murdockkk72
22-03-2006, 02:46
ero convinto di avere le ram a 400mhz
me everest mi segnala 2000mhz e' un errore ??
sono veramente 200(mi sembra strano)
o bisogna settare qualcosa sul bios o da qualche altra parte??
e casomai come si fa??:P
grazzieeeeeeeee
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Hyundai HYMD264 646B8J-D43
Numero di serie FFFF083Eh
Data di produzione Settimana 8 / 2004
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Hynix Semiconductor Inc.
Informazioni sul prodotto http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp
me everest mi segnala 2000mhz e' un errore ??
sono veramente 200(mi sembra strano)
o bisogna settare qualcosa sul bios o da qualche altra parte??
e casomai come si fa??:P
grazzieeeeeeeee
Elemento Valore
Proprietà modulo di memoria
Nome modulo Hyundai HYMD264 646B8J-D43
Numero di serie FFFF083Eh
Data di produzione Settimana 8 / 2004
Capacità modulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC3200 (200 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore
Nome società Hynix Semiconductor Inc.
Informazioni sul prodotto http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp