincronizzato su un segnale (il clock) che fa passare i mos da acceso a spento con la sua frequenza, quando questo segnale diventa impreciso o di ampiezza tale da non consentire al transistor di discriminare cosa gli sta dicendo di fare il segnale, la cpu sbaglia i conti cioè non sa più se sta lvorando su di uno 0 oppure si un 1.
Immagino che alterazioni simili in questo segnale possano essere correlate a "perdite" dovute alle capacità parassita che intervengono ad alte frequenze.
...immagino...
si me lo sarò mangiato.
allora in DC:
i condensatori diventano un circuito aperto
il generatore di sinusoidale si sostituisce con la sua resistenza interna
mentre in AC
i condens vanno sostituiti con dei corti e Vcc con la resistenza interna della batteria
quello lo avevo già detto credo...
il punto è che in continua Rc ( eventualmente in serie con la resistenza interna del generatore ) è l'unico carico...
in alternata Rc ( eventualmente in serie con la resistenza interna del generatore ) finisce in parallelo al carico
dario fgx
18-11-2008, 22:02
quello lo avevo già detto credo...
il punto è che in continua Rc ( eventualmente in serie con la resistenza interna del generatore ) è l'unico carico...
in alternata Rc ( eventualmente in serie con la resistenza interna del generatore ) finisce in parallelo al carico
si, perchè in continua il conensatore mi stacca RL
cioè quando overclockki!
detto molto vagamente:
io ricordo che tutto nella cpu è sincronizzato su un segnale (il clock) che fa passare i mos da acceso a spento con la sua frequenza, quando questo segnale diventa impreciso o di ampiezza tale da non consentire al transistor di discriminare cosa gli sta dicendo di fare il segnale, la cpu sbaglia i conti cioè non sa più se sta lvorando su di uno 0 oppure si un 1.
Immagino che alterazioni simili in questo segnale possano essere correlate a "perdite" dovute alle capacità parassita che intervengono ad alte frequenze.
...immagino...
il segnale di clock da la cadenza al circuito....ad esempio, quando ho avuto a che fare con la progettazione di circuiti digitali, i pezzi cadenzati dal clock erano i registri (flip-flop o altro), questi memorizzano un dato che arriva da una rete combinatoria, se il clock va troppo veloce la rete non riesce a stargli dietro e quindi il registro memorizza un dato errato...la frequenza in un circuito complesso va dimensionata rispetto al caso peggiore quindi, il first encounter della cadence calcola in automatico il "worst path", cioè il percorso più lungo presente nel circuito (poi c'è la possibilità di fare reti particolari ma non mi addentro nel discorso)...che ne so magari risulta che per fare una moltiplicazione l'alu ci mette 100 ns e per tutte le altre operazioni ci mette 8 ns, io posso dimensionare il clock a 100 MHz, ce la faccio a pelo a fare le operazioni, ma quando vien fuori una moltiplicazione esce un dato inconsistente....non so se mi sono spiegato.
i ritardi all'interno della rete sono dovuti soprattutto alle linee di trasmissione dei segnali, e al fatto che nella pratica la porta a monte deve caricare una capacità, ergo ritardo, e poi al fatto che i mosfet hanno una certa frequenza di taglio, oltre la quale attenuano il segnale in ingresso, e questa frequenza dipende dall'inverso della lunghezza di canale.
dario fgx
19-11-2008, 13:54
ragazzi scusate x studiare l'amplificatore differenziale con 2 bjt da che pagina mi conviene cominciare?
ragazzi scusate x studiare l'amplificatore differenziale con 2 bjt da che pagina mi conviene cominciare?
c'è la sezione sulle configurazioni differenziali...
parti da quelle
dario fgx
19-11-2008, 14:55
l'ho trovata ma non sarebbe meglio partire dagli op amp?
l'ho trovata ma non sarebbe meglio partire dagli op amp?
di solito quella si fa prima di passare al bjt, proprio per chiarire i vari aspetti di un amplificatore (non necessariamente differenziale.)
dario fgx
20-11-2008, 21:42
di solito quella si fa prima di passare al bjt, proprio per chiarire i vari aspetti di un amplificatore (non necessariamente differenziale.)
ok mi pare di aver capito come funzina questo ampli differenziale...avrei tuttavia un problemi nel capire per bene il circuito che ci ha disegnato il prof e che poi è quello che useremo in lab.
purtroppo se vi posto il link diretto da "FORBIDDEN"
vi prego allora di voler andare qui:
http://www.ba.infn.it/~marangel/dispense/dispense.htm e scegliere: "Dispense del corso di Laboratorio di elettronica analogica e digitale( per la laurea triennale in scienza dei materiali)",
che è la 7 casella partendo da sopra
cliccando poi sul link per l'ampli differenziale trovate le dispense del mio prof per la parte di laboratorio.
Con riferimento al pdf numero 5 c'è una cosa che non capisco:
ci sono 3 bjt identici, 2 dei quali, quelli paralleli, formano il "pair", mentre quello che sta sotto dovrebbe dare la corrente di polarizzazione...
e' cosi'?
ok mi pare di aver capito come funzina questo ampli differenziale...avrei tuttavia un problemi nel capire per bene il circuito che ci ha disegnato il prof e che poi è quello che useremo in lab.
purtroppo se vi posto il link diretto da "FORBIDDEN"
vi prego allora di voler andare qui:
http://www.ba.infn.it/~marangel/dispense/dispense.htm e scegliere: "Dispense del corso di Laboratorio di elettronica analogica e digitale( per la laurea triennale in scienza dei materiali)",
che è la 7 casella partendo da sopra
cliccando poi sul link per l'ampli differenziale trovate le dispense del mio prof per la parte di laboratorio.
Con riferimento al pdf numero 5 c'è una cosa che non capisco:
ci sono 3 bjt identici, 2 dei quali, quelli paralleli, formano il "pair", mentre quello che sta sotto dovrebbe dare la corrente di polarizzazione...
e' cosi'?
si... non mi pare una configurazione così esotica... ce ne dovrebbe essere una analoga sul sedra...
ps...
usa rapidshare la prossima volta... :)
dario fgx
21-11-2008, 14:53
si... non mi pare una configurazione così esotica... ce ne dovrebbe essere una analoga sul sedra...
ps...
usa rapidshare la prossima volta... :)
quelle usate sul sedra sono tutte a più transistor
(sezioni 6.3 e 6.12)
grazie 1K
dario fgx
24-11-2008, 14:53
ragazzi dve trovo un pò di algebra booleana?
un teso?
85francy85
24-11-2008, 14:58
Non odiarmi ma spesso Wikipedia è fatta per benino :D
http://it.wikipedia.org/wiki/Algebra_di_Boole
poi sotto trovi tutti i link ai vari argomenti piu specifici. Se hai domande mirate poi ti consiglio di aprire un topic come questo magari evitando di attaccarti ad un testo cosi magari hai piu persone che ti possono rispondere :)
dario fgx
24-11-2008, 15:16
si... non mi pare una configurazione così esotica... ce ne dovrebbe essere una analoga sul sedra...
solo ora ho riletto bene la tua risposta...dove credi che possa trovarla esattamente?
te lo chiedo perchè non mi è ben chiaro ciò che c'è scritto alla dispensa numero 4 di quelle che ti ho postato.
Come avrai notatato certe cose sono fatte ad-capokkia, mentre io già mi sto innamorando del Sedra.
dario fgx
24-11-2008, 15:17
Non odiarmi ma spesso Wikipedia è fatta per benino :D
http://it.wikipedia.org/wiki/Algebra_di_Boole
poi sotto trovi tutti i link ai vari argomenti piu specifici. Se hai domande mirate poi ti consiglio di aprire un topic come questo magari evitando di attaccarti ad un testo cosi magari hai piu persone che ti possono rispondere :)
ok, molte grazie...appena avrò studiato, se ci saranno ( e ci saranno ) , dei dubbi posterò qualche domandina!
solo ora ho riletto bene la tua risposta...dove credi che possa trovarla esattamente?
te lo chiedo perchè non mi è ben chiaro ciò che c'è scritto alla dispensa numero 4 di quelle che ti ho postato.
