Il MIT realizza il primo laser al germanio

Il MIT realizza il primo laser al germanio

di Andrea Bai, Roberto Colombo pubblicata il 09 Febbraio 2010, alle 10:59 nel canale Processori

“I ricercatori del MIT trovano un modo per impiegare il germanio nella realizzazione di laser a scopo di comunicazioni ottiche”


Un gruppo di ricercatori del MIT ha dato dimostrazione del primo laser costruito con l'impiego di germanio, e che è in grado di produrre radiazioni luminose con lunghezze d'onda utili per le comunicazioni ottiche. Si tratta, inoltre, del primo laser al germanio capace di operare a temperatura ambiente.

A differenza dei materiali ordinariamente utilizzati nei laser, il germanio risulta di facile implementazione nei processi esistenti per la produzione di chip di silicio. Il risultato ottenuto è la dimostrazione di un importante passo avanti in direzione dei computer in grado di utilizzare la luce -e non la corrente elettrica- per spostare o elaborare dati. L'elemento più importante è tuttavia rappresentato dalla dimostrazione che, al contrario di quanto si ritenesse in precedenza, una classe di materiali chiamati semiconduttori a bandgap indiretta possono essere impiegati per la realizzazione di laser.

Con l'incremento della capacità computazionale dei chip si rendono necessarie larghezze di banda superiori per l'invio dati alla memoria. Le connessioni elettriche convenzionali sono però destinate a diventare poco convenienti dal punto di vista pratico, perché richiedono troppa potenza (e di conseguenza comportano un elevato consumo energetico) per traspostare dati a velocità così elevate. Una strada più efficiente, dal punto di vista energetico, è la trasmissione dei dati mediante laser (che possiamo semplificare descrivendolo come un fascio di luce coerente) la quale tuttavia comporta la necessità di integrare componenti ottici ed elettronici su un chip di silicio in maniera opportunamente economica.

L'assemblaggio di un chip è un processo particolarmente accurato dove strati di differenti materiali sono depositati su un wafer di silicio e percorsi e sagome sono incisi su di essi. L'aggiunta di un nuovo materiale in questo processo è piuttosto difficile: il materiale deve essere chimicamente legato agli altri strati sopra- e sottostanti, e deve essere possibile depositare tale materiale a temperature e condizioni chimiche che siano idonee agli altri materiali coinvolti.

Possiamo dividere i materiali più o meno in tre grandi categorie: isolanti, conduttori e semiconduttori. La discriminante tra i tre stati è rappresentata dalla capacità/possibilità degli elettroni di muoversi più o meno liberamente nel materiale. Nel caso dei materiali inorganici, ossia quelli che non contengono carbonio, la struttura dei materiale è spesso cristallina: gli elettroni si trovano quindi legati agli atomi che formano il cristallo e la differenza tra isolanti, conduttori e semiconduttori è data dalla quantità di energia che gli elettroni devono assorbire per entrare nella cosiddetta "banda di conduzione" ossia uno stato energetico eccitato che permette agli elettroni di slegarsi dai singoli atomi e muoversi più liberamente nell'intero cristallo. Nei conduttori questa energia è molto bassa e praticamente non vede salti di discontinuità con la banda di valenza, quella rappresentata dagli elettroni non eccitati. Negli isolanti il gap tra le due bande è talmente elevato che in pratica non è possibile eccitare elettroni nella banda di conduzione. Nei semiconduttori troviamo una situazione intermedia, per cui con l'assorbimento di una quantità sufficiente di energia è possibile eccitare un elettrone nella banda di conduzione.

I materiali utilizzati nei laser odierni, come l'arseniuro di gallio, sono difficili da integrare nei processi convenzionali di produzione dei chip. I laser devono pertanto essere costruiti separatamente e solo in un secondo momento "innestati" sul chip. Questo medoto è più costoso, in termini di tempo e risorse, rispetto alla costruzione del laser direttamente sul silicio. L'arseniuro di gallio, inoltre, è un materiale particolarmente costoso.

L'integrazione del germanio nel processo di produzione è una strada che quasi tutti i principali produttori di chip hanno già iniziato a percorrere, dal momento che l'aggiunta del germanio permette di incrementare la velocità dei chip di silicio. L' arseniuro di gallio, il silicio e il germanio sono tutti esempi di semiconduttori, quella particolare categoria di materiali impiegati praticamente in tutta l'elettronica moderna. I laser costruiti impiegando i semiconduttori convertono l'energia degli elettroni in fotoni.

