Memorie DDR3 con tecnologia MetaRAM da Hynix

In concomotanza con l'Intel Developer Forum Fall 2008, Hynix Semiconductor ha annunciato di aver sviluppato una nuova serie di moduli memoria DDR3 di elevata densità di memorizzazione, abbinando i propri moduli memoria alla tecnologia MetaRAM.

Alla base di questo connubio la volontà di ottenere moduli memoria di elevata capacità, utilizzando tuttavia chip memoria che non presentino densità di memorizzazione eccessivamente elevate e che quindi abbiano un costo unitario molto contenuto.

Nel corso della dimostrazione effettuata all'IDF Hynix ha mostrato moduli memoria DDR3 da ben 16 Gbytes di capacità per modulo; all'interno di un singolo server sono stati montati 10 di questi moduli, per un totale di 160 Gbytes di memoria complessivamente disponibili.

La tecnologia sviluppata da MetaRAM permette, attraverso un chip di gestione montato direttamente sul modulo memoria, di gestire un elevato numero di chip memoria su ogni modulo senza creare problemi di frequenza di clock massima che può essere utilizzata. In genere, con un approccio tradizionale, al crescere del numero di chip memoria montati su un modulo corrisponde la necessità di ridurre la frequenza di funzionamento della memoria, così da assicurare stabilità operativa.

La possibilità di montare un elevato numero di chip memoria permette non solo di ottenere moduli dall'elevata capacità complessiva, ma anche di utilizzare chip memoria dalla densità di memorizzazione non particolarmente elevata così da contenere i costi di produzione dei moduli memoria. E' ben noto, infatti, che il raddoppio della densità di memorizzazione di un chip memoria può portare, con le densità più elevate, ad una crescita più che proporzionale dei costi.