IBM e NEC Electronics hanno annunciato di aver siglato un accordo per lo sviluppo congiunto delle prossime generazioni di tecnologie produttive per i chip. L'accordo prevede l'ingresso di NEC all'interno del gruppo di aziende che hanno sottoscritto lo sviluppo comune della tecnologia produttiva a 32 nanometri.

Oltre a IBM fanno parte di questo consorzio altri importanti operatori del settore: Semiconductor Manufacturing, Freescale Semiconductor Infineon Technologies, Samsung Semiconductor, STMicroelectronics e Toshiba. La volontà comune è ovviamente quella di avere accesso a tecnologie produttive sempre più sofisticate riducendo i costi di ricerca e sviluppo.

L'affinamento delle tecnologie produttive è un processo indispensabile in un settore così competitivo e nel quale l'innovazione tecnologica è l'elemento caratterizzante. D'altro canto lo studio di nuove tecnologie produttive richiede investimenti sostanziosi che possno venir condivisi in un'ottica di collaborazione come quella che si è venuta a creare tra queste aziende.

La ricerca di una comune piattaforma di produzione, inoltre, può portare ad evidenti economie di scala per le aziende coinvolte anche nel momento in cui dalla ricerca si passerà alla produzione. NEC, in particolare, ha anticipato la volontà di sviluppare la tecnologia produttiva per sviluppare prodotti della famiglia System-on-Chip (SoC).

Le prime sperimentazioni verranno condotte all'interno della fabbrica IBM di East Fishkill, N.Y oltre che all'interno dell'università di Albany nello stato di New York, utilizzando wafer da 300 millimetri di diametro.

Implementando la tecnologia high-k/metal gate i tecnici IBM pensano di poter ottenere, nel passaggio dal processo a 45 nanometri a quello a 32 nanometri, un miglioramento prestazionale sino al 35% a parità di voltaggio di alimentazione. La nuova tecnologia produttiva dovrebbe inoltre permettere di contenere il consumo complessivo dal 30 al 50% a seconda del voltaggio utilizzato, sempre con riferimento a quanto ora accessibile con il processo a 45 nanometri.