Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/memorie/18537.html

Il colosso coreano ha annunciato la realizzazione di un prototipo funzionante di memoria PRAM da 512Mbit. Nel 2008 le prime applicazioni pratiche, come sostituta delle memorie Flash NOR

Click sul link per visualizzare la notizia.

La divisione memorie di Samsung ha un livello tecnologico spaventoso.

:sbavvv:

samsung...non per niente passano per i migliori produttori di memorie al mondo :D

come mai l'uso di questa tecnologia per memorie da computer non viene considerato "impiego principe?"?

DDR...TREMATE!!!!!!!!!

perche non è quello il campo...
le ram da pc le normali ddr 1-2-3 hanno altro scopo un pc quando carica roba sulle ram ha bisogno che questi cambino rapidamente i dati stoccati dentro e non c'è bisogno che questi dati restino salvati dentro una volta spenta la macchina.
quindi queste ram sono molto utili per utilizzi in ambito mp3,navigatori e in generali dispositivi portatili come per gli hd ibridi.

samsung...non per niente passano per i migliori produttori di memorie al mondo :D

come mai l'uso di questa tecnologia per memorie da computer non viene considerato "impiego principe?"?

probabilmente per una questione di velocità..
comunque il reparto R&D di samsung è troppo avanti..

DDR...TREMATE!!!!!!!!!

Non sono Ram ma Flash

http://it.wikipedia.org/wiki/Memoria_flash

sostituirà negli anni a venire le memorie Flash NOR attualmente utilizzate
Ero convinto che quelle più utilizzate fossero di tipo NAND. Sbaglio?
Dopo le NAND e le NOR ci mancherebbero solo le NNOT, nelle quali ogni bit resta sempre lo stesso... :)

Beh per l'uso anche a mo di ram nn mi pare cattivo... considerando che se i dati sono statici significa anche che non c'e' bisogno di fasi di refresh...

Questo vuol dire che non consumano un cazzo :P

Samsung ha un reparto di r&s davvero fenomenale. :) ne vedremo delle belle in futuro

Beh per l'uso anche a mo di ram nn mi pare cattivo...
Ne dubito. L'articolo dice (probabilmente citando un comunicato stampa)
molto più rapida rispetto ai dischi riscrivibili
Traduzione dal marketese: la velocità non è paragonabile a quella delle RAM, per cui la paragoniamo con qualcosa di molto più lento.

Ne dubito. L'articolo dice (probabilmente citando un comunicato stampa)

Traduzione dal marketese: la velocità non è paragonabile a quella delle RAM, per cui la paragoniamo con qualcosa di molto più lento.

Secondo http://en.wikipedia.org/wiki/Phase-change_memory , dal brevetto Samsung il cambiamento di fase può essere completato in 5 nanosecondi. Quanto fa in mhz?

Secondo http://en.wikipedia.org/wiki/Phase-change_memory , dal brevetto Samsung il cambiamento di fase può essere completato in 5 nanosecondi. Quanto fa in mhz?

200 MHz se non sbaglio

Quindi potrebbero essere usate per immagazinare i dati a modo di HD? Del resto mi pare che proprio Samsung avesse realizzato quell'hd basato su memoria flash che HWUpgrade ha analizzato qualche articolo fa...

Tral'altro se avranno un prezzo realmente basso potrebbero proprio fare al caso degli hd.

200 MHz se non sbaglio
Infatti:
fa 200000000 Hz

quasi quasi direi che è roba già vecchia ^_^ o meglio esisteva già da un bel po di tempo Millepiedi IBM

200 MHz se non sbaglio
Non è detto. 5 ns è il tempo necessario per completare il cambiamento di fase. Questo non significa necessariamente che se ne possano effettuare in continuazione sulla stessa cella ogni 5 ns. Soprattutto perchè il cambiamento avviene aumentando la temperatura, e presumibilmente la cella deve raffreddarsi prima di poter essere scritta nuovamente. Si aggiunga un certo tempo di indirizzamento, e dubito che si possa andare vicini ai 100 MHz. Ben lontani dalle RAM, comunque.