I semiconduttori possono essere divisi in due categorie, a seconda delle proprietà: semiconduttori a bandgap diretto e indiretto. Nei primi il livello minimo della banda di conduzione e il massimo di quella di valenza coincidono e l'emissione di un fotone può avvenire, appunto, in modo diretto. Nel caso in cui massimo e minimo non coincidono è necessario che nel processo intervenga un fonone, o quanto di energia vibrazionale, in grado di modificare il vettore d'onda. Spesso nei semiconduttori a gap indiretto il ritorno dell'elettrone allo stato non eccitato è poco efficiente, disperdendo la maggior parte dell'energia in vibrazioni (quindi in calore) e avendo quindi un'emissione luminosa poco intensa ed energetica. L'energia può poi essere rilasciata dall'elettrone, nel nostro caso sotto forma di fotoni, ossia di luce, al suo ritorno allo stato non eccitato. Se questa emissione avviene in modo "coerente" si parla di laser.

Jurgen Michel, principale ricercatore associato nell'Electronic Materials Research Group e principale motore del progetto germanium-laser, commenta: "Vi era una diffusa opinione nell'ambiente scientifico secondo la quale i semiconduttori a bandgap indiretta non sarebbero mai stati utilizzati per la creazione di laser".

Il gruppo di ricercatori del MIT descriverà in una prossima pubblicazione su Optics Letters, come è stato possibile condurre elettroni eccitati di germanio in uno stato di emissione di fotoni ad elevata energia.

La prima strategia è una tecnica, comune nella produzione dei chip, chiamata "drogaggio" e nella quale gli atomi di un altro elemento sono aggiunti ad un cristallo semiconduttore. Il gruppo ha drogato il germanio con fosforo, che ha 5 elettroni nella banda esterna. Il germanio ha solamente quattro elettroni esterni, quindi il fosforo "regala" un ulteriore elettrone. L'elettrone in più va a riempire lo stato di minor nergia nella banda di conduzione, costringendo gli elettroni eccitati di spostarsi verso stati a maggiore energia.

Secondo il lavoro teorico del gruppo, il drogaggio con fosforo "opera al meglio con 10^20 atomi per centimetro cubo" di germanio. Il gruppo ha sviluppato una tecnica che può aggiungere 10^19 atomi di fosforo per ciascun centimetro cubo di germanio e che "già permette di produrre luce laser".

La seconda strategia è stata abbassare la differenza di energia tra i due stati della banda di conduzione, in maniera tale che gli elettroni eccitati fossero più inclini a passare verso lo stato di emissione dei fotoni. I ricercatori hanno fatto questo adattando un'altra tecnica comune nell'industria dei chip: hanno "stirato" il germanio, cioè allargato i suoi atomi leggermente più di quanto non siano in natura, facendolo crescere direttamente sulla sommità di uno strato di silicio. Sia il silicio, sia il germanio, sono stati depositati ad elevate temperature.

Al momento del raffreddamento il silicio si contrae in misura minore rispetto a quanto non faccia il germanio. Gli atomi del germanio raffreddato tentano però di mantenenre l'allineamento con gli atomi di silicio, e per questo si strutturano più larghi rispetto di quanto siano ordinariamente. Cambiando l'angolo e la lunghezza dei legami tra germanio, cambia inoltre l'energia richiesta per spostare i suoi elettroni nella banda di conduzione. "La capacità di far crescere il germanio sul silicio e la capacità di controllare la stiratura di queste pellicole di germanio sul silicio sono una scoperta di questo gruppo" ha dichiarato Lionel Kimerling, a capo del gruppo di ricerca.

"Il germanio piace ai circuiti ottici ad elevata velocità, è un buon connubio e una buona combinazione. La ricerca laser è molto promettente" dichiara Tremont Miao, direttore marketing di Analog Devices Semiconductor. Per una effettiva applicazione pratica, tuttavia, i laser di germanio dovranno diventare più efficienti dal punto di vista energetico prima di essere considerati come una pratica fonte di luce per sistemi di comunicazione ottica. "Ma di contro la promessa ed il fatto che abbiamo usato il germanio per generare luce laser è molto entusiasmante".


 

Commenti (29)

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Commento # 11 di: DAni82 pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:02

Finalmente un articolo un po' tecnico dove si spiega come funzionano le cose!!!

NOTA x la redazione: nella frase: "opera al meglio con 1020 atomi per centimetro cubo" di germanio. Il gruppo ha sviluppato una tecnica che può aggiungere 1019 atomi di fosforo per ciascun centimetro cubo di germanio e che "già permette di produrre luce laser".
Immagino che i livelli di drogaggio siano 10^20 e 10^19 atomi per cm cubo, sono diversi ordini di grandezza piu in su..
Commento # 12 di: Lollo6 pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:08

@ cristo1976:

credo che crescendo un film sottile di Ge, la quantitá di materiale usato sia sufficientemente bassa, quindi grossi problemi di costi dal punto di vista materiali non mi sembra ce ne siano. Aspetto l'articolo per capire un poco meglio che livelli di strain hanno raggiunto e che spessori di Ge riescono a crescere. Non viene detto molto sulla compattezza e stabilitá del film cresciuto.
Commento # 13 di: Andrea Bai pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:16

In effetti sono andati persi due apici
Ho corretto l'errore, grazie per le segnalazioni.