Come avrai notatato certe cose sono fatte ad-capokkia, mentre io già mi sto innamorando del Sedra.
sezione 7...
differential pairs (coppie differenziali...)
dario fgx
24-11-2008, 19:27
sezione 7...
differential pairs (coppie differenziali...)
si ho studiato questa sezione.
Facendo riferimento alla figura 7.20 di pagina 714 vediamo come gli emitter sono collegati ad una resistenza Ree.Le mie dispense Quelle che ho postato sopra) dicono che per abbattere il guadagno in common mode bisogna rendere grande Ree , questo però richiederebbe alimentazione a centinaia di volt. E va bene.
Ora con capisco bene il ragionamento che fa dopo, in pratica dice (come tu mi confermavi) che il transistor di sotto da la corrente di polarizzazione mentre invece oppone una forte resistenza al segnale.Questa forte resistenza è dovuta al fatto che la giunzione collettore base è inversamente polarizzata e che dunque un segnale che voglia propagarsi in giù viene fermato?Nel senso che a noi interessa che la resistenza sia grande solo per il segnale...
Mi chiarisci hibone la situazione?
Grazie!
dario fgx
24-11-2008, 20:13
help!!!
si ho studiato questa sezione.
Facendo riferimento alla figura 7.20 di pagina 714 vediamo come gli emitter sono collegati ad una resistenza Ree.Le mie dispense Quelle che ho postato sopra) dicono che per abbattere il guadagno in common mode bisogna rendere grande Ree , questo però richiederebbe alimentazione a centinaia di volt. E va bene.
Secondo me fai confusione da qualche parte...
Nel caso della figura del sedra ci sono delle ipotesi ben precise, non puoi prescindere da queste ultime, altrimenti non ti sarà chiaro un bel nulla...
Probabilmente anche il tuo professore avrà fatto/sottinteso delle ben specifiche ipotesi, senza le quali la tua affermazione non ha senso, che significa dire che Ree deve essere molto grande e che ci vogliono centinaia di volt? in quali condizioni?
La resistenza Ree se non ricordo male non sta li "per sport" discende da un paio di elementi ben precisi che dovrei averti già fatto notare...
Ora con capisco bene il ragionamento che fa dopo, in pratica dice (come tu mi confermavi) che il transistor di sotto da la corrente di polarizzazione mentre invece oppone una forte resistenza al segnale.Questa forte resistenza è dovuta al fatto che la giunzione collettore base è inversamente polarizzata e che dunque un segnale che voglia propagarsi verso massa viene fermato?
Mi chiarisci hibone la situazione?
Grazie!
meglio affrontare una cosa per volta.. qui sta venendo fuori un minestrone senza ne capo ne coda...
hai già guardato le configurazioni elementari alle variazioni? tanto per avere un'idea ?
dario fgx
24-11-2008, 20:49
Secondo me fai confusione da qualche parte...
Nel caso della figura del sedra ci sono delle ipotesi ben precise, non puoi prescindere da queste ultime, altrimenti non ti sarà chiaro un bel nulla...
Probabilmente anche il tuo professore avrà fatto/sottinteso delle ben specifiche ipotesi, senza le quali la tua affermazione non ha senso, che significa dire che Ree deve essere molto grande e che ci vogliono centinaia di volt? in quali condizioni?
La resistenza Ree se non ricordo male non sta li "per sport" discende da un paio di elementi ben precisi che dovrei averti già fatto notare...
meglio affrontare una cosa per volta.. qui sta venendo fuori un minestrone senza ne capo ne coda...
hai già guardato le configurazioni elementari alle variazioni? tanto per avere un'idea ?
Ho guardato e capito fino a pagina 717, saltando quelle poche cose che non mi interessavano.
Se hai voglia di rivedere le dispense che ti ho postato prima, puoi trovare tutte le ipotesi.Nel pdf numero 4 esattamente la descrizione di ciò che non ho ben capito.
tnx
http://www.ba.infn.it/~marangel/dispense/Lab%20elettronica%20sc_mat/dispense_analog_digit_scmat.htm
dici questa il pdf sul transistor bipolare?
a che pagina?
dario fgx
24-11-2008, 21:09
http://www.ba.infn.it/~marangel/dispense/Lab%20elettronica%20sc_mat/dispense_analog_digit_scmat.htm
dici questa il pdf sul transistor bipolare?
a che pagina?
no il pdf sul differenziale e operazionale
pagina 4 c'è il mio quesito
pagine prima le ipotesi.
Però sei davvero troppo gentile, fallo solo quando ti và! :)
Ho guardato e capito fino a pagina 717, saltando quelle poche cose che non mi interessavano.
Se hai voglia di rivedere le dispense che ti ho postato prima, puoi trovare tutte le ipotesi.Nel pdf numero 4 esattamente la descrizione di ciò che non ho ben capito.
tnx
per prima cosa devi osservare che lui passa da una configurazione bilanciata, ad una sbilanciata, tutte le ipotesi che fa il sedra sulla simmetria della configurazione vengono meno...
il passaggio è banale solo in apparenza...
Idem per la resistenza "dinamica" come la chiama lui...
guardati la configurazione a emettitore comune alle variazioni del singolo Bjt...
il sedra ti fa quasi tutti i passaggi... devi cercarti Rout...
come dissi più sopra devi impararti "a memoria" tutte le configurazioni elementari...
dario fgx
24-11-2008, 21:33
Scusa hibone ma non riesco a seguirti ora...cosa vuol dire esattamente:
"guardati la configurazione a emettitore comune alle variazioni del singolo Bjt...
il sedra ti fa quasi tutti i passaggi... devi cercarti Rout... "
??
Che vuol dire "alle variazioni del singolo bjt" ?
A quali passaggi ti riferisci esattamente? Li sto rivedendo passo passo proprio adesso quelli di pagina 707 e le relative conseguenze.
Scusa hibone ma non riesco a seguirti ora...cosa vuol dire esattamente:
"guardati la configurazione a emettitore comune alle variazioni del singolo Bjt...
il sedra ti fa quasi tutti i passaggi... devi cercarti Rout... "
??
Che vuol dire "alle variazioni del singolo bjt" ?
A quali passaggi ti riferisci esattamente? Li sto rivedendo passo passo proprio adesso quelli di pagina 707 e le relative conseguenze.
pagine 467-468-469 del sedra :)
analisi alle variazioni dell'amplificatore singolo stadio a bjt ad emettitore comune :)
dario fgx
24-11-2008, 21:46
edit abbim postato insieme
vado a leggere
dario fgx
24-11-2008, 21:50
ok m'hai dato i compiti per casa :D
mi sa che però rimando a domani pomeriggio xche domattina il treno parte alle 6:44!
Buona notte dal :muro: !!
dario fgx
25-11-2008, 11:40
sto studiando la parte che mi hai detto di ripassare, però prima di arrivare là vorrei chiedere una cosa:
.
visto che dovevo studiare per bene prima di farti delle domande ho ripreso più a monte, in particolare sto studiando per bene il bias del transistor bjt a pag 438.
Non mi è chiara na roba:
per stabilizzare Ie si usano R1 ed R2 ( in figura 5.44 a) piccole, questo comporta una resistenza alll'input dell'amplificatore ( la base) piuttosto bassa, cioè richiede una grande corrente da parte della psu.Perchè questo è sconveniente?Perchè le alte correnti in gioco o perchè se il segnale è preso dall'uscita di un altro transistor questo non può erogare la corrente necessaria?
sto studiando la parte che mi hai detto di ripassare, però prima di arrivare là vorrei chiedere una cosa:
.
visto che dovevo studiare per bene prima di farti delle domande ho ripreso più a monte, in particolare sto studiando per bene il bias del transistor bjt a pag 438.
