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View Full Version : [Elettronica]Differenze tra Mosfet e Bjt


tognesimo
19-09-2005, 13:52
Salve a tutti gli esperti elettronici!!!In cosa differiscono principalmente i 2 dispositivi??Dal punto di vista fisico cosa cambia??Devo sostenere l'esame orale di Elettronica ed il Prof è un confusionario pauroso,non c'ho capito una mazza in quello che mi ha detto!!!

xenom
19-09-2005, 13:58
l'unica differenza che conosco è che i mosfet vanno pilotati in tensione, mentre i bjt in corrente :D

^TiGeRShArK^
19-09-2005, 14:32
e km te lo spiego senza disegno??? :p
praticamente nei MOSfet (Metal-Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor), le giunzioni sono messe in modo da creare un canale in cui scorrono gli elettroni...
a secondo delle tensioni ke vengono applicate ai Gate si ha o meno il passaggio di corrente nel tunnel.
Ma senza disegno nn credo ke capirai una mazza..
Se non sbaglio, inoltre il consumo dei transistor BJT (Bipolar Junction Transistor??? :confused: ) è piu' elevato di quello dei MOS... Non x niente nella VLSI è impiegata nella maggior parte dei casi la tecnologia CMOS (Complementary MOS)...
almeno questo è quello ke mi ricordo dopo qualke annetto....
GPPIIICIIìììììììì....
spiegaglielo tu ke almeno 6 un elettronico!
è il tuo campo quello, non il mio! :Prrr:

gpc
19-09-2005, 20:31
OMG :D
Ora ho capito il senso del pvt :D
Vatti a ripescare i principi di Elettronica I e II (la vendetta)...
Dunque, in poche parole... il Bipolar Junction Transitor, BJT per gli amici, è un dispositivo il cui funzionamento è basato su un guadagno di corrente: praticamente tu immetti una cerca corrente sul terminale denominato base, e questa, attraverso una serie di fenomeni fisici dovuti alla struttura del transistor, provocano lo scorrimento di una corrente più grande tra collettore e emettitore. Nell'emettitore si sommano, quindi, corrente di base e corrente di collettore.
Il MOSFET, o MOS, o transitor ad effetti di campo se non canno la traduzione, ha un funzionamento completamente diverso.
Il terminale denominato Gate, che è quello di controllo, l'equivalente se vogliamo della base del BJT, non è collegato con gli altri due. Il funzionamento è il seguente: una tensione sul gate genera un campo elettrico che attira i portatori di carica all'interno del dispositivo. Si forma così un canale che permette il passaggio delle cariche tra drain e source -gli altri due terminali.
In questo caso, la corrente che passa attraverso il dispositivo dipende dalla tensione, e non dalla corrente come nel caso precedente, applicata al gate. E' chiaro che non dipenda dalla tensione: non essendo collegato a "nulla", ossia essendo un circuito aperto fondamentalmente, attraverso il gate non può passare corrente.
A titolo di curiosità, è proprio la struttura del MOS a renderlo delicato: se tocchi un BJT non succede niente, ma se sei carico elettrostaticamente e tocchi il gate di un MOS lo fulmini. La carica infatti si accumula sul gate e, anche se è poca, la tensione è molto alta e sufficiente a forare il dispositivo.

tognesimo
21-09-2005, 13:13
Grazie mille,siete stati molto chiari e avete chiarito i miei dubbi sui 2 dispositivi in modo semplificato!!!Il libro di microelettronica Jaeger è molto incasinato e per capirlo penso ci sia bisogno di qualche nozione sulla meccanica quantistica.
Ho un altra richiesta fa farvi:
Volevo sapere perchè la la Resistenza di Source stabilizza il Mosfet e Quali sono i vantaggi.Mi pare di aver capito anche facendo l'analisi grafica che Ids=Vdd/RD+RS e quindi La Rs fa in modo da diminuire questo rapporto(la corrente diminuisce e quindi si ha uno spostamento del punto di lavoro in zona triodo.Ma spostando il punto di polarizzazione del Mosfet non è peggio??Calando la corrente di vantaggio cosa ho?(ipotizzo che evito di bruciare il Mosfet)e di svantaggio??

Grazie mille,spero grazie ai vostri consigli di passare l'esame!!!

gpc
21-09-2005, 19:45
Dunque, vediamo se mi ricordo...
Un BJT ha un guadagno dipendete dalla temperatura, in maniera positiva: più si scalda, più guadagna.
Facile intuire che, più guadagna, più si scalda, e questo porta a simpatici effetti catastrofici se non viene corretto :p
Il mos ha questa resistenza interna che svolge la funzione della resistenza esterna che viene usata con i bjt per risolvere al problema della temperatura.
C'è ovviamente l'altra faccia della medaglia: quella resistenza ti fa perdere in potenza, per cui ci si deve destreggiare.
L'elettronica è il regno della "coperta corta" :D