Non è detto. 5 ns è il tempo necessario per completare il cambiamento di fase. Questo non significa necessariamente che se ne possano effettuare in continuazione sulla stessa cella ogni 5 ns. Soprattutto perchè il cambiamento avviene aumentando la temperatura, e presumibilmente la cella deve raffreddarsi prima di poter essere scritta nuovamente. Si aggiunga un certo tempo di indirizzamento, e dubito che si possa andare vicini ai 100 MHz. Ben lontani dalle RAM, comunque.

Infatti 200MHz è il valore ideale e quindi MAX a cui si può aspirare; in condizioni reali il valore ha troppe variabili per poter essere stimato con una approsimazione accettabile.

un materiale la cui struttura può essere alterata mediante la somministrazione di calore

cazzooo ho lasciato la memoria sotto il soleeeeeee, nooooooooooo! :D

pensa positivo sotto il sole ti troverai tantissimi belli 11111111111111111111111111 :D

tornando it è un'ottima notizia negli hd ibridi sarebbero ottime :)

Ho capito male o non verranno usate per HD solidi per pc?
Cioè HD ibridi ok, ma un intero HD PRAM sarà solo un utopia? :(

pensa positivo sotto il sole ti troverai tantissimi belli 11111111111111111111111111 :D

tornando it è un'ottima notizia negli hd ibridi sarebbero ottime :)

Speriamo lo usino per salvare i dati del mio conto corrente

da una "long integer" tutto a 0 passo a tutti 1 ... meglio del vecchio Bill :D :D
se sono signed però sono fregato!!! :cry:

a me si... ;-)

Ho capito male o non verranno usate per HD solidi per pc?
Cioè HD ibridi ok, ma un intero HD PRAM sarà solo un utopia? :(

Io credo che se costeranno poco come dicono, un pensierino ce lo faranno, del resto la stessa samsung ha fatto un hd (testato qui su HWupgrade) interamente con memoria flash (32gb).

Quindi se costa meno della memoria flash indubbiamente in futuro potrebbe rivelarsi una bella rivoluzione, specialmente in questo campo.

Quello che nn ho capito molto bene è il funzionamento, cioè vengono modificati i dati tramite il calore generato dalla corrente elettrica giusto? Questo cosa comporta in termini di "dissipazione"? Cioè andranno dissipate oppure cosa? Visto che il mezzo per modificarle è proprio il calore...

io avevo capito che il cambiamento di fase per quel materiale avviene per induzione di calore
e che la samsung avesse trovato il modo di fare il cambiamento di fase con l'elettricità.... :stordita:

ok non ci ho capito na mazza :mc:

Traduzione dal marketese: la velocità non è paragonabile a quella delle RAM, per cui la paragoniamo con qualcosa di molto più lento.

Probabilmente mi sono spiegato male io, comunque il parallelismo con i dischi ottici è stato fatto solo perchè il materiale utilizzato nelle PRAM è molto simile al sottile strato che viene inserito all'interno dei cd e dvd riscrivibili, ergo nessuna "marchetta" :D

Aggiungo, inoltre, che dati precisi circa l'effettiva velocità di queste memorie ancora non sono disponibili, per ora si dovrà fare "atto di fede" verso le poche informazioni disponibili e che le varie aziende coinvolte nello sviluppo non amano certo divulgare in modo generoso.

Buona serata!

piccola correzione:il gruppo dei calcogeni è il sesto,i gruppi in tutto sono 8 senza tener conto dei metalli di transizione ;) :stordita:

Io credo che se costeranno poco come dicono, un pensierino ce lo faranno, del resto la stessa samsung ha fatto un hd (testato qui su HWupgrade) interamente con memoria flash (32gb).

Costare poco è relativo. Tutto costa molto quando se ne produce poco e tutto costa poco quando se ne produce molto.
Il costo per noi utenti sarà sempre lo stesso, cambieranno le dimensioni delle memorie che vanno a finire nei dispositivi in questione. Un hdd fatto in questo modo è possibile, ma quali saranno le dimensioni? Già oggi abbiamo dischi da 750 GB in vendita al dettaglio mentre sull'altro versante ancora un prototipo di hdd solid state da 32 gb.
Nel 2008 a quanto arriveremo con i dischi classici?