Non mi è chiara na roba:
per stabilizzare Ie si usano R1 ed R2 ( in figura 5.44 a) piccole, questo comporta una resistenza alll'input dell'amplificatore ( la base) piuttosto bassa, cioè richiede una grande corrente da parte della psu.Perchè questo è sconveniente?Perchè le alte correnti in gioco o perchè se il segnale è preso dall'uscita di un altro transistor questo non può erogare la corrente necessaria?
:wtf:
cosa succede in continua?
e alle variazioni?
dario fgx
25-11-2008, 13:51
:wtf:
cosa succede in continua?
e alle variazioni?
no hibone non sto ancora parlando del bjt in modalità emitter comune come amplificatore di segnale, sto parlando della polarizzazione in dc del bjt trattata nella sezione 5.5
no hibone non sto ancora parlando del bjt in modalità emitter comune come amplificatore di segnale, sto parlando della polarizzazione in dc del bjt trattata nella sezione 5.5
si questo l'ho capito, ma non mi ero accorto che hai editato il post cambiato radicalmente domanda, mi avevi chiesto a che diavolo serviva il condensatore di bypass, era per questo che ti ho chiesto che succede alle variazioni...
dario fgx
25-11-2008, 14:05
si questo l'ho capito, ma non mi ero accorto che hai editato il post cambiato radicalmente domanda, mi avevi chiesto a che diavolo serviva il condensatore di bypass, era per questo che ti ho chiesto che succede alle variazioni...
si ho editato perchè era evidente e l'avevamo gia detto, in realtà la domanda era più specifica , cmq lasciamo perdere quell'argomento.
per stabilizzare Ie si usano R1 ed R2 ( in figura 5.44 a) piccole, questo comporta una resistenza alll'input dell'amplificatore ( la base) piuttosto bassa, cioè richiede una grande corrente da parte della psu.Perchè questo è sconveniente?Perchè le alte correnti in gioco o perchè se il segnale è preso dall'uscita di un altro transistor questo non può erogare la corrente necessaria?
detta brutalmente è così, si, in realtà andrebbe spiegata in modo un tantino più "aggraziato"... la spiegazione completa e documentata la trovi all'inizio del libro quando vengono introdotte le 4 famiglie di amplificatori.
se rappresenti il generatore del segnale col modello di thevenin vedi che la resistenza interna del generatore Rg si trova in serie con la resistenza di ingresso del circuito Ri, quindi hai un partitore resistivo, e la tensione letta non è altro che quella ai capi di Ri...
quindi più è piccola Ri più è bassa la tensione che costituisce il segnale, a quel punto quindi devo amplificarla, ma cosi amplifico anche il rumore elettrico e termico.. etc etc..
dario fgx
25-11-2008, 14:34
detta brutalmente è così, si, in realtà andrebbe spiegata in modo un tantino più "aggraziato"... la spiegazione completa e documentata la trovi all'inizio del libro quando vengono introdotte le 4 famiglie di amplificatori.
se rappresenti il generatore del segnale col modello di thevenin vedi che la resistenza interna del generatore Rg si trova in serie con la resistenza di ingresso del circuito Ri, quindi hai un partitore resistivo, e la tensione letta non è altro che quella ai capi di Ri...
quindi più è piccola Ri più è bassa la tensione che costituisce il segnale, a quel punto quindi devo amplificarla, ma cosi amplifico anche il rumore elettrico e termico.. etc etc..
ti ringrazio per il chiarimento.Capirai però che per 4 crediti non posso studiarmi proprio tutto il sedra.
Comunque sia studiando mi sto rendendo conto di quanto fossero sconsiderate le mie considerazioni fatte agli inizi e perchè tu ti arrabbiavi tanto!
dario fgx
25-11-2008, 15:25
mi confermi che c'è un errore nella equazione 5.113 di pag 468 ?
mi confermi che c'è un errore nella equazione 5.113 di pag 468 ?
a me pare corretta...
dario fgx
25-11-2008, 15:34
a me pare corretta...
ma Rin non è il parallelo tra Rpi ed Rb ?
se no come fà ad ottenere il passaggio dopo?
secondo me nn se ne sò accorti e sono andati avanti
ma Rin non è il parallelo tra Rpi ed Rb ?
se no come fà ad ottenere il passaggio dopo?
secondo me nn se ne sò accorti e sono andati avanti
:wtf:
perchè li che c'è scritto?
quello è il parallelo tra RB e R-pigreco
dario fgx
25-11-2008, 15:42
:wtf:
perchè li che c'è scritto?
quello è il parallelo tra RB e R-pigreco
si vede che ho una versione diversa dalla tua perchè a me mette Rin al numeratore come il parallelo tra Rb ed Rpi, invece sotto diventa la somma di Rb ed Rpi.
Sarà una svista corretta nelle equazioni successive.
Comunque ho capito fino all'equazione 5.118poi non ho capito come faccio a vedere qual'è la resistenza di di out.Perchè devo cortocircuitare Vsig?
dario fgx
25-11-2008, 16:05
comunque sia una volta ricavata Rout nel mio caso non essendoci Rc...quello che vuoi dirmi è che è r0 la resistenza vista dal segnale guardando nel collettore?
non ci sto capendo nulla...com'è che lui( il mio prof.) ricava quella strana espressione per la resistenza vista dal segnale?
si vede che ho una versione diversa dalla tua perchè a me mette Rin al numeratore come il parallelo tra Rb ed Rpi, invece sotto diventa la somma di Rb ed Rpi.
Sarà una svista corretta nelle equazioni successive.
vedrai che l'equazione è giusta...
http://img384.imageshack.us/img384/8945/eqpw4.th.png (http://img384.imageshack.us/my.php?image=eqpw4.png)http://img384.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
Comunque ho capito fino all'equazione 5.118poi non ho capito come faccio a vedere qual'è la resistenza di di out.Perchè devo cortocircuitare Vsig?
questa è banale... ma bisogna che ti sforzi...
elettrotecnica: come si rappresenta un due porte bilanciato?
come lo si descrive?
dario fgx
25-11-2008, 16:33
vedrai che l'equazione è giusta...
http://img384.imageshack.us/img384/8945/eqpw4.th.png (http://img384.imageshack.us/my.php?image=eqpw4.png)http://img384.imageshack.us/images/thpix.gif (http://g.imageshack.us/thpix.php)
questa è banale... ma bisogna che ti sforzi...
elettrotecnica: come si rappresenta un due porte bilanciato?
come lo si descrive?
proprio no...mai fatta elettrotecnica!
non so cos'è un 2 porte sbilanciato!
circa l'equaione non capisco... quello è un partitore di tensione? perchè Rin prima è rappresentata n un modo e poi in un altro?
proprio no...mai fatta elettrotecnica!
non so cos'è un 2 porte sbilanciato!
non hai mai studiato come risolvere un circuito elettrico prima? com'è possibile? non hai mai caratterizzato un trasformatore ideale o altri 4-poli?
comunque sia, dal primo capitolo...
V1 = R11*I1+R12*I2
V2 = R21*I1+R22*I2
circa l'equaione non capisco... quello è un partitore di tensione? perchè Rin prima è rappresentata n un modo e poi in un altro?
c'è scritto 2 righe più su... e scommetto che se fai 2 sostituizioni ti diventa immediatamente chiaro... li in mezzo c'è qualcosa che si semplifica...
dario fgx
25-11-2008, 17:02
non hai mai studiato come risolvere un circuito elettrico prima? com'è possibile? non hai mai caratterizzato un trasformatore ideale o altri 4-poli?
comunque sia, dal primo capitolo...
