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Memorie DDR2 con tecnologie sempre più sofisticate
Andrea Bai 15 Marzo 2006, alle 11:45 Memorie “Samsung ufficializza il passaggio a tecnologia produttiva a 80 nanometri per le proprie memorie DDR2; efficienza aumentata del 50%”
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Samsung Electronics ha annunciato oggi di essere il primo produttore ad aver
avviato la produzione in volumi di chip DDR2 512Mbit con processo a 80 nanometri.
Tramite il processo produttivo a 80 nanometri Samsung è in grado di
incrementare l'efficienza produttiva del 50% rispetto al precedente processo
a 90 nanometri. Lo spostamento verso la produzione a 80 nanometri permetterà
alla compagnia di soddisfare meglio la crescente domanda per le memorie DDR2.
Tom Trill, responsabile Marketing per Samsung Semiconductor, ha dichiarato:
"La domanda per le memorie DDR2 è a livelli mai raggiunti da quando
questo tipo di memoria è arrivata sul mercato dal 2004. La produzione
con tecnologia a 80 nanometri ci permette di supportare in modo più efficente
la crescita della domanda prevista per l'anno in corso".
Samsung è stata in grado di passare in modo graduale dal processo
a 90 nanometri a quello a 80 nanometri grazie all'impiego di alcune caratteristiche
di base proprie del processo a 90 nanometri, dovendo così operare aggiornamenti
minimi alle linee produttive.
Il passaggio alla produzione a 80 nanometri è stato inoltre agevolato
anche grazie all'adozione di un RCAT - recess channel array transistor.
Si tratta di un array tridimensionale che incrementa il tasso di aggiornamento,
fattore di importanza critica nel campo dello storage dei dati.
Fonte: VR-Zone |
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Commenti (15)
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| Commento # 1
di: MiKeLezZ
pubblicato il 15 Marzo 2006, 12:00 |
Da 90 a 80 si presume siano (circa) l'11% più piccole.. come possono riuscire a raggiungere efficienze produttive del 50% ?
usano pure i chip "marci"?  |
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| Commento # 2
di: bjt2
pubblicato il 15 Marzo 2006, 12:09 |
Tieni conto che è già 1.11 al quadrato. Poi la percentuale di chip che butti sul bordo è inferiore (il wafer è cilindrico), poi non è escluso che escano meno chip difettosi (magari il 50% si riferisce alla prima generazione di processo a 90nm sicuramente più "difettoso" dell'ultimo a 90nm prima della migrazione contro questa prima a 80nm, che non sarà molto diverso)...
Piuttosto mi chiedo se il processo inferiore non implichi anche velocità maggiore (che spiegherebbe, in parte, anche il minore scarto)... Già si vedono DDR2 1066...
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| Commento # 3
di: NoLimit
pubblicato il 15 Marzo 2006, 12:19 |
Passare da 90 a 80 significa aumentare la produttività del 20-25%, non del 11%.
Inoltre probabilmente è migliorata l'efficenza e la purezza del wafer.
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| Commento # 4
di: coschizza
pubblicato il 15 Marzo 2006, 12:55 |
| Originariamente inviato da: MiKeLezZ | Da 90 a 80 si presume siano (circa) l'11% più piccole.. come possono riuscire a raggiungere efficienze produttive del 50% ?
usano pure i chip "marci"? |
la tua sisposta è già scritta nell'ultimo paragrafo della notizia
utilizzando transistor in una forma di "array tridimensionale" hanno ridotto anche lo spazio occupato da ogni cella di memoria e quindi aumentato la densità complessiva. |
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| Commento # 5
di: Lotharius
pubblicato il 15 Marzo 2006, 13:03 |
Spero quindi, che nei prossimi mesi si possa assistere ad un calo, anche leggero, dei prezzi.
Comunque, a parte la possibilità di spigersi un po' più su con le frequenze, grazie alla nuova miniaturizzazione, è possibile che si riesca a ridurre un po' i timings? Riducendo questa debolezza tipica delle DDR2 si otterrebbe una memoria formidabile in ogni suo aspetto: voltaggi bassi, temperatura operativa non eccessiva, bandwidth enorme e timigs reattivi |
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| Commento # 6
di: sbaffo
pubblicato il 15 Marzo 2006, 13:25 |
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| Commento # 7
di: JOHNNYMETA
pubblicato il 15 Marzo 2006, 13:50 |
| Originariamente inviato da: MiKeLezZ | Da 90 a 80 si presume siano (circa) l'11% più piccole.. come possono riuscire a raggiungere efficienze produttive del 50% ?
usano pure i chip "marci"? |
Nooo un Senior che fa questi errori. 
Una retta lunga 90 è il 12,5% più lunga di una lunga 80 ma qui non si parla di grandezze lineari ma di aree e volumi di silicio.
L'efficienza dipende dal volume di silicio necessario che dipende dai nanometri della tecnologia.
Non è una grandezza lineare ma cubica cioè devi fare 90x90x90=729000 80x80x80=512000 che indicano già un 42,3828% di incremento dell'efficienza.
A questo sono da aggiungere le altre variabili note alla samsung (fra cui forse una minore probabilità di difetti su chip dall'area minore) che gli permettono di affermare di raggiungere il 50%. |
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| Commento # 9
di: riccardosl45
pubblicato il 15 Marzo 2006, 17:32 |
Agli utenti finali cosa cambia?
I prezzi scendono o aumentano?  |
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| Commento # 10
di: zuLunis
pubblicato il 15 Marzo 2006, 17:41 |
non ho ben capito il fatto dell'RCAT. Cioè saranno anche + performanti? O_o
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Da 90 a 80 si presume siano (circa) l'11% più piccole.. come possono riuscire a raggiungere efficienze produttive del 50% ?
usano pure i chip "marci"?