Quello che nn ho capito molto bene è il funzionamento, cioè vengono modificati i dati tramite il calore generato dalla corrente elettrica giusto? Questo cosa comporta in termini di "dissipazione"? Cioè andranno dissipate oppure cosa? Visto che il mezzo per modificarle è proprio il calore...

Beh si con il calore, ma il calore prodotto sarà infinitesimale per ogni bit necessario, bisogna vedere quale sarà il calore necessario e quanto questo influisce sull'intero chip. Dubito che sarà necessario dissipare questi chip, soprattutto in vista di un utilizzo embedded.

Probabilmente mi sono spiegato male io, comunque il parallelismo con i dischi ottici è stato fatto solo perchè il materiale utilizzato nelle PRAM è molto simile al sottile strato che viene inserito all'interno dei cd e dvd riscrivibili, ergo nessuna "marchetta" :D


stesso materiale = prestazioni simili ?

IMHO non si deve pensare a questo tipo di memorie come memorie ram semplicemente perché non nascono come memorie di questo tipo.

E poi il materiale dei cd-rw/dvd-rw dopo un tot di cicli perde capacità di cambiare forma, mentre nelle RAM questo problema non esiste.

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pensa positivo sotto il sole ti troverai tantissimi belli 11111111111111111111111111

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la famosa formattazione per strofinio!!!!

Se ci vogliono 5 ns per cambiargli la fase... Possono essere usate come RAM. Quanto pensate sia il tempo di accesso di una cella DRAM? Decine di nanosecondi. Però se ne accedono molto in parallelo e quindi si può fare una sorta di pipeline... E poi quello è il tempo di SCRITTURA. In lettura il tempo dipenderà solo dall'elettronica. Piuttosto bisogna vedere la densità ottenibile. Ma chip da 512Mbit come prototipi... Vuol dire che già così si possono produrre moduli a doppia faccia da 1 GB (se i moduli sono a 4 bit di uscita)...

Beh per l'uso anche a mo di ram nn mi pare cattivo... considerando che se i dati sono statici significa anche che non c'e' bisogno di fasi di refresh...


al contrario sarebbero più lente forse, perché il tempo di cancellare tutto e riscrivere per lasciare spazio alle nuove applicazioni che vengono aperte richiederebbe di sicuro più tempo che non togliere e ridare la corrente elettrica. In ogni caso la riscrittura delle attuali RAM DDR3 alle frequenze più alte è talmente immediata da non necessitare potenze ulteriore, poiché HD e Procio non possono dare di più.

Ero convinto che quelle più utilizzate fossero di tipo NAND. Sbaglio?


Le NAND si usano quando servono grosse quantità di memoria che siano veloci da scrivere e cancellare (tipo memorie per macchine fotografiche e mp3).
Le NOR sono molto lente da scrivere e cancellare ma velocissime da leggere e si usano per firmware e roba simile

in futuro potrebbero essere usate come RAM di sistema, anche se per quel particolare ambito di utilizzo si preferiranno le memoria ferromagnetiche, sicurmente piu' costose, in cui si va' a cambiare ancora un parametro fisico permanente (il vettore magnetico), ma sicuramente in modo piu' rapido di un cambiamento dello stato di cristallizzazione.

utilizzare differenti stati di morfologia cristallina ha degli svantaggi (la lentezza dovuta al cambio di temperatura, ottenibile comunque tramite resistenza, percio' elettricita', anche se questa lentezza dipende in ultima analisi dalla massa), ma anche dei relativi vantaggi quali appunto l'economicita': ogni cella e' buona, in quanto la sua funzionalita' non dipende dalla sua forma spaziale, ma dall'intrinseca natura del materiale.. ed e' un bel vantaggio..

qui comunque ancora siamo nell'embrione della tecnologia applicata, in quanto si parla ancora di memoria 2D, quando l'applicazione piu' naturale, visto che si tratta di vetro e cambio di stato fisico, sarebbe quella di un supporto di memorizzazione in 3D: un mattoncino multistrato in cui la collimazione di laser (ad esempio) fa' aumentare la temperatura locale in una determinata coordinata facendo cambiare lo stato morfologico del cristallo...
bassa velocita', ma TB al cm3 (ricordo che esistono transistor in grado di trasmettere luce polarizzata..)