V1 = R11*I1+R12*I2
V2 = R21*I1+R22*I2
c'è scritto 2 righe più su... e scommetto che se fai 2 sostituizioni ti diventa immediatamente chiaro... li in mezzo c'è qualcosa che si semplifica...
si ma se tu mi parli di quadrupoli sbilanciati io non so a cosa ti riferisci
cmq adesso mi rivedo pure queste cose.
e mi rivedo pure la storia dell'equazione 5.113
cmq io non ho mai caratterizzato un trasformatore ideale!:D Le mie nozioni sno tutte tipo fisica II e non certo tipo elettrotecnica!
si ma se tu mi parli di quadrupoli sbilanciati io non so a cosa ti riferisci
http://www.lightside.it/images/smiles/ohccristo.gifhttp://www.lightside.it/images/smiles/ohccristo.gif
doppio bipolo
quadripolo bilanciato
2-porte
come cavolo lo chiami un dispositivo elettronico con 4 morsetti lineare?
cmq adesso mi rivedo pure queste cose.
e mi rivedo pure la storia dell'equazione 5.113
cmq io non ho mai caratterizzato un trasformatore ideale!:D Le mie nozioni sno tutte tipo fisica II e non certo tipo elettrotecnica!
se non hai mai approfondito la teoria dei circuiti perdi solo tempo temo...
questo è il bipolo...
http://it.wikipedia.org/wiki/Bipolo
il doppio bipolo ha 4 terminali anzichè 2
dario fgx
25-11-2008, 17:42
...hmmmm...seguo....c'è pure sulle dispense del mio prof.Peccato che non si sia mai degnato di spiegarcelo di persona!.
allora siamo arivati a dimostrare che Rout = Rc//r0 ...
Purtroppo non vedo alcun nesso con quanto ti chiedevo in origine :confused:
...hmmmm...seguo....c'è pure sulle dispense del mio prof.Peccato che non si sia mai degnato di spiegarcelo di persona!.
allora siamo arivati a dimostrare che Rout = Rc//r0 ...
Purtroppo non vedo alcun nesso con quanto ti chiedevo in origine :confused:
il nesso è sotto il tuo naso...
quando usi un bjt come generatore di corrente non hai Rc cioè il collettore è collegato direttamente agli emettitori ( collegati insieme ) dell'amplificatore differenziale...
quindi la Rout del generatore si riduce ad r0 ma r0 è la resistenza che connette il collettore all'emettitore, e per come è definita è dell'ordine dei 100K per cui hai la resistenza molto grande che cercavi...
l'insieme di passaggi ti dimostra che alle variazioni l'unica resistenza è r0, che non è la resistenza di giunzione inversamente polarizzata, ma la resistenza dovuta all'effetto early, effetto che corrisponde alla variazione dello spessore della regione di svuotamento, al variare della tensione applicata, dato che a tensione costante la regione di svuotamento non varia, non c'è effetto early e quindi la resistenza non c'è. alle variazioni al contrario essa compare, proprio a causa del fatto che oscillando la tensione di collettore, oscilla la tensione Vbc (B è fissa per via del partitore resistivo e dato che la corrente di base è molto piccola essa non altera la tensione di uscita del partitore)
dario fgx
25-11-2008, 18:27
questa volta però l'avev vista la cosa sotto il mio naso! :D
comunque sia una volta ricavata Rout nel mio caso non essendoci Rc...quello che vuoi dirmi è che è r0 la resistenza vista dal segnale guardando nel collettore?
ma perchè allora il mio prof la resistenza vista dal segnale la rappresenta con quella formula barbara?
dario fgx
25-11-2008, 18:29
ah mi era sfuggita l'ultima cosa però!
quella raffinatezza che hai aggiunto dopo l'edit....mi pare giusto!
L'hai proprio studiato bene sto Sedra!
dario fgx
26-11-2008, 21:48
hibone...mi chiedevo una cosa:
per ricavare che Routput = Rc//r0 si è fatto uso del modello ibrido pi
ma tale modello non è valido solo per i piccoli segnali (Vsig<<Vt ) ??
e se io lavoro con 50mV picco-picco?
dario fgx
26-11-2008, 22:29
altro dubbio...
il fatto che vpi a pag 469 sia 0 comporta che il generatore di corrente di fatto non fa passare allcuna corrente?
dunque posso vederlo come una resistenza infinita?
quindi ho 1\Rtot = 1\Rinf +1\r0 + 1\RC = 1\r0 + 1\RC ?
E' giusto?
hibone...mi chiedevo una cosa:
per ricavare che Routput = Rc//r0 si è fatto uso del modello ibrido pi
ma tale modello non è valido solo per i piccoli segnali (Vsig<<Vt ) ??
e se io lavoro con 50mV picco-picco?
questo è un problema di "analisi matematica"...
per "piccoli segnali" si intende un'estensione di tensioni per cui la caratteristica tensione corrente è lineare.. le altre condizioni sono conseguenze di questa ipotesi e nient'altro...
tale ipotesi serve per costruire un modello approssimato che descriva in maniera sufficientemente accurata il comportamento del dispositivo, nel caso specifico il modello è quello di Ebers - Moll..
se tali condizioni non sono valide il modello non è più affidabile, quindi se ne usa uno diverso, che estenda le capacità del primo e che si riduca al primo in regime di piccoli segnali...
come caso limite quando si devono considerare situazioni non lineari si procede con l'analisi numerica e quindi tramite computer...
comunque nel tuo caso non dovresti avere problemi perchè le non linearità si sfruttano generalmente per realizzare degli oscillatori generatori di segnale et similia...
al contrario quando si realizzano gli amplificatori si vuole che essi siano lineari, perchè la distorsione armonica non è mai apprezzabile e quindi si introducono degli accorgimenti, necessari a far lavorare il dispositivo in condizioni di linearità o di quasi linearità...
dario fgx
27-11-2008, 07:19
Ti ringrazio...invece in merito a questo:
altro dubbio...
il fatto che vpi a pag 469 sia 0 comporta che il generatore di corrente di fatto non fa passare allcuna corrente?
dunque posso vederlo come una resistenza infinita?
quindi ho 1\Rtot = 1\Rinf +1\r0 + 1\RC = 1\r0 + 1\RC ?
E' giusto?
??
Ti ringrazio...invece in merito a questo:
??
non l'avevo visto... strano...
cmq sostituisci il circuito equivalente e risolvi, le relazioni le hai tutte...
quindi ho 1\Rtot = 1\Rinf +1\r0 + 1\RC = 1\r0 + 1\RC ?
dipende da quanto vale Rtot...
dario fgx
27-11-2008, 14:09
non l'avevo visto... strano...
cmq sostituisci il circuito equivalente e risolvi, le relazioni le hai tutte...
dipende da quanto vale Rtot...
puoi essere più chiaro?
E' giusto sostituire il generatore di corrente con una resistenza infinita?
puoi essere più chiaro?
E' giusto sostituire il generatore di corrente con una resistenza infinita?
dipende..
sostituire il generatore di corrente con una resistenza infinita ha un significato ben preciso, per cui ha senso in particolari condizioni, non ha senso in altre..
dario fgx
27-11-2008, 14:29
dipende..
sostituire il generatore di corrente con una resistenza infinita ha un significato ben preciso, per cui ha senso in particolari condizioni, non ha senso in altre..
ok ma nel nostro caso specifico quello che stiamo analizzando noi dove Vpi è zero e dunque g*Vpi è nullo possiamo farlo?
E' questo che sottointende il libro quando si preoccupa di specificare che Vpi è nullo?
...cantava Edoardo Bennato...
Scusami.. Ho trovato il punto cui ti riferivi...
Cosa c'è da spiegare? È tutto cristallino:
l'autore calcola la resistenza di uscita ( come si fa? perchè?) per questo annulla il generatore di segnale.. Per questa ragione http://operaez.net/mimetex/v_%5Cpi si riduce a zero, e come conseguenza anche il generatore controllato si spegne,( e quindi? ), ottenendo il valore di resistenza in uscita che vedi...
