ECS L7VTA: bios e memoria
Da bios è possibile intervenire sulla sola frequenza di bus,
selezionabile manualmente a passi di 1 Mhz alla volta; mancano impostazioni specifiche per
i voltaggi di alimentazione, come anche la possibilità di variare manualmente il
moltiplicatore di frequenza. Ricco il pannello dei timings di accesso della memoria DDR,
cosa che era difficile attendersi da una scheda madre ECS.
  
I test di stabilità con più moduli memoria non hanno
evidenziato problemi di sorta con 3 moduli DDR333; impostando la memoria ad operare a
DDR400, invece, è stato impossibile ottenere stabilità operativa con 3 banchi
contemporaneamente, a prescindere dai timings di accesso impostati. Per garantire piena
stabilità si è stati costretti a portare a 2 il numero di moduli contemporaneamente
utilizzati, non riscontrando con questa configurazione alcun problema. Di seguito sono
riportati i settaggi utilizzati nei test di stabilità:
DDR333 (166 Mhz) |
3
banchi |
| DRAM Timing |
manual |
DRAM CAS Latency |
2 |
| Bank Interleave |
4 Bank |
| Precharge to Active (Trp) |
3T |
| Active to Precharge (Tras) |
6T/10T |
| Active to CMD (Trcd) |
3T |
| DRAM
Burst Lenght |
4 |
| DRAM
Queue Depth |
4 level |
| DRAM
Command Rate |
2T Command |
| Write
Recovery Time |
2T |
| DRAM
tWTR |
1T |
|
DDR400 (166 Mhz) |
2
banchi |
| DRAM Timing |
manual |
DRAM CAS Latency |
2,5 |
| Bank Interleave |
2 Bank |
| Precharge to Active (Trp) |
3T |
| Active to Precharge (Tras) |
6T/10T |
| Active to CMD (Trcd) |
3T |
| DRAM
Burst Lenght |
4 |
| DRAM
Queue Depth |
4 level |
| DRAM
Command Rate |
2T Command |
| Write
Recovery Time |
2T |
| DRAM
tWTR |
1T |
|
|
