Samsung: nuovi chip low-power DDR3 da 4Gb a 40nm

Samsung Electronics ha reso noto di aver avviato la produzione di chip di memoria low-power DDR3 da 4 gigabit utilizzando la tecnologia di processo a 40 nanometri.

I nuovi chip di memoria da 4 gigabit a 40 nanometri supportano le tensioni operative di 1,5V e di 1,35V e lavorano fino ad una frequenza di 1600MHz. La produzione dei chip DDR3 da 4 Gb permette di incrementare il quantitativo di memoria per l'uso in sistemi server a 32GB per modulo, ovvero corrispondente al doppio di quanto possibile con i moduli basati su chip da 2 Gbit. I moduli di memoria disponibili includono soluzioni RDIMM da 16GB e 32GB e SoDIMM (moduli compatti per sistemi notebook) da 8GB con frequenza di 1,6GHz.

Con l'avvio della produzione in volumi dei chip DDR3 da 4Gb, Samsung intende trasferire più del 90% della produzione delle soluzioni DRAM al processo a 40 nanometri, per fornire ai suoi clienti i più convenienti prodotti DRAM disponibili attualmente e, al contempo, rafforzare la propria posizione sul mercato.

Con i nuovi moduli Samsung vuole in particolare porre l'attenzione sul consumo energetico. Attualmente i server sono equipaggiati con una media di sei socket RDIMM per ciascuna CPU, che possono accogliere un quantitativo massimo di 96GB di DRAM. Il consumo energetico varia ovviamente a seconda delle carastteristiche dei componenti del modulo e le nuove soluzioni low-power da 4Gbit a 40 nanometri possono consentire il conseguimento di un risparmio energetico complessivo, per un sistema server, del 10% circa.