Memorie PRAM da Intel entro fine 2007

Intel ha anticipato l'intenzione di immettere in commercio, nel corso della seconda metà del 2007, memorie PRAM, phase-change random access memory, da 128Mbit di capacità, utilizzando tecnologia produttiva a 90 nanometri. La notizia è stata ripresa dal sito eetimes a questo indirizzo.

Intel ha affermato di aver raggiunto risultati interessanti con queste nuove tecnologie di memoria, con cicli di lettura e scrittura delle memorie sino a 100 milioni di volte e capacità di memorizzazione ben superiore ai 10 anni, senza alcun tipo di conseguenza sui dati memorizzati.

Questa tecnologia permetterebbe infatti di avere a disposizione memorie sino a 500 volte più veloci di quelle Flash, con un consumo complessivamente pari alla metà. In occasione dell'International Electron Devices Meeting, evento svolto lo scorso mese di Dicembre 2006, IBM, Matronix e Qimonda hanno mostrato le caratteristiche tecniche di questa tecnologia, delineandone gli sviluppi futuri che potranno portare alla produzione dei primi prodotti.

Le caratteristiche tecniche delle memorie PRAM sono simili a quelle delle soluzioni Flash, in quanto anche queste sono di tipo non volatile mantenendo i dati al loro interno anche nel momento in cui viene a mancare l'alimentazione. Stando a quanto anticipato dalle 3 aziende sviluppatrici, le memorie PRAM possono essere scritte e riscritte un numero infinito di volte, al contrario delle soluzioni Flash. Queste memorie dovrebbero venir sviluppate utilizzando tecnologia produttiva a 20 nanometri, la cui adozione è attesa solo tra vari anni. Al momento attuale l'adozione di questa tecnologia produttiva è attesa attorno al 2015.

Il materiale scelto per l'archiviazione dell'informazione è di tipo cristallino, una lega di Germanio e Antimonio che, opportunamente portato ad una temperatura adeguata, cambia di fase. La natura dei materiali vetrosi non porta però alla liquefazione immediata una volta superata di poco la temperatura di fusione, ma ad un "ammorbidimento", quanto basta per far mutare il comportamento degli atomi presenti nel materiale e avere così un materiale sfruttabile per avere in pochissimo tempo un substrato di memorizzazione. Il successivo raffreddamento, che potrà essere lento (10 ns!) o immediato, potrà fissare l'informazione o rendere il substrato adatto ad un nuovo processo di archiviazione.

Samsung ha annunciato negli scorsi mesi di voler avviare la produzione di memorie PRAM già dal 2008; in questo caso la tecnologia produttiva adottata non sarà quella a 20 nanometri, ma presumibilmente quella a 45 nanometri se non addirittura a 65 nanometri. Negli scorsi mesi Samsung ha mostrato un proprio prototipo di memoria PRAM, capace di una velocità di 30 volte superiore rispetto a quella delle soluzioni Flash.