IBM: una nuova tecnologia per la memoria embedded
IBM presenta una nuova tecnologia per le memorie embedded, in grado di incrementare notevolmente le prestazioni di chip con memoria integrata
di Andrea Bai pubblicata il 15 Febbraio 2007, alle 15:01 nel canale MemorieIBM
In occasione dell'International Solid State Circuits Conference IBM ha presentato una nuova tecnologia che le ha permesso di segnare un record per quanto riguarda i tempi di accesso per dispositivi eDRAM, ovvero memorie integrate (la "e" sta per embedded) su un chip.
Secondo le dichiarazioni rilasciate da IBM la nuova tecnologia, realizzata mediante le tecniche Silicon-on-insulator, è in grado di incrementare in modo significativo le performance della memoria integrata in circa un terzo dello spazio e con un quinto dell'energia utilizzati normalmente per una memoria tradizionale di tipo SRAM (Static Random Access Memory). Grazie alla nuova tecnologia è così possibile triplicare la dotazione di memoria integrata in un chip.
IBM ha dichiarato un tempo di accesso (random access time) di 1,5 nanosecondi.
Attualmente sviluppata con processo a 65 nanometri, la nuova tecnologia diventerà fondamentale per i futuri prodotti a 45 nanometri previsti dalla roadmap della compagnia, la cui disponibilità in commercio è prevista essere per i primi mesi del 2008.
Ricordiamo che attualmente IBM sviluppa e realizza la maggior parte dei processori impiegati nelle console da gioco attualmente più ambite: Xbox 360, Wii e PlayStation 3.
10 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - infod'altro canto ati ha sempre detto che portare la memoria embedded nell'ambito pc-vga non è facile speriamo che qualcuno trovi qualche altra applicazione.
xbox360 sul processore grafico si
Mi sembra più promettente la tecnologia (licenziata l'anno scorso da AMD) che permetteva la produzione di SRAM con 1 solo transistor e wafer di tipo SOI.
Già, sarebbe interessante sapere quando sarà integrata nelle cpu di AMD. Comunque la ZRAM non è SRAM, ma è più una particolare DRAM ad un transistor, che usa lo strato SOI come condensatore, però si parlava, mi pare, di tempi di accesso paragonabili alla SRAM poichè adotta una particolare tecnica di lettura in corrente che consente l'accesso ai dati senza interferire con il ciclo del condensatore (e senza dover aspettare la carica/scarica). Mi piacerebbe sapere se è possibile anche scrivere il dato in maniera sicura in qualsiasi momento.
d'altro canto ati ha sempre detto che portare la memoria embedded nell'ambito pc-vga non è facile speriamo che qualcuno trovi qualche altra applicazione.
/Ot
In realtà l'x360 monta R500, ma pixel e vertex shader sono unificati stile r600
Ot/
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