Secondo alcune informazioni che sono emerse alla conferenza tra AMD e ASML il processo produttivo a 45nm potrà essere una realtà soltanto nel 2009.
I piani di AMD prevede l'introduzione del K10 Phenom a 45nm nella seconda parte del 2008, mentre il 32nm accompagnato dalla nuovo architettura denominata "Bulldozer" è previsto nel 2009.
Il processo a 45nm introduce la litografia a immersione e l'utilizzo di dielectrics di tipo ultra-low-K. Questo permetterà, stando a quanto anticipato dalle due aziende, di ottenere benefici in termini di costi di produzione, oltre a incrementi prestazionali delle celle SRAM sino al 15%.
Per finire ci sarà anche la nuova tecnologia “high-k metal gate”, che in pratica sostituisce con un nuovo materiale ( il biossido di afnio ) nella porzione del transistor che controlla la funzione di accensione/spegnimento.
Il materiale utilizzato va a sostituire il diossido di silicio e, grazie alle sue particolarità, fornisce proprietà elettriche migliori riducendo la dispersione elettrica. Inoltre IBM non ha dovuto effettuare nessun cambiamento nei processo di produzione, riducendo i costi e rendendo la tecnologia economicamente vantaggiosa.
Il possibile ritardo è legato alle difficoltà con il processo a 65nm; AMD non ha ancora approvato lo step definitivo la quale utilizzerà per il die shrink a 45nm.
Secondo alcune voci lo Step B3 sarebbe l'eletto, ma tutt'ora è in fase di testing e se tutto va bene verrà approvato soltanto nei primi mesi del 2008; tradotto in termini temporali circa 3 mesi di ritardo sulla tabella di marcia...
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