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Toshiba: importante passo avanti nello sviluppo dei processi a 20nm
Andrea Bai 20 Novembre 2009, alle 09:05 Processori “Toshiba annuncia lo sviluppo di un nuovo materiale fotosensibile indispensabile per il progresso dei processi produttivi”
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Toshiba ha raggiunto un importante
traguardo nel campo dei processi di fotolitografia, con lo sviluppo di un
cosiddetto photoresist (una resina fotosensibile) ad elevata risoluzione.
Si tratta di un elemento essenziale per l'impiego della litografia EUV -
Extreme UltraViolet nella produzione dei semiconduttori e che, in maniera
particolare, potrà essere concretamente impiegato per il passaggio ai
processi produttivi a 20 nanometri.
Il problema che incorre al momento della creazione dei schemi di circuiteria
al di sotto dei 20 nanometri è rappresentato dal fatto che gli
attuali photoresist non sono in grado di risolvere tali schemi con precisione
con il risultato di dare luogo ad una serie di micro-scabrosità sui bordi
dei pattern di questi schemi. I photoresist convenzionali sono infatti prodotti
tramite composti di polimeri, a loro volta caratterizzati da dimensioni molecolari
tali da limitare la loro risoluzione. Toshiba ha così cercato di ovviare
al problema, a quanto pare con successo, con la realizzazione di un photoresist
formato da composti molecolari di dimensioni più ridotte.
Nelle tecniche di fotolitografia, concorrono i processi di sviluppo in positivo
e sviluppo in negativo: affinché un photoresist sia effettivamente utilizzabile
per applicazioni di fotolitografia è necessario che sia in grado di sostenere
entrambi questi processi. Il photoresist è distribuito su un substrato,
al quale vengono apposte le apposite maschere per lo schema dei circuiti: nello
sviluppo in positivo il photoresist viene rimossa dal wafer substrato lasciando
un canale, viceversa nello sviluppo in negativo la parte non esposta alla luce
viene ugualmente rimossa dal substrato lasciando una zona in rilievo.
In particolare Toshiba ha selezionato il Truxene come il principale
materiale candidato per questo impiego. Il colosso giapponese ha definito la
composizione fondamentale di un derivato di tale materiale da impiegare con
il photoresist e ha dato dimostrazione di poter condurre entrambi i processi
di sviluppo in positivo e in negativo, stabilendo così la prima reale
base concreta per lo sviluppo dei processi produttivi a 20 nanometri. Le roadmap
identificano il 2013 come l'anno durante il quale sarà possibile avviare
la produzione in volumi di semiconduttori a 20 nanometri. |
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Commenti (14)
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| Commento # 1
di: Pleg
pubblicato il 20 Novembre 2009, 09:21 |
Il problema ancora irrisolto e' che stiamo usando al stessa lunghezza d'onda UV da millemila anni... ormai siamo 5 volte sotto il limite di diffrazione, hai voglia a fare disegnini precisi  )
BTW: il photoresist puo' essere negativo o positivo, non tutti e due. |
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| Commento # 3
di: fendermexico
pubblicato il 20 Novembre 2009, 09:47 |
io so che sotto 11nm non si può scendere per questioni atomiche mi pare...
quindi tra un po' che faremo? passiamo al grafene? |
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| Commento # 4
di: djfix13
pubblicato il 20 Novembre 2009, 09:48 |
io sapevo che i 45nm si facevano già con i raggi X....
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| Commento # 6
di: coschizza
pubblicato il 20 Novembre 2009, 09:52 |
| Originariamente inviato da: djfix13 | | io sapevo che i 45nm si facevano già con i raggi X.... |
i processi di oggi usano litografie a 193nm |
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| Commento # 7
di: Pleg
pubblicato il 20 Novembre 2009, 10:21 |
| Originariamente inviato da: coschizza | | è vero ma devi considerare che l'intel ha gia finito lo sviluppo della tecnologia EUV a circa 13nm che doveva esser utilizzata gia ora con i 32nm ma è stato posticipato ai 22nm |
E' gia' affidabile? Mi sembrava di ricordare che avesse ancora parecchi problemi, e che non fosse sicuro che potesse farcela per il 2015... ma e' roba che ho sentito un po' di tempo fa e non mi ricordo bene. |
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| Commento # 8
di: banaz
pubblicato il 20 Novembre 2009, 11:28 |
| Originariamente inviato da: Pleg | Il problema ancora irrisolto e' che stiamo usando al stessa lunghezza d'onda UV da millemila anni... ormai siamo 5 volte sotto il limite di diffrazione, hai voglia a fare disegnini precisi )
BTW: il photoresist puo' essere negativo o positivo, non tutti e due. |
gli atomi sono dell'ordine dell'angstrom --> 10^-10 metri
22 nm sono quasi due ordini di grandezza in più 2,2 x 10^-8 metri...c'è una bella differenza...soprattutto per le leggi quantistiche, che regolano i vari comportamenti della materia alla nanoscala e che sono diverse a seconda delle proprietà del materiale che andiamo a considerare...l'articolo parla di truxene e se andate a leggere il link messo da hwu, si vede che hanno utilizzato un processo simile alla realizzazione del grafene(la figura a scansione effetto tunnel), ovvero un materiale polimerico quasi bidimensionale(2dimensioni (in questo caso x e y)molto maggiori della terza z - che quindi si può considerare nulla)che cambia totalmente la densità di stati, la probabilità di trovare gli elettroni in un determinato posto e tantissime altre proprietà rispetto alle altre configurazioni(1d, quasi 1d, 0d, 3d....)... |
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| Commento # 9
di: lostx87
pubblicato il 20 Novembre 2009, 19:51 |
banaz, puoi spiegare quello che hai detto, però in italiano potabile? ^^
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Il problema ancora irrisolto e' che stiamo usando al stessa lunghezza d'onda UV da millemila anni... ormai siamo 5 volte sotto il limite di diffrazione, hai voglia a fare disegnini precisi
BTW: il photoresist puo' essere negativo o positivo, non tutti e due.