Buona giornata!
Commento # 14 di: metallus84 pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:19

Originariamente inviato da: Deskmat
Adesso è da attendere l'articolo completo, al momento infatti non è che abbiano detto con precisione come facciano ad ottenere radiazione utile... per quanto mi sembra di intuire riescono ad ottenere emissione laser sovradrogando il substrato con il fosforo realizzando un dispositivo ibrido, alla fine un'idea abbastanza semplice


è quello che già si fa con l'indio per ottenere radiazione in terza finestra. La cosa utile del germano è il fatto che (credo) ce ne sia d + in giro visto che avevo letto da una parte che l'indio sta finendo ed è difficile da trovare Comunque da quel che so, il fatto non è che il bandgap indiretto non abbia il livello di valenza e conduzione conicidenti e quello diretto si, ma vi è sempre una banda proibita (che bisogna far saltare all'elettrone per creare una coppa p-n che quindi, successivamente, ricombina e genera un fotone) solo che nel caso indiretto l'approssimazione con la quale si definisce la legge di dispersione di un elettrone in un semiconduttore (che è come una parabola positiva per le bande di conduzione e negativa per le bande di valenza) ha i vertici delle parabole non allineati (non non coincidenti) e quindi il salto per creare una coppia p-n è a bassa probabilità perchè deve intervenire un fonone. Se invece costruisco (come si fa ora) un seminconduttore con arsenuro di gallio, ho che i due vertici delle parabole sono allineati e ho più probabilità che l'elettrone faccia il salto da valenza a conduzione ( se volete un disegno, andate alla pagina dodici di questo documento http://www.tesionline.com/__PDF/18291/18291p.pdf e troverete la differenza che vi ho appena detto) andando a generare la suddetta coppia p-n. Il fatto che ci riescano col germanio è molto utile dipende pure che potenze riescano a tirar fuori..

@dani82
Commento # 15 di: DAni82 pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:21

Originariamente inviato da: Lollo6
@ cristo1976:

credo che crescendo un film sottile di Ge, la quantitá di materiale usato sia sufficientemente bassa, quindi grossi problemi di costi dal punto di vista materiali non mi sembra ce ne siano. Aspetto l'articolo per capire un poco meglio che livelli di strain hanno raggiunto e che spessori di Ge riescono a crescere. Non viene detto molto sulla compattezza e stabilitá del film cresciuto.


Il problema che hanno cercato di risolvere è che il germanio, pur essendo un ottimo semiconduttore, non era adatto alla costruzione dei laser per il fatto che è bandgap indiretto.
Con le due tecniche proposte sono riusciti in quest'intento, con la prima (il drogaggio) hanno cercato di aumentare la concentrazione di elettroni nel punto a minor energia della banda di conduzione e con la seconda (lo strained) sono riusciti ad adattare la struttura cristallina del germanio a quella del silicio.
In questo modo possono integrare direttamente i laser negli attuali chip al silicio ovviando ai problemi (di costi e tecnologici) descritti nella prima parte dell'articolo.

dani

EDIT: metallus84 mi ha anticipato....
Commento # 16 di: cristo1976 pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:25

Originariamente inviato da: DAni82
Il problema che hanno cercato di risolvere è che il germanio, pur essendo un ottimo semiconduttore, non era adatto alla costruzione dei laser per il fatto che è bandgap indiretto.
Con le due tecniche proposte sono riusciti in quest'intento, con la prima (il drogaggio) hanno cercato di aumentare la concentrazione di elettroni nel punto a minor energia della banda di conduzione e con la seconda (lo strained) sono riusciti ad adattare la struttura cristallina del germanio a quella del silicio.
In questo modo possono integrare direttamente i laser negli attuali chip al silicio ovviando ai problemi (di costi e tecnologici) descritti nella prima parte dell'articolo.

dani


E' vero infatti c'è da considerare i diversi campi di utilizzo del Ge; chiaramente in certi campi è più "facile" usarlo in determinate configurazioni/strutture.
Commento # 17 di: Gyanko pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:29

finalmente un'articolo che ti incuriosisce e spiega cose nuove, bel lavoro !

in ogni caso indipendentemente dai costi scoperte come queste sono importantissime per lo sviluppo tacnologico, iniziare a creare prototipi e magari implementare i primi esemplari per cose ben più importanti dei nostri pc, sarebbe già un'altro passo verso la diffusione e l'evoluzione degli stessi, quindi bravi massacciusini !
Commento # 18 di: Lollo6 pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:33

