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22-05-2012, 07:01 | #1 |
www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75175
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Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news/...ive_42222.html
L'Università di Londra sviluppa una tecnologia di memoria resistiva utilizzando ossido di silicio, in grado di operare a temperatura e pressione ambiente Click sul link per visualizzare la notizia. |
22-05-2012, 11:03 | #2 |
Senior Member
Iscritto dal: Mar 2008
Città: Milano; 9 Vendite concluse -> Wilde; emmepi; Homerj81; cos1950; mariotanza; Benia; grigor; alekia; ARG0
Messaggi: 11160
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RAM che non si cancellano... sarebbe il massimo anche solo per quello. Addio tempi di boot, consumo energetico ridotto al minimo soprattutto nei pda
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22-05-2012, 11:31 | #3 |
Senior Member
Iscritto dal: Aug 2006
Città: Valdagno
Messaggi: 3848
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buffalo ha appena lanciato un ssd
Che al posto della ram come cache usa la reram....
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22-05-2012, 18:34 | #4 |
Senior Member
Iscritto dal: Mar 2002
Messaggi: 256
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L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)
Comunque saranno un GROSSO salto in avanti rispetto alle flash, senza dubbio. |
22-05-2012, 19:34 | #5 | |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2007
Messaggi: 5298
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Quote:
Infatti il vero problema nel produrle a quella scala d'integrazione saranno i diodi ed i transistor (che vengono usati nella circuiteria di indirizzamento e scrittura/lettura delle celle). In ogni caso è una buona notizia, attualmente siamo a 22..20nm, con le ReRam si apre la possibilità di un incremento teorico di 36 volte della densità delle memorie allo stato solido. |
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22-05-2012, 19:40 | #6 |
Senior Member
Iscritto dal: Oct 2001
Messaggi: 14722
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