il motivo principale per cui sono preferibili memorie con uno storage del dato permanente e' molto facile da capire: il consumo.
anche nell'uso dell'intero banco di memoria, il suo consumo sarebbe una frazione infinitesima rispetto a quello di uno tradizionale refresciato ogni 2 o 3 clock.
altri motivi possono essere trovati nell'uso piu' dinamico della macchina, sempre in stand-by con zero consumo, ma anche in altre decine di cose piu'pratice..
per la velocita' non c'e' problema, non e' mica detto che il bus dev'essere esclusivamente parallelo sincrono;
le FBdimm usano un seriale parallelizzato non sincrono, dove il chip di gestione si prende carico di risincronizzare la mandata su bus parallelo ( ma solo per adattarsi all'attuale tecnologia di trasporto dei dati).. e poi, non e' detto che bisogna rimanere fermi ai 64 bit a chip..
insomma, 3-4 anni di sviluppo ci vogliono sicuramente, per delineare le tecnologie di applicazione.

speriamo bene.

al contrario sarebbero più lente forse, perché il tempo di cancellare tutto e riscrivere per lasciare spazio alle nuove applicazioni che vengono aperte richiederebbe di sicuro più tempo che non togliere e ridare la corrente elettrica. In ogni caso la riscrittura delle attuali RAM DDR3 alle frequenze più alte è talmente immediata da non necessitare potenze ulteriore, poiché HD e Procio non possono dare di più.
Le memorie PRAM sono inoltre non-volatili, ovvero l'informazione viene mantenuta all'interno di esse anche in assenza di energia, e non necessitano di una cancellazione dei dati prima di una nuova riscrittura.
Quindi direi che dovrebbero essere più veloci delle DDR, IMHO chiaramente!!! :D

Le NAND si usano quando servono grosse quantità di memoria che siano veloci da scrivere e cancellare (tipo memorie per macchine fotografiche e mp3).
Le NOR sono molto lente da scrivere e cancellare ma velocissime da leggere e si usano per firmware e roba simile

Hai dimenticato di dire che le celle NAND si "esauriscono" dopo circa un migliaio di cicli di scrittura, mentre le NOR possono durare anche per 1 milione di cicli.

in futuro potrebbero essere usate come RAM di sistema, anche se per quel particolare ambito di utilizzo si preferiranno le memoria ferromagnetiche, sicurmente piu' costose, in cui si va' a cambiare ancora un parametro fisico permanente (il vettore magnetico), ma sicuramente in modo piu' rapido di un cambiamento dello stato di cristallizzazione.

utilizzare differenti stati di morfologia cristallina ha degli svantaggi (la lentezza dovuta al cambio di temperatura, ottenibile comunque tramite resistenza, percio' elettricita', anche se questa lentezza dipende in ultima analisi dalla massa), ma anche dei relativi vantaggi quali appunto l'economicita': ogni cella e' buona, in quanto la sua funzionalita' non dipende dalla sua forma spaziale, ma dall'intrinseca natura del materiale.. ed e' un bel vantaggio..

il motivo principale per cui sono preferibili memorie con uno storage del dato permanente e' molto facile da capire: il consumo.
anche nell'uso dell'intero banco di memoria, il suo consumo sarebbe una frazione infinitesima rispetto a quello di uno tradizionale refresciato ogni 2 o 3 clock.


Io non credo che queste memorie abbiano come target e come possibile uso una RAM. Insomma, non sono pensate per quel motivo.
Una cella di memoria ram la puoi leggere e scrivere quante volte vuoi, una cella di questo tipo può darsi che si esaurisca in una sola sessione di lavoro!
Inoltre il refresh delle celle di dram è in genere minore o uguale a 64 ms, quindi non cicli di clock.
Se il refresh fosse ogni 2-3 cicli di clock, 2/3 del tempo la ram starebbe ad aggiornare il proprio contenuto elevando i tempi di attesa in modo sproporzionato!

Poi penso che non ci sia paragone per quanto riguarda la velocità con qualsiasi tipo di memoria DRAM, magari in lettura possono anche avere ottime prestazioni, ma in scrittura le cose si fanno molto molto più complesse e far cambiare stato ad un transistor è molto più facile e veloce che non far riscaldare una resistenza per far cambiare stato ad un composto, IMHO!