Originariamente inviato da: DAni82
Il problema che hanno cercato di risolvere è che il germanio, pur essendo un ottimo semiconduttore, non era adatto alla costruzione dei laser per il fatto che è bandgap indiretto.
Con le due tecniche proposte sono riusciti in quest'intento, con la prima (il drogaggio) hanno cercato di aumentare la concentrazione di elettroni nel punto a minor energia della banda di conduzione e con la seconda (lo strained) sono riusciti ad adattare la struttura cristallina del germanio a quella del silicio.
In questo modo possono integrare direttamente i laser negli attuali chip al silicio ovviando ai problemi (di costi e tecnologici) descritti nella prima parte dell'articolo.

dani


Sí sí, chiaro. Avevo solo commentato suil fatto che i costi non credo siano cosí impossibili visto che si tratta di film sottili.
Per quanto riguarda strain e drogaggio, é una cosa ben nota che si puó far emettere anche a semiconduttori a gap indiretta con queste tecniche, il punto é quanto stabile e spesso é il film che riesci a crescere. Mi pare che il lattice-missmatch tra Ge e Si sia piuttosto grande, quindi immagino che abbiano cresciuto solo pochi layers. Se hai qualche informazione al riguardo, sarei curioso.
Commento # 19 di: DAni82 pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:44

Originariamente inviato da: Lollo6
Sí sí, chiaro. Avevo solo commentato suil fatto che i costi non credo siano cosí impossibili visto che si tratta di film sottili.
Per quanto riguarda strain e drogaggio, é una cosa ben nota che si puó far emettere anche a semiconduttori a gap indiretta con queste tecniche, il punto é quanto stabile e spesso é il film che riesci a crescere. Mi pare che il lattice-missmatch tra Ge e Si sia piuttosto grande, quindi immagino che abbiano cresciuto solo pochi layers. Se hai qualche informazione al riguardo, sarei curioso.


Come dice l'articolo: "La capacità di far crescere il germanio sul silicio e la capacità di controllare la stiratura di queste pellicole di germanio sul silicio sono una scoperta di questo gruppo" quindi immagino abbiamo brevettato qualche nuovo processo costruttivo.
Per quanto ricordo il problema dei costi, più che per i materiali impiegati, è dato dal fatto che la struttura del laser e la struttura dei chip al silicio non erano "ammalgamabili" a livello strutturale nel senso che bisognava produrli separatamente e poi cercare di unirli (con tutti i problemi che questo comporta). Di quanto abbiamo dovuto "stirare" il germanio per farlo attaccare al silicio non ne ho idea, anche se credo che il segreto sta proprio lì!
Altro fatto da non sottovalutare è che i laser al Ge lavorano a temp ambiente, il primo laser prodotto se non sbaglio funzionava ad un centinaio di gradi sotto zero!
dani
Commento # 20 di: Deskmat pubblicato il 09 Febbraio 2010, 12:54

Originariamente inviato da: metallus84
è quello che già si fa con l'indio per ottenere radiazione in terza finestra. La cosa utile del germano è il fatto che (credo) ce ne sia d + in giro visto che avevo letto da una parte che l'indio sta finendo ed è difficile da trovare Comunque da quel che so, il fatto non è che il bandgap indiretto non abbia il livello di valenza e conduzione conicidenti e quello diretto si, ma vi è sempre una banda proibita (che bisogna far saltare all'elettrone per creare una coppa p-n che quindi, successivamente, ricombina e genera un fotone) solo che nel caso indiretto l'approssimazione con la quale si definisce la legge di dispersione di un elettrone in un semiconduttore (che è come una parabola positiva per le bande di conduzione e negativa per le bande di valenza) ha i vertici delle parabole non allineati (non non coincidenti) e quindi il salto per creare una coppia p-n è a bassa probabilità perchè deve intervenire un fonone. Se invece costruisco (come si fa ora) un seminconduttore con arsenuro di gallio, ho che i due vertici delle parabole sono allineati e ho più probabilità che l'elettrone faccia il salto da valenza a conduzione ( se volete un disegno, andate alla pagina dodici di questo documento http://www.tesionline.com/__PDF/18291/18291p.pdf e troverete la differenza che vi ho appena detto) andando a generare la suddetta coppia p-n. Il fatto che ci riescano col germanio è molto utile dipende pure che potenze riescano a tirar fuori..

@dani82


sapevo delle diff tra semiconduttori diretti e indiretti, solo non avevo capito che fatto "una traslazione della banda" per avere l'emissione (ho messo gli apici solo per sintetizzare il concetto benchè non sia quello fatto nello specifico al MIT)
Totale commenti: 29
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