Sino a 4 GHz per le memorie delle schede video

In occasione dell'International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) la coreana Samsung ha presentato la propria nuova generazione di memorie GDDR4 specificamente pensate per l'utilizzo su shcede video di nuova generazione destinate al segmento top di gamma del mercato.

Le nuove memorie, attualmente in fase di prototipo, sono state sviluppate utilizzando tecnologia produttiva a 80 nanometri, con voltaggio di alimentazione variabile da 1.4V a 2.1V e una frequenza massima effettiva pari a 4 GHz ottenuta in abbinamento a 2.0V.

I chip GDDR4, sviluppati con una capacità di 512 Mbit, sono capaci di mettere a disposizione una bandwidth pari a 128 Gbytes al secondo quando utilizzati in una configurazione con bus memoria da 256bit. Attualmente le schede video NVIDIA GeForce 8800 GTX utilizzano bus memoria da 384bit di ampiezza, valore che scende a 320bit per le soluzioni GeForce 8800 GTS.

Le future schede video AMD basate su GPU R600 dovrebbero utilizzare un bus memoria da 512bit di ampiezza; le altre soluzioni disponibili attualmente in commercio utilizzano buis da 256bit, 128bit oppure 64bit a seconda del segmento di mercato nel quale sono posizionate.

Queste nuove memorie sembrano destinate a rivoluzionare le roadmap dei produttori di schede video: in precedenza si riteneva possibile raggiungere la soglia di 4 GHz di clock per le memorie solo con moduli GDDR5, attesi nel 2009 con frequenze a partirew da 3,5 GHz. Al momento attuale Samsung non ha ancora confermato quando avvierà la produzione di queste nuove memorie: è presumibile che questo possa accadere tra fine 2007 e inizio 2008, mentre per il momento attuale è ipotizzabile che le prossime generazioni di schede video possano adottare moduli GDDR4 capaci di operare tra 2 GHz e 2,2 GHz di clock.