Qui ci sono un po di domande... trovagli una risposta...
dario fgx
27-11-2008, 15:00
...cantava Edoardo Bennato...
Scusami.. Ho trovato il punto cui ti riferivi...
Cosa c'è da spiegare? È tutto cristallino:
l'autore calcola la resistenza di uscita ( come si fa? perchè?) per questo annulla il generatore di segnale.. Per questa ragione http://operaez.net/mimetex/v_%5Cpi si riduce a zero, e come conseguenza anche il generatore controllato si spegne,( e quindi? ), ottenendo il valore di resistenza in uscita che vedi...
Qui ci sono un po di domande... trovagli una risposta...
Io e te non ci si capisce non ci si capisce non ci si capisce!!! :muro: :muro: :muro: :muro:
Allora:
1) Mi hai fatto imparare come si calcola la resistenza di output: RO
Devo passivare il generatore Vsig
2) Ciò comporta che anche vi, quindi vpi è nullo
3) se vpi è nullo anche g*vpi è nullo
4)il generatore si spegne dunque lo rimpiazzo con una resistenza infinita: Rinf
5) calcolo 1\RO= 1\Rinf + 1\Rc + 1\ro
6) 1\Rinf = 0
7)RO= RC*ro\(Rc+ro)
Io volevo solo sapere se questo ragionamento è giusto o no.
Spero di essere stato chiaro e dettagliato :) :p
dario fgx
27-11-2008, 15:18
spero non ti siano cadute le braccia :fiufiu:
Io e te non ci si capisce non ci si capisce non ci si capisce!!! :muro: :muro: :muro: :muro:
mica posso farti trovare la pappetta pronta... :D
sorry mi ha tratto in inganno Vpi... quindi non ho capito a cosa ti riferissi e mi sono tenuto sul vago...
Allora:
1) Mi hai fatto imparare come si calcola la resistenza di output: RO
Devo passivare il generatore Vsig
2) Ciò comporta che anche vi, quindi vpi è nullo
3) se vpi è nullo anche g*vpi è nullo
4)il generatore si spegne dunque lo rimpiazzo con una resistenza infinita: Rinf
5) calcolo 1\RO= 1\Rinf + 1\Rc + 1\ro
6) 1\Rinf = 0
7)RO= RC*ro\(Rc+ro)
Io volevo solo sapere se questo ragionamento è giusto o no.
Spero di essere stato chiaro e dettagliato :) :p
ni!
4)il generatore si spegne dunque lo rimpiazzo con una resistenza infinita: Rinf
http://operaez.net/mimetex/%5Cfrac{1}{R_{inf}} , modo davvero complicato per scrivere 0... :wtf:
Personalmente non mi piace parlare di resistenza infinita, conduttanza nulla e così via... è fuorviante, sarà una questione di sfumature, ma non lo trovo molto corretto.
un generatore di corrente è un bipolo: quindi ha due grandezze elettriche e una sola legge che le lega...
in questo caso i(t) = f(t) dove f(t) è la generica legge usata, mentre i(t) è la legge della corrente, come vedi in questo caso la tensione non è specificata, quindi è arbitraria...
un generatore di corrente controllato e ideale è un quadripolo, o due porte, e avrà quindi 4 grandezze e 2 leggi, in particolare:
http://operaez.net/mimetex/i{_1}(t)=g_{11}v{_1}(t)
http://operaez.net/mimetex/i{_2}(t)=g_{21}v{_1}(t)
Per cui, volendo, sarebbe più corretto parlare di transconduttanza nulla..
il problema è che la (trans)conduttanza e la (trans)resistenza sono grandezze che legano tensione e corrente, per cui prendere quelle grandezze, e poi considerare un caso limite, mi pare una forzatura.
c'è tanto bene il bipolo circuito aperto che ha come legge
i(t) = 0
perchè non usarlo?
tagli via il generatore e tanti saluti, senza portarti dietro il termine http://operaez.net/mimetex/%5Cfrac{1}{R_{inf}}..
dario fgx
27-11-2008, 17:18
mica posso farti trovare la pappetta pronta... :D
sorry mi ha tratto in inganno Vpi... quindi non ho capito a cosa ti riferissi e mi sono tenuto sul vago...
ni!
http://operaez.net/mimetex/%5Cfrac{1}{R_{inf}} , modo davvero complicato per scrivere 0... :wtf:
Personalmente non mi piace parlare di resistenza infinita, conduttanza nulla e così via... è fuorviante, sarà una questione di sfumature, ma non lo trovo molto corretto.
un generatore di corrente è un bipolo: quindi ha due grandezze elettriche e una sola legge che le lega...
in questo caso i(t) = f(t) dove f(t) è la generica legge usata, mentre i(t) è la legge della corrente, come vedi in questo caso la tensione non è specificata, quindi è arbitraria...
un generatore di corrente controllato e ideale è un quadripolo, o due porte, e avrà quindi 4 grandezze e 2 leggi, in particolare:
http://operaez.net/mimetex/i{_1}(t)=g_{11}v{_1}(t)
http://operaez.net/mimetex/i{_2}(t)=g_{21}v{_1}(t)
Per cui, volendo, sarebbe più corretto parlare di transconduttanza nulla..
il problema è che la (trans)conduttanza e la (trans)resistenza sono grandezze che legano tensione e corrente, per cui prendere quelle grandezze, e poi considerare un caso limite, mi pare una forzatura.
c'è tanto bene il bipolo circuito aperto che ha come legge
i(t) = 0
perchè non usarlo?
tagli via il generatore e tanti saluti, senza portarti dietro il termine http://operaez.net/mimetex/%5Cfrac{1}{R_{inf}}..
ok ti seguo ora!
Grazie.
dario fgx
30-11-2008, 17:08
nn mi sono ancora spiegato perchè in figura 5.60b di pagina 467
Rc sta messa a terra mentre invce in fig. 5.60a ha l'altro capo a Vcc
questo è valido solo per il segnale ?
EDIT Totale
vcc sta a 0v dunque a massa...ma allora com'è polarizzato sto transistor col generatore posto sull'emitter?
nn mi sono ancora spiegato perchè in figura 5.60b di pagina 467
Rc sta messa a terra mentre invce in fig. 5.60a ha l'altro capo a Vcc
questo è valido solo per il segnale ?
EDIT Totale
vcc sta a 0v dunque a massa...ma allora com'è polarizzato sto transistor col generatore posto sull'emitter?
:muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro:
leggi le didascalie!!!!
e si che son 3 volte che ti ripeto sta cosa... :cry:
dario fgx
01-12-2008, 19:47
:muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro: :muro:
leggi le didascalie!!!!
e si che son 3 volte che ti ripeto sta cosa... :cry:
No nn t'arrabbiare :D
Io non capisco bene perchè Vcc è messa a 0V...guardando la modellizzazione successiva immagino che:
allora quello è il modello pi-ibrido...quindi Rc ed il terminale di emitter sono messi a terra
Inoltre il generatore I rappresenta l'emettitore in sostanza?
