Dall'università di Tokyo memoria flash organica e flessibile

Il sito web TechOn riporta la notizia dello sviluppo, da parte dell'Università di Tokyo, di una nuova memoria flash "organica", ovvero una memoria non-volatile che ha la struttura di una memoria flash ed è realizzata impiegando materiali organici.

La nuova memoria è stata inoltre realizzata impiegando un particolare substrato di resina di polietilene naftalato (PEN) che conferisce un elevato grado di flessibilità all'intera struttura: secondo le informazioni disponibili il substrato può essere flesso fino ad un raggio di curvatura di 6 millimetri, senza che ne vengano compromesse le funzionalità meccaniche o le funzionalità elettriche.

Il gruppo di ricercatori ha disposto sul substrato un array di 26x26 celle di memoria a due transistor. La memoria è realizzata con transistor di tipo floating-gate, una struttura utilizzata comunemente anche nelle memorie basate sul silicio. In questo caso vengono impiegati elettrodi di controllo del gate in alluminio, pellicole isolanti, floating gate in alluminio, un semiconduttore organico di pentacene e gli elettrodi del collettore e del gate in oro.

In particolare la pellicola isolante è stata realizzata utilizzando un monolayer autoassemblante, prodotto con un tipo di acido fosforico con una catena alchilica, in aggiunta all'ossido di alluminio La pellicola ha uno spessore di appena due nanometri. La tensione di lettura e di cancellazione delle nuove memorie flash sono rispettivamente di 1V e 6V. I dati possono essere scritti e cancellati dalla memoria per più di un migliaio di volte.

Il punto debole di queste memorie è però rappresentato dal periodo di conservazione dell'informazione, che attualmente è di appena un giorno. I ricercatori hanno fatto sapere che questo aspetto può essere drasticamente migliorato riducendo la dimensione dei componenti utilizzati e impiegando una pellicola isolante costituita da molecole di maggiore dimensione.