Elpida avvia la produzione a 40nm di chip DDR3 a 2gb

Elpida Memory ha annunciato nel corso della giornata di ieri di aver avviato la produzione in volumi, presso lo stabilimento di Hiroshima, dei chip DDR3 SDRAM a 2 gigabit, impiegando la tecnologia di processo a 40 nanometri. Elpida è particolarmente orgogliosa di ciò, in quanto sono stati necessari appena due mesi per passare dal termine dello sviluppo e dalla produzione dei primi prototipi alla produzione commerciale in volumi.

I nuovi chip DDR3 SDRAM da 2 gigabit permettono un incremento di produzione che si assesta sul 44% di chip per wafer in più rispetto al precedente processo da 50 nanometri utilizzato da Elpida. I chip realizzati con il nuovo processo utilizzano circa 2/3 della corrente necessaria per il funzionamento dei chip a 50 nanometri e supportano tensioni operative di 1,2V e 1,35V, oltre agli 1,5V ratificati dallo standard DDR3. Nel complesso, i chip realizzati con il nuovo processo produttivo sono in grado di mostrare un risparmio energetico del 50% circa rispetto alla produzione di precedente generazione.

Elpida intende, nella fase iniziale, espandere la produzione produzione in volumi dei chip DDR3 SDRAM a 2 gigabit a 40nm presso lo stabilimento di Hiroshima. A partire dal secondo trimestre 2010 la produzione a 40 nanometri verrà avviata anche presso Rexchip, una sussidiaria taiwanese, con lo scopo di incrementare il volume di produzione e ridurre così i costi. A seconda delle condizioni del mercato DRAM, Elpida potrà inoltre decidere di trasferire la tecnologia di processo a 40nm ai partner ProMOS e Winbond per espandare la produzione ad un livello ancor più elevato.