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Una nuova tipologia di memoria potrebbe bilanciare le funzionalità delle soluzioni Flash, con una velocità sino a 500 volte superiore grazie al cambiamento di fase del materiale utilizzato

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un salto tecnologico mica da scherzo in un settore importante e sempre più importante come quello delle memorie flash, che ormai trovano applicazioni ovunque: dalle penne usb all'elettronica embedded e di consumo (cellulari, fotocamere, pda, eccetera) ai dischi allo stato solido ad un nuovo layer di cache per i dischi tradizionali eccetera eccetera...

Bellissimo, peccato che si parli del 2015... probabilmente nel frattempo inventeranno qualcosa di simile.

Beh dai samsung parla di 2008, quindi un paio di anni...

Le "PCM" o memorie a cambiamento di fase sono già in produzione per il testing, il loro funzionamento è abbastanza semplice: sfruttano delle sostanze dette calcogenuri (in particolare GST Germanio Antimonio e Tellurio) che cambiando fase passano dallo strato cristallino (abbastanza conduttivo) allo stato amorfo (molto meno conduttivo) e viceversa. Il cambiamento di stato avviene appunto tramite riscaldamento e successivo raffreddamento (lento per la struttura cristallina o veloce per quella amorfa) della cella; memorizzano quindi l'informazione cambiando resistenza. Comunque attualmente non si può certo parlare di un numero di cicli (program-erase) infinito, il grande stress termico interno alla cella danneggia il calcogenuro stesso rendendo alla lunga la cella inutilizzabile.

Gli hard disk sono sempre più vicini al tramonto.......
Ogni giorno che passa, tecnologia, velocità e capienza delle memorie statiche fanno passi da gigante.

E sarebbe anche ora che tramontassero del tutto

Per andare allo stato amorfo bisogna superare la temperatura di fusione e cercare di raffreddarlo velocemente, per ottenere uno stato cristallino invece basta superare una certa temperatura critice che permette il riordino degli atomi. Boya ha ragione, non credo proprio che abbiano scoperto un materiale in grado di resistere ad infiniti cicli di cambiamento di fase.
E' proprio questo il piu' grande problema di tutti i giganti dell'industria del semiconduttore che si sono buttati in questo progetto. La velocita' e la possibilita' di scalare queste memorie e' stato ampiamente dimostrato ma che resistano ad infiniti cicli e che abbiano una ritenzione altissima ci credo poco o quanto meno voglio vederlo con i miei occhi, sarei proprio curioso di leggere questo paper IEDM.

non saprei quanto siano effettivamente confrontabili queste soluzioni con delle normali flash...
qui si parla di produzione a 20 nm, giustamente, perche' il cambiamento di fase di un materiale vetroso si ottiene ad una temperatura prossima agli 800°C (magari, con altri composti si puo' aere a temperature piu' basse), e voglio precisare che non e' una questione di calorie fornite, ma di temperatura e pressione, quindi si ottiene comunque ad alta temperatura (le calorie da fornire sono in rapporto alla massa, piu' e' piccola la cella, meno calorie ci vogliono, piu' e' rapido il riscaldamento/raffreddamento).
ci vuole poi una logica di controllo, a transistor naturalmente.
far convivere un transistor vicino ad una cella a 400-800°C mi pare gia' questo abbastanza difficile, in piu' fornire una quantita' di energia tale da far avvenire il cambiamento di fase transitorio, mi sembra anche questo poco competitivo rispetto ad una normale cella di memoria flash a 20nm (compariamo le mele con le mele e le pere con le pere!).
e' interessante per alcuni aspetti, ma questa tecnologia porta gia' da ora dei limiti di utilizzo.

il limite maggiore e' dovuto proprio alla temperatura di cambiamento di fase:
se si usano materiali che hanno il punto triplo a temperature relativamente basse, ci vuole meno energia, ma e' anche piu' probabile che un accidentale riscaldamento possa produrre il cambiamento del bit ed un dato abberrante; se ci si mantiene su elevate temperature, la logica di controllo deve sopportare queste temperature, perche' il tutto dev'essere molto miniaturizzato, in modo da utilizzare poca energia e di velocizzare l'operazione, quindi un transistor si trovera' molto piu' vicino a parti calde, che ne comprometterebbero il funzionamento, producendo un dato abberrante casuale, oltre al fatto che bisognerebbe gestire un componente che ha una temperatura media decisamente rilevante (non conviene certo portare il tutto a temperatura ambientale!)..
ecc ecc..

insomma, mipiacerebbe sapere la proiezione delle prestazioni di una flash a 20nm, prima di gridare al miracolo.

Infatti Samsung produce più memorie di tutti e porta lo standard se vuole. :D 2 anni quindi

nel 2015 saremo tutti morti.

La proiezione di una cella flash a 20 nm è che con la tecnologia attuale non la riesci a fare! Il problema principale delle flash è che non sono scalabili facilmente. Mi sembra logico che questa tecnologia mostra dei limiti, stiamo parlando di ricerca non di produzione in larga scala.
Per quanto riguarda il riscaldamento non credo sia un problema in quanto una singola cella(piccolissima) seppur ad elevate temperature non ha una energia sufficiente a scaldare i transistors vicini(i quali probabilmente saranno debitamente isolati).

w tarek
voi morite, io vi guardo.
comunque mi sembra una tecnologia simile ai dischi riscrivibili (ovviamente non comparabili in termini di velocità e storage, ma come funzionamento siamo li)..aspettiamo e vediamo..

Da quello che so il vero problema di questi dispositivi non è tanto la quantità di calore che viene generata per modificare lo stato del materiale, ma piuttosto il problema dell'affidabilità dell'interfaccia tra heater (riscaldatore generalmente metallico) e calcogenuro (sostanza) la differente costante termica dei due materiali infatti comporta strain e mismatch dei reticoli (in particolare quando lo stato passa a cristallino o meglio policristallino).
Sono allo studio sistemi che non sfruttano un riscaldatore, ma un sistema a "collo di bottiglia" per aumentare localmente la resistenza ed aumentare la temperatura in modo puntuale. Questo dovrebbe aumentare la durata del dispositivo a livelli teoricamente superiori a quello delle normali flash. Quest'ultima soluzione in particolare è però attualmente in uno stato più di "giocattolo" che altro...

A sto punto si potrebbe bassare a sistemi di memoria più ingombranti ma a 3 dimensioni '-.- Non oso immaginare la potenza di una matrice di memoria cristallina...
Però posso immaginare che farebbe "collo di bottiglia" come le attuali SchVid.
Morirete tutti. (Io cecchino voi b2b) XD

Comunque, come riportato nell'articolo, il raffreddamento "lento", cioè il caso peggiore in scrittura, dove non è che si ha molta fretta, visto che si può bufferizzare e liberare il bus per altro, è appena 10 ns! Neanche le normali DRAM sono così veloci! Ricordo che le vecchie memorie EDO RAM avevano tempi di lettura e scrittura dell'ordine dei 60-70 ns e non è che la velocità sia migliorata parecchio (daltronde sempre condensatori da caricare e scaricare sono)... Al più si è mascherato questo ritardo con un forte pipelining. Non si raggiungeranno le prestazioni delle SRAM (non si può avere tutto dalla vita :D ), ma probabilmente saranno più veloci, più dense delle normai DRAM ed in più non volatili! Cosa si vuole di più dalla vita?

Quindi il ready boost avra' un ulteriore incremento di prestazioni?????

grattata alle palle

auGurI di un buOn natale e dI un felice Anno nuovo...
(il mio + grande augurio è nelle lettere maiuscole)