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View Full Version : Wafer CPU

K Reloaded
07-07-2007, 18:20
salve a tutti, avrei una curiosità da togliermi ... e cioè qualcuno mi può spiegare in poche parole come mai le CPU che vengono tagliate nella parte interna del wafer "potrebbero" essere + performanti rispetto a quelle tagliate all'esterno?

su cosa si basa questa teoria?

grazie 1000! :cool:
isomen
07-07-2007, 18:26
Credo perchè il cuore del wafer dovrebbe fornire il silicio più puro.

;) CIAUZ
nellosamr
07-07-2007, 19:12
e di solito come più performanti si intende + overcloccabili
andw7
07-07-2007, 19:13
Credo perchè il cuore del wafer dovrebbe fornire il silicio più puro.

;) CIAUZ

esatto, oltre che una maggiore concentrazione dello stesso.

è un po' come il cuore di una forma di parmigiano a confronto con un pezzo vicino alla crosta. piaciuto il paragone? :stordita:
K Reloaded
07-07-2007, 21:55
asd perfetto! grazie a tutti! :sofico:
BlackRider
07-07-2007, 23:32
La parte centrale del wafer ha minori problemi di allineamento tra i vari livelli di maschere, minori effetti di auto ombreggiatura e, in generale, minori problemi inerenti tutti i processi fotolitografici e di impiantazione ionica.
Questo è il motivo principale poi esistono anche effetti "secondari" come le impurità che tendono ad avere una concentrazione maggiore verso i bordi, lo stess residuo nel materiale che è ovviamente maggiori man mano che ci si allontana dal cuore della fetta. La concentrazione del silicio usato come substrato di partenza varia anche essa man mano che ci si allontana dal centro, diventando sempre maggiore verso i bordi, perchè tutte le sostanze comunemente usate per drogare il silicio (boro, arsenico e fosforo), hanno coefficiente di segregazione maggiore di uno ;)
K Reloaded
08-07-2007, 02:11
La parte centrale del wafer ha minori problemi di allineamento tra i vari livelli di maschere, minori effetti di auto ombreggiatura e, in generale, minori problemi inerenti tutti i processi fotolitografici e di impiantazione ionica.
Questo è il motivo principale poi esistono anche effetti "secondari" come le impurità che tendono ad avere una concentrazione maggiore verso i bordi, lo stess residuo nel materiale che è ovviamente maggiori man mano che ci si allontana dal cuore della fetta. La concentrazione del silicio usato come substrato di partenza varia anche essa man mano che ci si allontana dal centro, diventando sempre maggiore verso i bordi, perchè tutte le sostanze comunemente usate per drogare il silicio (boro, arsenico e fosforo), hanno coefficiente di segregazione maggiore di uno ;)

meglio ancora! grazie!
Andi89
08-07-2007, 09:18
La parte centrale del wafer ha minori problemi di allineamento tra i vari livelli di maschere, minori effetti di auto ombreggiatura e, in generale, minori problemi inerenti tutti i processi fotolitografici e di impiantazione ionica.
Questo è il motivo principale poi esistono anche effetti "secondari" come le impurità che tendono ad avere una concentrazione maggiore verso i bordi, lo stess residuo nel materiale che è ovviamente maggiori man mano che ci si allontana dal cuore della fetta. La concentrazione del silicio usato come substrato di partenza varia anche essa man mano che ci si allontana dal centro, diventando sempre maggiore verso i bordi, perchè tutte le sostanze comunemente usate per drogare il silicio (boro, arsenico e fosforo), hanno coefficiente di segregazione maggiore di uno ;)

Complimenti per la spiegazione ;)
BlackRider
09-07-2007, 19:09
Complimenti per la spiegazione ;)


grazie mille :D