Micron Technology e Nanya Corporation hanno annunciato nel corso della giornata di ieri di aver ultimato lo sviluppo congiunto di un nuovo chip di memoria DDR3 da 2 Gigabit utilizzando la nuova tecnologia di processo a 42 nanometri basata sul rame.

Grazie all'impiego della nuova tecnologia di processo, il nuovo chip DDR3 da 2Gb a 42 nanometri è in grado di offrire prestazioni migliorate ed una frequenza operativa fino a 1866MHz. La ridotta dimensione dei chip, abbinata alla densità di 2 gigabit, consentirà di realizzare moduli di memoria fino a 16GB.

Con il processo a 42nm è possibile realizzare chip che richiedono una tensione operativa di 1,35V rispetto agli 1,5V delle soluzioni di precedente generazione. Questa caratteristica consentirà di ridurre il consumo energetico e, in applicazioni particolarmente intensive come ad esempio l'ambito server, permetterà di risparmiare il 30% circa di energia, sia grazie al minor consumo dei chip, sia alla necessità di più ridotti sistemi di raffreddamento.

La produzione pilota dei chip 2Gb 1866MHz DDR3 a 42nm è pianificata per l'avvio nel corso del secondo trimestre 2010, mentre la produzione commerciale prenderà il via nel corso della seconda metà dell'anno.

"Con il passaggio ai 42 nanometri - e con un processo a 30 nanometri in fase di sviluppo - la competenza di Micron nella metallizzazione con rame e la tecnologia proprietaria cell capacitor, hanno permesso di mantenere il passo e posizionarsi all'avanguardia dei processi di progettazione e innovazione delle DRAM. L'aggiunta di questo nuovo chip da 2 gigabit a 42 nanometri alla nostra linea di prodotti, rafforza il già ricco portfolio di soluzioni di memoria" ha dichiarato Robert Feurle, vicepresidente del marketing delle soluzioni DRAM per Micron.