Intel: nuovi materiali per processori dal minor consumo

Intel ha recentemente comunicato, tramite il proprio blog Innovation@Intel, di essere al lavoro su una nuova tecnica per la realizzazione di transistor che dovrebbero poter permettere di produrre CPU dal consumo energetico estremamente contenuto, se paragonato alle soluzioni attualmente in circolazione.

In particolare gli ingegneri di Intel stanno studiando le applicazioni di un transistor a canale-P costruito su un substrato di silicio e che fa uso di composti semiconduttori conosciuti con il nome di "materiali III-V" dal momento che risiedono ai lati del IV gruppo A, ovvero dove si trova il silicio.

Secondo quanto riferito, l'impiego di questi materiali avrebbe consentito la realizzazione del più performante transistor a canale-P mai prodotto. Lo scorso anno sono stati condotti lavori simili sui transistor III-V a canale N: la combinazione di queste due tecniche permette di gettare le basi per la circuiteria logica di tipo CMOS, che impiega entrambi i transistor a canale N e canale P.

Si tratta, almeno sulla carta, di una tecnica che può essere adottata per la realizzazione dei futuri processori che potranno così operare alla metà circa della tensione necessaria al funzionamento delle CPU odierne e consumare 1/10 circa rispetto ai transistori attuali.