REPERGOGIAN
15-01-2008, 07:41
ciao.
il mio noteb. è un compaq nc6120
devo aggiungere almeno altri 512 mega di ram perchè con soli 512 swappa di brutto.
il banco che ho su adesso è questo
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Samsung M4 70L6524CU0-CB3
Numero di serie F7084A94h (2487879927)
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2700 (166 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
se compro un banco da 512mega usato di marca diversa a cosa dovrei fare attenzione?
c'è qualche parametro di cui tener conto per poi non avere problemi di stabilità?
ovviamente comprerei un banco certificato cas 2.5
grazie
il mio noteb. è un compaq nc6120
devo aggiungere almeno altri 512 mega di ram perchè con soli 512 swappa di brutto.
il banco che ho su adesso è questo
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Samsung M4 70L6524CU0-CB3
Numero di serie F7084A94h (2487879927)
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2700 (166 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Samsung
Informazioni sul prodotto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
se compro un banco da 512mega usato di marca diversa a cosa dovrei fare attenzione?
c'è qualche parametro di cui tener conto per poi non avere problemi di stabilità?
ovviamente comprerei un banco certificato cas 2.5
grazie