No nn t'arrabbiare :D
tu non prendermi per i fondelli, e vedrai che non mi arrabbio...
ma allora com'è polarizzato sto transistor col generatore posto sull'emitter?
cosa c'è scritto in cima alla pagina? :mad:
Io non capisco bene perchè Vcc è messa a 0V...guardando la modellizzazione successiva immagino che:
allora quello è il modello pi-ibrido...quindi Rc ed il terminale di emitter sono messi a terra
questo non lo immagini, lo vedi dalla figura!!!
io ti ho già detto tutto quello che ti serve sapere... ti ho già spiegato come si analizza una configurazione elementare... perchè non hai provato a rivedertela quella spiegazione? in quali condizioni, è valido il modello a pigreco ibrido?? concentrati e rifletti anzichè chiedermi di nuovo le stesse cose..
con tutte le configurazioni che devi vederti se ognuna la chiedi a me oltre a fare notte non ci capirai una mazza. evita di prendere la strada comoda...
dario fgx
02-12-2008, 16:44
tu non prendermi per i fondelli, e vedrai che non mi arrabbio...
cosa c'è scritto in cima alla pagina? :mad:
questo non lo immagini, lo vedi dalla figura!!!
io ti ho già detto tutto quello che ti serve sapere... ti ho già spiegato come si analizza una configurazione elementare... perchè non hai provato a rivedertela quella spiegazione? in quali condizioni, è valido il modello a pigreco ibrido?? concentrati e rifletti anzichè chiedermi di nuovo le stesse cose..
con tutte le configurazioni che devi vederti se ognuna la chiedi a me oltre a fare notte non ci capirai una mazza. evita di prendere la strada comoda...
ok ok chiedo venia...me le sto rivedendo tutte.Sto avendo qualche difficoltà sul collettore comune ma cerco di venirne a capo da solo x ora...semmai dopo...
cmq stamane mi rivedevo il circuito che abbiamo usato in laboratorio per il differenziale...lo trovi a questa pagina
:
http://www.ba.infn.it/~marangel/dispense/Lab%20elettronica%20sc_mat/dispense_analog_digit_scmat.htm
cliccando su "esperienze" ed andando al pdf numero 12.
Non mi è chiara l'utilità dei condensatori C5 C6 e C3...
appena puoi, se puoi...
ok ok chiedo venia...me le sto rivedendo tutte.Sto avendo qualche difficoltà sul collettore comune ma cerco di venirne a capo da solo x ora...semmai dopo...
cmq stamane mi rivedevo il circuito che abbiamo usato in laboratorio per il differenziale...lo trovi a questa pagina
:
http://www.ba.infn.it/~marangel/dispense/Lab%20elettronica%20sc_mat/dispense_analog_digit_scmat.htm
cliccando su "esperienze" ed andando al pdf numero 12.
Non mi è chiara l'utilità dei condensatori C5 C6 e C3...
appena puoi, se puoi...
è la stessa storia di Ce nella configurazione a emettitore comune, il condensatore serve a bypassare i resistori all'aumentare della frequenza... costituiscono un filtro...
per sapere come intervengono occore calcolarsi la funzione di trasferimento del circuito...
dario fgx
02-12-2008, 17:45
è la stessa storia di Ce nella configurazione a emettitore comune, il condensatore serve a bypassare i resistori all'aumentare della frequenza... costituiscono un filtro...
per sapere come intervengono occore calcolarsi la funzione di trasferimento del circuito...
cioè servono a creare una via alternativa per mandare a massa i segnali a frequenza?
cioè servono a creare una via alternativa per mandare a massa i segnali a frequenza?
uhm... ni...
nel caso di c3 il segnale va a massa..
nel caso di c5 e c6 va al collettore di q3
dario fgx
10-12-2008, 20:15
prfetto...
altra domandina, più che altro voglio vedere se ho ben capito:
ricordi la storia di r0 che è vista solo dal segnale, per cui decidiamo di usare un transistor come generatore di corrente nel costruire il circuito coi 2 bjt per l'ampli differenziale?
ecco facendo riferimento a pag.715, il testo usa la figura 7.22 per calcolare l'output di modo comune e dice che Ree rappresenta la " incremental output resistance of the bias current source".In figura 7.22a è interessante notare come questa Re sia separata dal generatore I.
Questa Ree è la resistenza che noi vogliamo sia grande per avere un output di modo comune molto basso.
Voglio sapere:
E' da questa schematizzazione che avrei dovuto capire che utilizzando un transistor ho la corrente I che mi serve per fare i conticini ed in più la resistenza (Ree = ro) vista dal segnale che mi riduce la risposta al modo comune ??
prfetto...
altra domandina, più che altro voglio vedere se ho ben capito:
ricordi la storia di r0 che è vista solo dal segnale, per cui decidiamo di usare un transistor come generatore di corrente nel costruire il circuito coi 2 bjt per l'ampli differenziale?
no.. :boh:
per inciso, se dici per cui, supponi che la scelta del bjt come generatore sia una conseguenza, ma non è necessariamente vero.
Si usa il bjt per una questione di comodo.
un qualsiasi circuito che garantisca corrente nulla alle variazioni e corrente di polarizzazione costante va comunque bene. il perchè di sta cosa è semplice: La configurazione che hai sottomano è asimmetrica, a causa dell'uscita che viene presa tra un collettore e il comune. Se prendessi la configurazione simmetrica dove l'uscita è quella tra i due collettori, non avresti la necessità di un r0 grande...
ecco facendo riferimento a pag.715, il testo usa la figura 7.22 per calcolare l'output di modo comune e dice che Ree rappresenta la " incremental output resistance of the bias current source".In figura 7.22a è interessante notare come questa Re sia separata dal generatore I.
Questa Ree è la resistenza che noi vogliamo sia grande per avere un output di modo comune molto basso.
ok
perchè è interessante?
Voglio sapere:
E' da questa schematizzazione che avrei dovuto capire che utilizzando un transistor ho la corrente I che mi serve per fare i conticini ed in più la resistenza (Ree = ro) vista dal segnale che mi riduce la risposta al modo comune ??
non ti seguo più...
che vuoi dire con
utilizzando un transistor ho la corrente I che mi serve per fare i conticini
e con
la resistenza [...] che mi riduce la risposta al modo comune
???
dario fgx
12-12-2008, 14:18
sarebbe troppo lungo spiegare..lasciamo perdere...comunque ho capito la tua osservazione iniziale e ne ho colto l'importanza!
Grazie molte adesso ho un quadro generale ben chiaro.
sarebbe troppo lungo spiegare..lasciamo perdere...
come preferisci...
in ogni caso se ho capito il senso della domanda non saprei darti una risposta...
il metodo per studiare un circuito con un transistor è uno e uno soltanto.
e non dipende da quella figura, ma dalle pagine addietro..
dario fgx
12-12-2008, 14:47
come preferisci...
in ogni caso se ho capito il senso della domanda non saprei darti una risposta...
il metodo per studiare un circuito con un transistor è uno e uno soltanto.
e non dipende da quella figura, ma dalle pagine addietro..
Io volevo soltanto sapere se la resistenza Ree che lui chiama resistenza di output della bias current source, è la resistenza r0 del mio bjt senza resistenza fisica sul collettore
Io volevo soltanto sapere se la resistenza Ree che lui chiama resistenza di output della bias current source, è la resistenza r0 del mio bjt senza resistenza fisica sul collettore
è ovvio che sia così...
dario fgx
12-12-2008, 15:10
dunque appurato ciò mi chiedevo (tra me e me) : se avessi studiato quel paragrafo prima di chiederti spiegazioni, sarei stato capace di capire da solo perchè si sceglie proprio il bjt come generatore di corrente?
ma era una domanda fatta più a me stesso che a te...:p
dunque appurato ciò mi chiedevo (tra me e me) : se avessi studiato quel paragrafo prima di chiederti spiegazioni, sarei stato capace di capire da solo perchè si sceglie proprio il bjt come generatore di corrente?
ma era una domanda fatta più a me stesso che a te...:p
ah ok...
dario fgx
13-12-2008, 10:46
hibone ancora sul discorso che spesso facciamo l'approssimazione
Vi<<VT
Noi otteniamo delle espressioni facendo riferimento a questa condizione.
Sono valide anche quando i segnali sinusoidali (che di solito applichiamo alla base) sono di 50mV e 10mV e via dicendo?
Me lo hai gia spiegato una volta ma ti devo chiedere di essere più chiaro.
Grazie.
dario fgx
13-12-2008, 14:30
up :muro:
dario fgx
13-12-2008, 15:08
mi pare di capire che si procede in questo modo ( da wiki):
abbiamo una relazione non lineare tra 2 quantità che descrive il comportamento del nostro dispositivo.
cerchiamo di linearizzare tale relazione considerando magari i primi termini di uno sviluppo in serie.
Poi si estende la validità di tale approssimazione a tutti quei segnali che non spostano di molto il punto di lavoro.
è corretto?
hibone ancora sul discorso che spesso facciamo l'approssimazione
Vi<<VT
Noi otteniamo delle espressioni facendo riferimento a questa condizione.
Sono valide anche quando i segnali sinusoidali (che di solito applichiamo alla base) sono di 50mV e 10mV e via dicendo?
Me lo hai gia spiegato una volta ma ti devo chiedere di essere più chiaro.
Grazie.
per favore risparmiami gli UP... grazie... :O
prova a circostanziare la domanda... che cosa in particolare non ti è chiaro?
magari prova a buttare un occhio qui, in modo da focalizzare meglio il problema
http://blacklight.gotdns.org/wiki/index.php/Transistor_BJT#Modello_AC_per_piccoli_segnali
:)
Piuttosto fai particolare attenzione a questa affermazione e alle parole che ti scrivo in grassetto:
Nel regime di piccolo segnale possiamo considerare come ipotesi http://blacklight.gotdns.org/wiki/images/math/b/5/7/b57486a102424aee5a03c2dd459785e0.png(ovvero la variazione della tensione tra base ed emettitore rispetto al suo valore di quiete è molto piccola e inferiore anche anche alla tensione termica),
dario fgx
13-12-2008, 15:31
ora vado a leggere.
Velovo solo precisare che il mio up non era volto a metterti fretta (lungi da me)
piuttosto temevo che ti fosse sfuggito il mio nuovo post
sorry...
ora vado a leggere.
Velovo solo precisare che il mio up non era volto a metterti fretta (lungi da me)
piuttosto temevo che ti fosse sfuggito il mio nuovo post
sorry...
nulla...
dario fgx
13-12-2008, 15:43
non chiarisce il mio dubbio...e mi spiego:
A pag.710 assume che il segnale differenziale applicato vid è più piccolo di 25mV.
Fatto ciò prende i primi 2 termini dello sviluppo di exp(x) per esprimere le correnti di collettore.
Usa la linearizzazione cosi' ottenuta per fare numerose considerazioni, nelle pagine successive perviene al guadagno differenziale e quello single endedly sempre facendo uso delle correnti di collettore cosi' calcolate.
La mia domanda è questa:
Se io lavoro con 50mV nel mio circuito di laboratorio, posso ancora utilizzare quelle espressioni per calcolarmi il guadagno?
Io l'ho fatto ed ho ottenuto un ottimo accordo con l'ampiezza picco-picco dell'oscilloscopio e il valore della tensione di collettore (considerando solo il segnale) calcolata con la formula 7.91 del sedra.
Però questa formula dovrebbe valere per segnali più piccoli di 20mV!
E' questo che non mi torna!
non chiarisce il mio dubbio...e mi spiego:
A pag.710 assume che il segnale differenziale applicato vid è più piccolo di 25mV.
Fatto ciò prende i primi 2 termini dello sviluppo di exp(x) per esprimere le correnti di collettore.
Usa la linearizzazione cosi' ottenuta per fare numerose considerazioni, nelle pagine successive perviene al guadagno differenziale e quello single endedly sempre facendo uso delle correnti di collettore cosi' calcolate.
La mia domanda è questa:
Se io lavoro con 50mV nel mio circuito di laboratorio, posso ancora utilizzare quelle espressioni per calcolarmi il guadagno?
Io l'ho fatto ed ho ottenuto un ottimo accordo con l'ampiezza picco-picco dell'oscilloscopio e il valore della tensione di collettore (considerando solo il segnale) calcolata con la formula 7.91 del sedra.
Però questa formula dovrebbe valere per segnali più piccoli di 20mV!
E' questo che non mi torna!
per questo ho evidenziato il termine "possiamo":
il riferimento dei 25mV è soltanto di tipo empirico, non ha validità di carattere assoluto. Vt vale 25mV soltanto a temperatura ambiente, se il chip lavora a 50 gradi Vt aumenta... È chiaro che un riferimento che dipenda dalla temperatura non è così valido no? Quindi si assumono i 25mV come "prima approssimazione" ma se si eccede quel valore non significa che l'ipotesi di piccoli segnali viene meno...
dario fgx
13-12-2008, 17:17
in effetti a 50° Vt sarebbe maggiore ( non mi importa prendere la distribuzione di fermi e calcolarmi quanto:D ) e dunque potremmo scegliere vid maggiore.....saresti un ottimo professore!
in effetti a 50° Vt sarebbe maggiore ( non mi importa prendere la distribuzione di fermi e calcolarmi quanto:D ) e dunque potremmo scegliere vid maggiore.....saresti un ottimo professore!
No avrei troppo poca pazienza... :asd:
dario fgx
16-12-2008, 20:32
No avrei troppo poca pazienza... :asd:
bhe questo forse è vero :sofico:
mi daresti qualche dritta sull'integratore invertente realizzato mediante op amp?
il prof praticamente ci chiede di scegliere R e C per ottenere un'uscita trangolare a partire da un'onda quadra :eek:
dario fgx
16-12-2008, 20:53
niente ho capito...ho capito...è una cassata!
allora ho capito da dove esce il nostro segnale triangolare...mi pare giusto
abbiamo un segnale di output che è l'ampiezza dell'onda quadra che è diviso per un fattore RC, al crescere del tempo t questo cresce in modulo.
ovviamente per rendere apprezzabile il segnale di uscita e comparabile con quello in ingresso, devo scegliere RC dello stesso ordine di grandezza del periodo T dell'onda quadra.
Il problema è quando io sto in laboratorio e mi viene chiesto di scgliere R e C (perchè mi verrà chiesto) io come diavolo li scelgo?
vado sull'oscilloscopio e vedo il periodo dell'onda in ingresso...e so che RC deve essere di quell'ordine di grandezza ma R di quanto e c di quanto? lo uso ceramico o elettrolitico?
prima sapevo che R doveva cercarmela in maniera da avere un alta resistenza di input ed un buon guadagno ma adesso?
tnx
niente ho capito...ho capito...è una cassata!
allora ho capito da dove esce il nostro segnale triangolare...mi pare giusto
abbiamo un segnale di output che è l'ampiezza dell'onda quadra che è diviso per un fattore RC, al crescere del tempo t questo cresce in modulo.
ovviamente per rendere apprezzabile il segnale di uscita e comparabile con quello in ingresso, devo scegliere RC dello stesso ordine di grandezza del periodo T dell'onda quadra.
Il problema è quando io sto in laboratorio e mi viene chiesto di scgliere R e C (perchè mi verrà chiesto) io come diavolo li scelgo?
vado sull'oscilloscopio e vedo il periodo dell'onda in ingresso...e so che RC deve essere di quell'ordine di grandezza ma R di quanto e c di quanto? lo uso ceramico o elettrolitico?
prima sapevo che R doveva cercarmela in maniera da avere un alta resistenza di input ed un buon guadagno ma adesso?
tnx
... che dire... non me lo ricordo... mi spiace... :asd:
scherzi a parte.. trovi la pappetta pronta come al solito dove? si sul sedra...
io non ci metto le mani sul fuoco, comunque ci sono due strade, ma mi confondo spesso tra l'integratore positivo e quello negativo... complessivamente è una sciocchezza...
ti esamini il tuo bel circuitino coi fasori, a quel punto ti ricavi la tensione di uscita in funzione della corrente di ingresso, applichi laplace/fourier o simili e ti ricavi l'equazioncina...
ti dovrebbe venire che la costante di tempo è +/- la radice l'inverso quadrata di R*C tato che
il condensatore lo prendi elettrolitico se la tensione non cambia di segno...
il perchè puoi ricavarlo da solo... ciau ciau...
dario fgx
17-12-2008, 18:39
... che dire... non me lo ricordo... mi spiace... :asd:
scherzi a parte.. trovi la pappetta pronta come al solito dove? si sul sedra...
io non ci metto le mani sul fuoco, comunque ci sono due strade, ma mi confondo spesso tra l'integratore positivo e quello negativo... complessivamente è una sciocchezza...
ti esamini il tuo bel circuitino coi fasori, a quel punto ti ricavi la tensione di uscita in funzione della corrente di ingresso, applichi laplace/fourier o simili e ti ricavi l'equazioncina...
ti dovrebbe venire che la costante di tempo è +/- la radice l'inverso quadrata di R*C tato che
il condensatore lo prendi elettrolitico se la tensione non cambia di segno...
il perchè puoi ricavarlo da solo... ciau ciau...
ok ok andrò a vedere ma non credo di poter approfondire a tal punto
un'altra domanda:
voglio misurare sperimentalmente la resistenza di ingresso di un bjt emitter comune col metodo di dimezzamento.
1)spengo il generatore di dc che da la polarizzazione
2) a priori ho gia studiato il mio modello e chiamo Ri la resistenza di ingresso del mio bjt e so di che grandezza me la aspetto.
3)prendo un potenziometro opportuno e lo metto in serie a questa Ri, ovvero (con riferimento a figura 5.40 a di pag. 431 ) prima del nodo che sta vicino alla base.
4) applico una Vext sinusoidale ( di 50mV ad es. che seguo con una sonda dell'oscilloscopio) tra il ground e l'altro capo di questo potenziometro.In tal modo ho ettenuto un partitore di tensione formato da Rp (il potenziometro) ed Ri.
5) a questo punto deve valere, se Vi è la tensione ai capi di Ri (presa con l'oscilloscopio tra il nodo vicino alla base della figura di prima e massa), :
Vi=Vext*(Ri\Rp+Ri)
quando vedo che Vi = 1\2Vext
allora Rp=Ri smonto Rp e la misuro col tester.
Mi preme sapere se i passaggi che ho elencato sono corretti o meno e soprattutto se le posizioni che ho indicato per prelevare Vi sono corrette.
Smetto perfino di ringraziarti non vedendo un modo per sdebitarmi del tempo che spendi.
dario fgx
18-12-2008, 14:22
hibone, i need your help!!
voglio misurare sperimentalmente la resistenza di ingresso di un bjt emitter comune col metodo di dimezzamento.
quello al carbonio 14? :wtf:
1)spengo il generatore di dc che da la polarizzazione
2) a priori ho gia studiato il mio modello e chiamo Ri la resistenza di ingresso del mio bjt e so di che grandezza me la aspetto.
3)prendo un potenziometro opportuno e lo metto in serie a questa Ri, ovvero (con riferimento a figura 5.40 a di pag. 431 ) prima del nodo che sta vicino alla base.
4) applico una Vext sinusoidale ( di 50mV ad es. che seguo con una sonda dell'oscilloscopio) tra il ground e l'altro capo di questo potenziometro.In tal modo ho ettenuto un partitore di tensione formato da Rp (il potenziometro) ed Ri.
5) a questo punto deve valere, se Vi è la tensione ai capi di Ri (presa con l'oscilloscopio tra il nodo vicino alla base della figura di prima e massa), :
Vi=Vext*(Ri\Rp+Ri)
quando vedo che Vi = 1\2Vext
allora Rp=Ri smonto Rp e la misuro col tester.
Mi preme sapere se i passaggi che ho elencato sono corretti o meno e soprattutto se le posizioni che ho indicato per prelevare Vi sono corrette.
mi sa che manca qualcosa...
qual'è l'espressione di Vi?
e quella di Vout?
Smetto perfino di ringraziarti non vedendo un modo per sdebitarmi del tempo che spendi.
ecco si... inizia pure ad insultarmi e siamo a posto :asd:
dario fgx
18-12-2008, 15:52
parli di dimezzamento e tutti pensano al C14
no è che l'hanno chiamata cosi' quando ce l'hanno "spiegata" ...
cmq sia nn smetterò mai di ringraziarti...
tu dici che manca qualcosa sarebbe?
Rsig forse?
parli di dimezzamento e tutti pensano al C14
no è che l'hanno chiamata cosi' quando ce l'hanno "spiegata" ...
cmq sia nn smetterò mai di ringraziarti...
tu dici che manca qualcosa sarebbe?
Rsig forse?
http://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=25167720&postcount=119
pazienza finita...
ciau :)
dario fgx
18-12-2008, 16:18
http://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=25167720&postcount=119
pazienza finita...
ciau :)
ok me la sbatto da solo hai ragione...però il tuo link nn m'ha chiarito molto...
ok me la sbatto da solo hai ragione...però il tuo link nn m'ha chiarito molto...
devi controllare che tensione e corrente alla seconda porta non alterino tensione e corrente alla prima..
in linea di massima presumo che la resistenza di ingresso vada misurata sia alle variazioni sia in condizioni di polarizzazione...
dario fgx
18-12-2008, 18:14
devi controllare che tensione e corrente alla seconda porta non alterino tensione e corrente alla prima..
in linea di massima presumo che la resistenza di ingresso vada misurata sia alle variazioni sia in condizioni di polarizzazione...
ok ma mi pare che quella relazione possa valere ad esempio per un ampli CE.
la cosa che non capisco è che in realtà alla res del potenziometro si aggiunge in serie quella del segnale.
quindi tu dici che la resistenza dovrei misurarla sperimentalmente anche col le sorgenti dc accese?
ok ma mi pare che quella relazione possa valere ad esempio per un ampli CE.
la cosa che non capisco è che in realtà alla res del potenziometro si aggiunge in serie quella del segnale.
quindi tu dici che la resistenza dovrei misurarla sperimentalmente anche col le sorgenti dc accese?
dipende cosa ti serve conoscere... per quale ragione spegni le sorgenti dc?
la polarizzazione ti serve per portare il transistor nella regione di funzionamento che ti interessa...
d'altra parte se la tensione varia, varia la corrente, e verosimilmente anche la resistenza di ingresso varia...
dario fgx
01-01-2009, 13:23
dipende cosa ti serve conoscere... per quale ragione spegni le sorgenti dc?
la polarizzazione ti serve per portare il transistor nella regione di funzionamento che ti interessa...
d'altra parte se la tensione varia, varia la corrente, e verosimilmente anche la resistenza di ingresso varia...
ohla! hibone! almeno questi lasciateli fare!
tantissimi auguri di buon inizio anno, ci tenevo proprio!
Dario.
dario fgx
12-01-2009, 12:36
Hi!
mi sembrava giusto dirti che ho sostenuto lo scritto di elettronica analogica con simulazione in p-spice
ho preso un bel trenta e lo devo per il 50% a te e per l'altro 50% al Sedra, avendolo studiato secondo i tuoi dettami e avendo approfondito i modelli AC per le varie configurazioni elementari è stato una vera passeggiata!
Grazie anche da parte del mio collega che era nel mio stesso gruppo in labortorio!
Sei forte, ci si sente sul forum
ancora grazie
Dario
Hi!
mi sembrava giusto dirti che ho sostenuto lo scritto di elettronica analogica con simulazione in p-spice
ho preso un bel trenta e lo devo per il 50% a te e per l'altro 50% al Sedra, avendolo studiato secondo i tuoi dettami e avendo approfondito i modelli AC per le varie configurazioni elementari è stato una vera passeggiata!
Grazie anche da parte del mio collega che era nel mio stesso gruppo in labortorio!
Sei forte, ci si sente sul forum
ancora grazie
Dario
almeno ne è valsa la pena :)
Dimenticavo.
Grazie per gli auguri di anno nuovo...
Anche se in ritardo ricambio :)
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